Плотность - пороговый ток
Cтраница 1
Плотность порогового тока в значительной мере определяется технологией изготовления диодов. В кристалле не должны присутствовать в большом количестве дефекты и посторонние примеси. Область р-п-перехода должна быть плоской и перпендикулярной к отражающим поверхностям кристалла. [1]
От температуры также существенно зависит такой важнейший параметр лазера, как плотность порогового тока. На рис. 5.33 показана температурная зависимость плотности порогового тока / пор для инжек-ционных лазеров различных типов. Это не позволяет, в частности, получить для таких лазеров непрерывную генерацию при комнатной температуре. Снизить / OP ( кривые 3, 4) и существенно улучшить эффективность инжекционных лазеров удалось при переходе к гетерогенной структуре р-п перехода. [2]
 |
Температур - ная зависимость. [3] |
От температуры также существенно зависит такой важнейший параметр лазера, как плотность порогового тока. На рис. 4.8 показана температурная зависимость плотности порогового тока / ПОР для инжекционных лазеров различных типов. Это не позволяет, в частности, получить для таких лазеров непрерывную генерацию при комнатной температуре. Снизить / ПОР ( кривые 3, 4) и существенно улучшить эффективность инжекционных лазеров удалось при переходе к гетерогенной структуре р-п перехода. [4]
 |
Зависимость плотности пороге - / вого тока от коэффициента потерь ра - - - - диационного шума кт / по. [5] |
В случае, когда максимальный коэффициент усиления линейно связан с током, плотность порогового тока можно представить в виде суммы / по и некоторой добавки, зависящей от радиационного шума. [6]
При увеличении длины кристашла L ( длины резонатора) усиление за один проход возрастает и соответственно падает плотность порогового тока. [7]
Порог генерации лазерных диодов зависит от геометрии активной области, поэтому вместо понятия порогового тока часто пользуются понятием плотности порогового тока. [9]
В настоящее время все большее распространение приобретают методы эпитаксиального - выращивания, позволяющие получить гетеропереходы - переходы на границе двух различных полупроводников. Гетеропереходы позволяют снизить плотность порогового тока более чем на порядок и получить непрерывный режим работы полупроводникового инжекционного лазера при комнатной температуре и резкое увеличение срока службы лазерных диодов. Гетеропереходы образуются на стыке полупроводников с с разной шириной запрещенной зоны с идентичными кристаллическими структурами и близкими значениями параметров кристаллических решеток, что обусловливает возникновение на границе гетеропереходов потенциального барьера и резкого скачка. [10]
От температуры также существенно зависит такой важнейший параметр лазера, как плотность порогового тока. На рис. 5.33 показана температурная зависимость плотности порогового тока / пор для инжек-ционных лазеров различных типов. Это не позволяет, в частности, получить для таких лазеров непрерывную генерацию при комнатной температуре. Снизить / OP ( кривые 3, 4) и существенно улучшить эффективность инжекционных лазеров удалось при переходе к гетерогенной структуре р-п перехода. [11]
От температуры также существенно зависит такой важнейший параметр лазера, как плотность порогового тока. На рис. 4.8 показана температурная зависимость плотности порогового тока / ПОР для инжекционных лазеров различных типов. Это не позволяет, в частности, получить для таких лазеров непрерывную генерацию при комнатной температуре. Снизить / ПОР ( кривые 3, 4) и существенно улучшить эффективность инжекционных лазеров удалось при переходе к гетерогенной структуре р-п перехода. [12]
Экспери - иэпцчеше ментально установлено, что изменение температуры от 4 2 К до 12.26 комнатной может привести к увеличению плотности порогового тока до 100 раз. При комнатной температуре плотность порогового тока доходит до 105 А / сма. Концентрация примесей очень сильно влияет на плотность порогового тока, особенно при низкой рабочей температуре. С ростом температуры различие в пороговых плотностях Тока при разных концентрациях примеси уменьшается. [13]
Экспери - иэпцчеше ментально установлено, что изменение температуры от 4 2 К до 12.26 комнатной может привести к увеличению плотности порогового тока до 100 раз. При комнатной температуре плотность порогового тока доходит до 105 А / сма. Концентрация примесей очень сильно влияет на плотность порогового тока, особенно при низкой рабочей температуре. С ростом температуры различие в пороговых плотностях Тока при разных концентрациях примеси уменьшается. [14]
Экспери - иэпцчеше ментально установлено, что изменение температуры от 4 2 К до 12.26 комнатной может привести к увеличению плотности порогового тока до 100 раз. При комнатной температуре плотность порогового тока доходит до 105 А / сма. Концентрация примесей очень сильно влияет на плотность порогового тока, особенно при низкой рабочей температуре. С ростом температуры различие в пороговых плотностях Тока при разных концентрациях примеси уменьшается. [15]
Страницы: 1 2