Площадь - стенка
Cтраница 3
Для швеллера наибольшее значение секториального момента инерции получается, если площадь стенки составляет 46 2 % от общей площади профиля. [31]
Вычислить полное число молекул / V, приходящееся на единицу площади стенки в единицу времени, а также их среднюю тепловую скорость и. [32]
Давление идеального газа, численно равное импульсу, получаемому единицей площади стенки в единицу времени в результате соударения с нею молекул. [33]
Для построения профиля стенок колокола всего удобнее иметь зависимость между площадью стенок fx и расстоянием от fx до некоторой исходной точки, за которую удобно принять начало криволинейной части стенок. [34]
Наибольшее значение секториального момента сопротивления получается в том случае, если площадь стенки составляет 33 3 % от общей площади профиля. [35]
Так как стенка балки не работает на нормальные напряжения, то площадь стенки не входит в выражения моментов инерции и статических моментов сечения. [36]
Среднее давление р - 2 можно считать равномерно распределенным по всей площади стенки. [37]
Среднее давление р - - будем считать равномерно распределенным по всей площади стенки. [38]
Так как стенка балки не работает на нормальные напряжения, то площадь стенки не входит в выражения моментов инерции и статических моментов сечения. [39]
 |
Зависимости коэффициентов полного апов, лучистого л и конвективного ак теплообмена от температуры tnnn поверхности - вертикальной ( / и горизонтальной, обращенной вверх, ( 2. [40] |
Температура в печи задана технологическим проектом, известна также ее конструкция и площадь стенок FCT, свода и пода fn ( W печи. Обычно принимают, что температура на внутренней поверхности печи / в. [41]
 |
Давление жидкости на днище сосудов. [42] |
Таким образом, полная сила давления жидкости на плоскую стенку равна произведению площади стенки на гидростатическое давление в центре тяжести этой площади. [43]
 |
Зигзагообразная доменная граница. Исходная наклонная стенка показана штриховой линией. [44] |
При этом достигается баланс между уменьшением ее электростатической энергии за счет увеличения площади стенки ( и, следовательно, области локализации заряда) и одновременным увеличением ее поверхностной энергии. [45]
Страницы: 1 2 3 4