Cтраница 2
Такое пространственное ограничение не позволяет носителям диффундировать из области перехода и, следовательно, увеличивает вероятность их рекомбинации за счет излучения. Достоинство идеи не сводится лишь к пространственному ограничению носителей в активной области. Из рис. 9.3 в видно, что коэффициенту преломления в области переходов свойственна прерывистость. Вследствие этого фотоны, входящие в переход под углами, большими критического, испытывают полное внутреннее отражение. Таким образом, ДГП AlGaAs / GaAs / AlGaAs образует также волнопровод, туннелирующий фотоны внутрь слоя GaAs, где они способствуют возбуждению излучательной рекомбинации инжектированных пар электрон-дырка. Усиление электромагнитной волны внутри ДГП в электрическом поле показано на рис. 9.3 г. Комбинированные воздействия ДГП на электронные и оптические свойства диода существенно понижают плотность порогового тока при работе лазера. [16]