Малая площадь - переход
Cтраница 1
Малая площадь перехода обусловливает малую емкость перехода, которая является основным параметром высокочастотных диодов. Это позволяет повысить скорость переключения и расширить диапазон рабочих частот. [1]
Вследствие малой площади перехода снижается допустимая мощность рассеяния. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода. Поскольку площадь перехода мала, то мал и обратный ток / обр. Однако при незначительных увеличениях обратного напряжения обратный ток существенно возрастает за счет тока утечки а также повышения температуры перехода. В области характеристики, которая предшествует пробою, заметен эффект размножения носителей за счет ударной ионизации. В области пробоя характеристика имеет участок с отрицательным сопротивлением, практическое использование которого нецелесообразно. Высокочастотные диоды характеризуются теми же параметрами, что и выпрямительные диоды. [2]
 |
Статическая характеристика точечного диода. [3] |
Очевидно, что малая площадь перехода обусловливает малую емкость перехода, но и малую допустимую мощность. Сопротивления базы у точечных диодов составляют десятки и сотни ом, допустимые мощности рассеяния порядка 10 мет, а прямые токи обычно не больше 10 - 20 ма. Существенное превышение допустимого тока ( даже в течение короткого интервала времени) приводит у точечных диодов к переформовке контакта и ухудшению или утрате выпрямляющих свойств. [4]
Очевидно, что малая площадь перехода обусловливает малую емкость перехода, но и малую допустимую мощность. Существенное превышение допустимого тока ( даже в течение короткого интервала времени) приводит у точечных диодов к переформовке контакта и ухудшению или утрате выпрямляющих свойств. [5]
 |
Форма р-п перехода в микроплоскостном диоде.| Зонная диаграмма контакта полупроводника с металлом до инверсии ( а и после наступления инверсии ( б. [6] |
Во-первых, из-за малой площади перехода большая плотность тока и плохой теплоотвод обусловливают разогрев перехода и увеличение обратного тока. Зто приводит к тому, что участок насыщения обратной ветви слабо выражен или отсутствует совсем. [7]
Столь высокая плотность достигается выбором малой площади р-п перехода и соответствует обычно току через диод порядка нескольких ампер. [8]
Эти диоды имеют столообразную структуру и малую площадь перехода, благодаря чему уменьшается величина барьерной емкости. Термин меза происходит от испанского слова Mesa - стол. При изготовлении меза-диодов на поверхности пластины 2 с дырочной проводимостью методом диффузии создается слой 3 с электронной проводимостью. Затем пластина покрывается специальной маской и подвергается травлению. Маска защищает от травления небольшие участки. В результате травления на пластине образуются столообразные выступы, в которых сохраняются np - переходы небольших размеров. После этого пластина распиливается на отдельные диоды. [9]
 |
Схемы для - снятия вольт-амперной характеристики диода ( а, б. вольт-амперная характеристика диода ( в, качественное сравнение вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов ( г. [10] |
Ьтовлении вплавляется очень маленькая таблетка, что обусловливает получение малой площади р-п перехода. Пластинку кристалла полупроводникового диода помещают в герметичный корпус ( металлический, метал-локерамический, стеклянный) или заливают эпоксидными смолами. На рис. 2 - 8, д показан разрез маломощного плоскостного диода. [11]
На высоких частотах применяют также так называемые микросплавные диоды, имеющие малую площадь перехода. Диоды с микросплавными переходами выгодно отличаются от точечных лучшей стабильностью параметров, но емкость перехода у них больше и предельные частоты ниже, чем у точечных диодов. [12]
Таким образом, главными признаками, отличающими импульсные диоды от других групп диодов, являются малая площадь р-п перехода и малое время жизни неравновесных носителей заряда. [13]
Точечный прижимной контакт используют в основном только в приборах сверхвысокочастотного диапазона, где требуются малые емкости ( малые площади переходов) и хорошие высокочастотные свойства. [14]
 |
Статическая характеристика точечного диода. [15] |
Страницы: 1 2