Площадь - линия
Cтраница 2
При равномерно распределенной нагрузке для определения изгибающего момента величину погонной нагрузки q множат на площадь линии влияния. При частичном загружении балки вели-чину q множат на ту часть площади линии влияния, которая расположена под нагрузкой. [16]
При равномерно распределенной нагрузке, расположенной на части фермы, погонную нагрузку q множат на площадь линии влияния, расположенную под нагрузкой. При определении усилия в раскосе от равномерно распределенной нагрузки принимают алгебраическую сумму площадей участков линии влияния, расположенных под нагрузкой. [17]
Таким образом, площадь лоренцевой линии, обрезанной достаточно далеко от точки половинной мощности, очень близка к площади обычной лоренцевой линии. [18]
С помощью метода ЯМР можно легко изучать кинетику медленно протекающих реакций, применяя обычную аналитическую методику для измерения концентрации реагентов и продуктов реакции по площади линии поглощения. [19]
 |
Зависимость освещенности лини ( а и фона ( б от ширины щели. [20] |
Если щель уже нормальной, освещенность линии пропорциональна ширине щели, так как при уменьшении ширины щели световой по-ток уменьшается, как это следует из (III.15), а площадь линии остается постоянной. Если щель шире нормальной, освещенность линии от ширины не зависит, так как с увеличением ширины щели пропорционально увеличиваются и площадь линии и световой поток. [21]
Садижан [11] указывает, что при квадратичном эффекте Штарка электроны ( ударная теория) ведут к симметричному, а ионы ( статистическая теория) - к асимметричному уширению. Разделяя всю площадь линии по вертикали пополам, он определял величину смещения, отсюда - плотность ионов и наконец температуру. При исследовании профиля линии сравниваемые результаты измерений и расчетов должны всегда относиться к одинаковой полной площади. [22]
Конденсаторы представляют собой короткие и широкие отрезки линии, близко расположенные друг от друга. Чем больше площадь линий и чем ближе они расположены к подложке платы, тем больше емкость конденсатора. [23]
Для определения общего поглощения в спектре ЭПР использовались элементы аналоговых ЭВМ, схематически представленные на фиг. Прямое определение площади линии по описанному в данной работе методу иллюстрируется на фиг. На форму же кривой первой производной перемодуляция влияет гораздо сильнее. Это очень важное замечание, поскольку при регистрации слабых сигналов неизбежно используется большая глубина модуляции. ЭПР структура спектров разрешается лучше. С целью получения еще лучшего разрешения Джонсон и Чанг [80] записывали даже третью производную сигнала поглощения. [24]
Это равносильно измерению площади линии. Оуэне и Джиардино ( 1963) указывали, что в идеальном случае интенсивность ионов следует измерять, предварительно превращая каждую точку профиля почернения линии в интенсивность с помощью характеристической кривой и затем интегрируя полученный профиль интенсивности. Для строго линейной характеристической кривой в результате интегрирования профиля почернения получается величина, пропорциональная интегралу интенсивности. На практике интегрирование профиля почернения предпочитают другим методам оценки интенсивности линий, поскольку этот способ учитывает все изменения формы линии. [25]
Однако эти случаи следует рассматривать скорее как исключения. Большей частью приходится принимать в расчет всю площадь линии и, следовательно, интегральное поглощение А. При определении температуры по интенсивности одной линии измерения должны производиться в абсолютных единицах. Кроме того, должна быть хотя бы приблизительно известна оптическая толщина слоя; впрочем, часто бывает достаточно знать, лежит ли она в пределах оптически тонких или оптически толстых слоев. Этим, конечно, данный метод сильно усложняется, поэтому он и применяется для определения температуры сравнительно редко. Эленбаас [13], измеряя температуру плазмы ртутного разряда при высоком давлении, полагал, что работает с оптически тонким слоем. По интенсивности излучения дублета 5570 / 90 А с помощью формулы ( 20) он установил, что температура на оси равна 5900 К - При этом, конечно, необходимо было учитывать ее спад у стенок и интегрировать излучение по всем слоям. [26]
При равномерно распределенной нагрузке для определения изгибающего момента величину погонной нагрузки q множат на площадь линии влияния. При частичном загружении балки величину q множат на ту часть площади линии влияния, которая расположена под нагрузкой. [27]
При равномерно распределенной нагрузке для определения изгибающего момента величину погонной нагрузки q множат на площадь линии влияния. При частичном загружении балки вели-чину q множат на ту часть площади линии влияния, которая расположена под нагрузкой. [28]
Основу такой классификации составляет атомарная единица ( пространства), содержащая представления площадей линий и точек. [29]
 |
Стабильности ( 5 сольватов хлорида железа ( ПГ по отношению к сольватам с диметнлформа-мидом, донорная способность DN я диэлектрическая проницаемость Б соответствующих растворителей 417 ]. [30] |
Страницы: 1 2 3 4