Большая плотность - дефект
Cтраница 2
Для выявления сегрегации Сузуки была разработана, в частности, методика измерения интенсивности рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами. Малая величина у обеспечивает значительное расщепление дислокаций и большую плотность дефектов упаковки даже после небольшой деформации. Поскольку различие в атомных диаметрах кобальта и никеля, с одной стороны, и ниобия, с другой, значительно, можно было ожидать сильного взаимодействия примесей с дефектами. [16]
При отпуске происходит ряд структурных изменений в связи с тем, что в результате нагрева после закалки увеличивается подвижность атомов и создаются условия для перехода малостабильного, неустойчивого состояния структуры в стабильное, равновесное. Главная причина нестабильности мартенсита в том, что он пересыщен углеродом и имеет большую плотность дефектов кристаллической решетки - дислокаций. При отпуске происходит выделение карбидов из мартенсита в результате его частичного распада. [17]
Как показано выше, после интенсивных пластических деформаций формируются наноструктуры с неравновесными границами зерен. В отличие от обычных равновесных большеугловых границ они обладают дальнодействующими напряжениями, которые обусловлены наличием большой плотности зернограничных дефектов. [18]
Как показано выше, после интенсивных пластических деформаций формируются наноструктуры с неравновесными границами зерен. В отличие от обычных равновесных болыпеугловых границ они обладают дальнодействующими напряжениями, которые обусловлены наличием большой плотности зернограничных дефектов. [19]
 |
Зависимость модулей. [20] |
Анализ показывает, что для такого / снижения недостаточно обычных причин: а) высоких внутренних напряжений; б) решеточных дислокаций; в) большой объемной доли межзеренных границ. Наноструктуры с неравновесными границами зерен в отличие от равновесных большеугловых границ обладают дальнодействующими напряжениями, которые обусловлены большой плотностью зерногранич-ных дефектов. Движение зерногра-ничных дефектов в поле напряжений может приводить к дополнительной деформации и понижению эффективных модулей упругости. [21]
После одинаковой температуры отпуска легированная сталь будет иметь более высокую прочность ( твердость), но несколько меньшую пластичность и вязкость, чем углеродистая. Легирующие элементы существенно повышают прочность стали после улучшения, упрочняя ферритную основу ( в том числе и за счет сохранения большей плотности дефектов строения) и увеличивая дисперсность карбидных частиц. [22]
Легирующие элементы существенно повышают прочность стали после улучшения, упрочняя ферритную основу ( в том числе и за счет сохранения большей плотности дефектов строения) и увеличивая дисперсность карбидных частиц. [23]
После одинаковой температуры отпуска легированная сталь будет иметь более высокую прочность ( твердость), но несколько меньшую пластичность и вязкость, чем углеродистая. Легирующие элементы существенно повышают прочность стали после улучшения, упрочняя ферритпую основу ( в том числе и за счет сохранения большей плотности дефектов строения) и увеличивая дисперсность карбидных частиц. [24]
Легирующие элементы существенно повышают прочность стали после улучшения, упрочняя ферритную основу ( в том числе и за счет сохранения большей плотности дефектов строения) и увеличивая дисперсность карбидных частиц. [25]
Механизм радиационного роста а-урана на основе представлений о направленной конденсации точечных дефектов в пиках смещения позволяет в качественной форме понять основные закономерности этого явления, наблюдаемые экспериментально. Так, резкое снижение радиационного роста а-урана для температур выше 200 - 300 С в модели Бакли [14] объясняется термически активированным распадом образующихся петель. Различие в скорости радиационного роста, наблюдаемое для холоднодеформированных ( большая плотность дефектов структуры) и отожженных образцов, сглаживается при р 10 -, что служит подтверждением уменьшения роли предварительно существующих стоков в процессах улавливания дефектов, когда плотность петель, вводимых облучением, достигнет насыщения. [26]
Из элементов большой площади необходимо изготовить панели и модули, а затем с целью изучения их устойчивости к воздействию окружающей среды провести испытания в естественных условиях и ускоренные ресурсные испытания. Как показывает опыт эксплуатации массивных кремниевых солнечных элементов, Si является стабильным материалом, однако следует помнить о том, что в тонких пленках с высоким отношением площади поверхности к объему, большой плотностью дефектов и специфической микроструктурой возможно ускоренное протекание химических реакций и диффузии. Поэтому было бы разумно изучить явления, обусловливающие деградацию тонкопленочных кремниевых элементов. Затем в условиях опытного производства необходимо освоить изготовление высокоэффективных элементов большой площади и показать, что выпуск этой продукции экономически оправдан. [27]
 |
Зависимость дрейфовой скорости от электрического поля для электронов и дырок. [28] |
Таким образом, при больших концентра циях время термализации определяется взаимодействием между носителями, а при малых имеет порядок самого короткого из времен электрон фононного взаимодействия. Часто носители имеют конечное время жизни, поскольку они могут захватываться на дефекты. Если среди носителей существуют как электроны, так и дырки, то их время жизни ограничено временем рекомбинации ( см. гл. В образцах с очень большой плотностью дефектов ( как у аморфных полупроводников) времена жизни носителей могут составлять пикосекунды, или меньше. Поскольку время жизни носителей определяет то время, за которое носитель может термализоваться, распределение будет неравновесным, если время жизни короче времени термализации. Переходная неравновесная ситуация может быть создана при нарушении распределения носителей возмущением, длящимся более короткое время, чем время термализации. Свойства горячих носителей могут отличаться от свойств равновесных носителей. Одним из примеров такого различия является зависимость дрейфовой скорости от электрического поля. На рис. 5.12 показана зависимость дрейфовой скорости от электрического поля для Si и GaAs. Для полей меньше 103 В / см носители подчиняются закону Ома, т.е. дрейфовая скорость возрастает линейно с электрическим полем. При более сильных полях скорость носителей возрастает с полем сублинейно и насыщается при значении 107см / с. Это прекращение роста дрейфовой скорости носителей в сильных полях называется насыщением скорости, В GaAs n - типа наблюдается более сложное поведение: скорость имеет максимум, в котором ее значение выше значения в области насыщения. Данное явление называется превышением скорости ( рис. 5.12) и наблюдается обычно только для нескольких полупроводников n - типа, таких как GaAs, InP и InGaAs. Для электрических полей между 3 103 В / см и 2 105 В / см скорость электронов в GaAs уменьшается при увеличении электрического поля. Это явление называется от рицат елъным дифференциальным сопротивлением. Рассмотрим перечисленные особенности поведения носителей в сильных полях по отдельности. [29]
Страницы: 1 2