Высокая плотность - электрон
Cтраница 2
В случае аргона по расчетам Реслера, Лина и Канторовича [77] особенно высокие температуры получаются в ударной волне, а при указанном давлении соответственно также и высокие плотности электронов, вследствие чего условие сор со легко можно выполнить. [16]
Устройство для измерения электронной плотности плазмы ( рис. 6), основанное на измерении параметров СВЧ-сигнала, прошедшего сквозь плазму, содержащее передающую и приемную антенны с гетеродинным приемником, отличающееся тем, что, с целью упрощения измерений при высоких плотностях электронов, после смесителя и усилительного каскада промежуточной частоты приемника включен каскад ограничения амплитуды сигнала и частотный дискриминатор, с которого напряжение, пропорциональное изменению частоты сигнала, прошедшего через плазму с изменяющейся во времени плотностью, подается после предварительного усиления на индикаторное устройство. [17]
Эти хемосорбционные связи в большей или меньшей степени поляризованы, и тот факт, что водород образует положительные, а этилен - отрицательные адсорбционные слои на Ni, можно было бы истолковать как указание на существование адсорбции акцепторного или донорно-готипа [14], как на полупроводниках; но в этом случае ввиду высокой плотности электронов и дырок эффекты, связанные с потенциальным барьером, гораздо слабее. [18]
Эти хемосорбционные связи в большей или меньшей степени поляризованы, и тот факт, что водород образует положительные, а этилен - отрицательные адсорбционные слои на Ni, можно было бы истолковать как указание на существование адсорбции акцепторного или донорно-го типа [14], как на полупроводниках; но в этом случае ввиду высокой плотности электронов и дырок эффекты, связанные с потенциальным барьером, гораздо слабее. [19]
При промежуточных плотностях ( 1 Г 100) движение электронов сильно скор-релировано и подобно движению жидкости. При высоких плотностях электронов и низких температурах ( Г 100) кулоновское взаимодействие играет определяющую роль и возможен фазовый переход в состояние, которое характеризуется периодическим пространственным распределением электронов. Такой электронный кристалл подробно обсуждается в § 3 гл. В системе электронов на поверхности жидкого гелия параметр Г принимает значения от 1 до 95 в интервале концентраций Ns от 105 см-2 до Ю9 см-2 при Г 1 К. [20]
Предположим теперь, что в известном нам физическом мире все состояния с отрицательными энергиями содержат по одному электрону. Нам придется потребовать бесконечно высокой плотности электронов, потому что состояния с отрицательными энергиями существуют неограниченно, до минус бесконечности. Электроны, заполняющие состояния с отрицательными энергиями, можно представлять себе как бездонное море. В действительности не так уж трудно вообразить бездонное море. Мы интересуемся только тем, что происходит вблизи поверхности, и можем вполне разумно описывать такие процессы, забыв о бесконечной плотности электронов, лежащих ниже интересующего нас уровня. [21]
Устранение динатронного эффекта при более простой конструкции ( отсутствие динатронной сетки) является преимуществом лучевого тетрода. При этом области с высокой плотностью электронов, возникающие на пути электронного потока, лучше действуют на вторичные электроны, отбрасывая их на анод, чем витки антидинатронной сетки, расположенные на некотором расстоянии один от другого. Компланарная конструкция сеток позволяет экранной сетке находиться в тени отрицательно заряженной управляющей. Это значит, что электроны, обходя при движении к аноду витки управляющей сетки, не попадают и на экранную, В результате уменьшается экранный ток в лампе, который является фактором, ограничивающим ее мощность. Действительно, тонкие витки экранной сетки больше подвержены тепловому воздействию, чем анод, поэтому мощность пентода ограничена именно экранным током, несмотря на то, что анод мог бы выдержать достаточно большой ток. В лучевой лампе мощность ограничена термической прочностью анода, а не экранной сетки, что является вторым ее преимуществом. [22]
В основе принципа их действия лежит так называемое рекомбинационное излучение - излучение квантов света при прямых рекомбинационных актах пар электрон - дырка. Для интенсивной рекомбинации необходимо одновременно иметь высокую плотность электронов в зоне проводимости и высокую плотность свободных уровней ( дырок) в валентной зоне. Можно предположить, что такие условия создаются при высоком уровне инжекции электронов в дырочный полупроводник с высокой концентрацией акцепторов. [23]
Для таких ингибиторов коррозии стали, как производные анилина в работе [35] показано, что переход от электрофильных к нук-леофильным заместителям приводит к усилению рекомбинационно-го и ослаблению разрядного торможения при выделении водорода. Это возникает вследствие усиленной хемосорбции молекул ( с высокой плотностью электронов на центральном атоме азота) на каталитически активных центрах поверхности железа. Блокирование таких определяющих рекомбинацию водородных атомов центров обусловливает рост поверхностной концентрации атомов водорода и усиление его внедрения в железо. [24]
В 1939 г. Гельман высказала предположение, что большое трансвлияние этилена связано с особым видом внутрисферного окисления, из-за которого часть электронного облака платины оттягивается к этилену и центральный атом как бы переходит в четырехвалентное состояние. В результате этилен оказывается соединенным с платиной двойной связью; высокая плотность электронов в месте двойной связи и является, по Гельман, причиной повышенного трансвлияния этилена. [25]
В 1939 г. Гельман высказала предположение, что большое трансвлияние этилена связано с особым видом внутрисферного окисления, из-за которого часть электронного облака платины оттягивается к этилену и центральный атом как бы переходит в четырехвалентное состояние. В результате этилен оказывается соединенным с платиной двойной связью; высокая плотность электронов в месте двойной Связи и является, по Гельман, причиной повышенного трансвлияння этилена. [26]
 |
Бегущие волны. [27] |
Новая квантовая теория описывает поведение пучка электронов таким же образом. Темные кольца на фотопластинке в эксперименте по дифракции электронов показывают места высокой плотности электронов; плотность связана с квадратом амплитудного множителя, полученного при решении соответствующего волнового уравнения. [28]
Когда шесть заряженных или незаряженных групп лигандов со свободными парами электронов пристраиваются к иону переходного металла со стороны положительных и отрицательных направлений координатных осей, образуется октаэдрический комплекс, в котором между свободными электронами лигандов и электронами d - орбит действуют силы отталкивания. Так как орбиты dxy, dxz и dyz расположены между областями с высокой плотностью электронов в донорных группах лигандов, они в меньшей степени испытывают отталкивание, возникающее между электронами, чем dz - и с - - орбиты. В результате вырождение d - уровня частично снимается ( фиг. [29]
Здесь индексы 1, 2 относятся к атомам соответствующего сорта. Для определения коэффициента пропорциональности s, который не зависит от плотности электронов, рассмотрим случай высокой плотности электронов, когда частоты столкновения электрона с возбужденным атомом значительно превышают частоты излучения возбужденного атома. [30]
Страницы: 1 2 3