Алюминиевая контактная площадка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Закон Митчелла о совещаниях: любую проблему можно сделать неразрешимой, если провести достаточное количество совещаний по ее обсуждению. Законы Мерфи (еще...)

Алюминиевая контактная площадка

Cтраница 1


1 Материалы для подложек. [1]

Алюминиевые контактные площадки используют в том случае, если гибкие выводы компонентов будут присоединять к контактной площадке сваркой. Для упрощения технологического процесса в этом случае целесообразно и проводники выполнять из алюминия.  [2]

Однослойные алюминиевые контактные площадки и проводники используются ограниченно для схем с малой степенью интеграции и малой надежности. В связи с тем, что ни один из элементов периодической таблицы не удовлетворяет полностью всем требованиям к материалам контактных площадок, обычно применяют многослойные системы из нескольких материалов, нижний из которых толщиной 10 - 20 нм обеспечивает необходимую адгезию к подложке, верхний толщиной 300 - 800 нм - высокую проводимость, необходимые режимы сварки или пайки. Во многих случаях применяется третий материал толщиной 30 - 50 нм, с низкой проводимостью, однако с хорошей коррозионной стойкостью и высокой паяемостью или свариваемостью.  [3]

4 Диаграмма состояния системы. [4]

При сварке золотой проволоки к алюминиевой контактной площадке кристалла или алюминиевой проволоки к золоченой контактной площадке вследствие взаимодиффузии золота и алюминия образуются интерметаллические соединения типа Аи, А1У, которые снижают механические свойства сварного соединения. На рис. 4.3 представлена диаграмма состояния системы А1 - Аи. В зоне контакта образуются интерметаллиды типа Au4Al; Au5Al2; AuAl; АиА12, причем зоны их распространения от золотой проволоки к алюминиевой контактной площадке находятся в той же последовательности, в которой они указаны в тексте.  [5]

6 Термокомпрессионная головка. [6]

Обычно сварке подвергаются золотая проволока с алюминиевыми контактными площадками, которые служат выводами полупроводниковых элементов. Термокомпрессионная сварка также, как и пайка, требует тщательного контроля режима. Необходимо регулировать температуру во избежание сплавления пленки и крепления, а также для предотвращения других нежелательных явлений. Давление должно быть не выше номинального, чтобы избежать деформации выводов и растрескивания подложки. Эти ограничения можно легко устранить при серийном производстве.  [7]

8 Тонкопленочная схема инвертера с навесным транзистором.| Модуль, собранный из тонкопленочных схем. [8]

Обычно золотая проволочка приваривается к золотой или алюминиевой контактной площадке, алюминиевая проволочка - к алюминиевой контактной площадке.  [9]

Образование интерметаллического соединения между золотой проволокой и алюминиевой контактной площадкой вызывает появление механических напряжений и микротрещин. Поверхность раздела металлов служит тем путем, по которому происходит миграция золота от краев шва в соседние участки алюминиевой пленки.  [10]

В ИМС применяется металлизированная разводка между отдельными элементами с соединением алюминиевых контактных площадок с внешними выводами с помощью золотых проводников, привариваемых к контактным площадкам и наружным выводам. Отказы связаны с нарушением соединений этих проводников и металлической разводки из-за механических повреждений или малой толщины пленки алюминия. Нарушения соединений могут вызвать перегрев в этих местах, что ведет к коррозии или расплавлению металла.  [11]

ИС; 2 - термически выращенный слой SICh; 3 - алюминиевая контактная площадка ИС; 4 - пиролитиче-ски осажденный слой S1O2; 5 - слой А1, получаемый вакуумным осаждением; S - слой Си, получаемый вакуумным осаждением; 7 - электролитически осажденный медный выступ; 8 - электролитически осажденный слой индия.  [12]

Разрыв термокомпрессионного соединения, с помощью ко торого золотая проволочка образует контакт с алюминиевой контактной площадкой.  [13]

14 Шарики припоя на кристалле.| Шарик из облуженной меди иа кристалле.| Столбик, полученный электролитическим осаждением золота. [14]

В пластине полупроводника с полностью изготовленными транзисторами или интегральными схемами методом фотолитографии всктрываются окна для алюминиевых контактных площадок. Затем вакуумным испарением наносят последовательно слои хрома и никеля толщиной по 600 А. Никель и хром удаляют между контактными площадками и наращивают никель химическим способом до толщин в несколько микрометров. Затем никелевые контактные площадки облуживают в тигле с оловянисто-свинцовым припоем.  [15]



Страницы:      1    2