Малая площадь - переход
Cтраница 2
Для прямой вольт-амперной характеристики точечного диода выражение ( 2 - 33) недействительно, так как даже при очень небольших токах уровень инжекции ( 2 - 69) оказывается весьма высоким из-за малой площади перехода. Такому вырождению способствует сравнительно большое отношение рэ / р6, так как эмиттер специально не легирован. [16]
Для прямой вольт-амперной характеристики точечного диода выражение ( 2 - 33) недействительно, так как даже при очень небольших токах уровень инжекции ( 2 - 69) оказывается весьма высоким из-за малой площади перехода. [17]
 |
Типичные ВАХ полупроводниковых вентилей. купроксного ( Си, селенового ( Se, германиевых точечного ( Qe - т и плоскостного ( Ое-и, кремниевых точечного ( Si - т и плоскостного ( Si - n. [18] |
При изготовлении р-п переходов СВЧ диодов используются методы сплавной, диффузионной и эпитаксиальной технологии, а также различные их комбинации. Малая площадь р-п перехода ( около 0 01 мм2) обеспечивается меза-конструкцией. [19]
Такой переход возникает, например, при вплавлении кончика металлической иглы в полупроводниковую пластину с одновременной присадкой легирующего вещества. Из-за малой площади перехода точечный диод относится к маломощным приборам и применяется главным образом в аппаратуре сверхвысоких частот. [20]
Величина тока в максимуме при относительно больших площадях перехода ( 10 - 2 - 10 - 3 см2) может достигать 5 а. Диоды с малыми площадями переходов ( порядка 10 - 5сл 2) могут иметь значения тока в максимуме около 100 - 200 мка. [21]
 |
Параллельное включение четырех тиристоров с выравнивающими трансформаторами. [22] |
Это очень важно, так как наиболее часто причиной выхода из строя тиристоров является чрезмерно быстрое возрастание тока в начальный момент отпирания. Так как отпирающий сигнал в тиристоре воздействует на сравнительно малую площадь р-п перехода и его расширение происходит сравнительно медленно ( около 0 1 мм в 1 мксек), то в том случае, если анодный ток возрастет очень быстро ( более 10000000 а / сек), на небольшой открытой площадке выделяется большая мощность, вследствие чего площадка пробивается. [23]
 |
Конструкция точечного диода. [24] |
Типичная вольтамперная характеристика точечного диода показана на рис. 6.9, а. Обратная ветвь характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода. Ввиду малой площади р-п перехода обратный ток диода мал, участок насыщения невелик и не так резко выражен. При увеличении обратного напряжения обратный ток возрастает почти равномерно. Напомним ( параграф 6.1), что в плоскостных р-п переходах обратный ток возрастает примерно в 2 - 2 5 раза при повышении температуры на каждые 10 С. [25]
 |
Условное обозначение полупроводникового диода ( а, его структура ( б и вольт-амперная характеристика ( в. [26] |
Конструктивно выпрямительные диоды делятся на плоскостные и точечные, а по технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные. Плоскостные диоды благодаря большой площади - - перехода используются для выпрямления больших токов. Точечные диоды имеют малую площадь перехода и, соответственно, предназначены для выпрямления малых токов. Для увеличения напряжения лавинного пробоя используются выпрямительные столбы, состоящие из ряда последовательно включенных диодов. [27]
Однако для лучшего улавливания неосновных носителей и повышения коэффициента а в активном режиме транзистор делают заведомо несимметричным. Площадь коллекторного перехода превышает площадь змиттерного перехода. В этом случае условия передачи неосновных носителей при движении их через базу от коллектора к эмиттеру иные: в силу малой площади эмит-терного перехода значительная часть неосновных носителей не попадает в эмиттерную область ( рис. 3.14), а-рекомбинирует в толщине базы. [28]
При увеличении обратных напряжений обратный ток почти равномерно возрастает за счет токов термогенерации и утечки. В довольно широкой предпробойной области характеристики становится заметным эффект размножения носителей за счет ударной ионизации. В области пробоя характеристика имеет участок с отрицательным сопротивлением. Вследствие малой площади перехода снижаются допустимая мощность рассеяния ( до 10 мет) и емкость перехода. Величины допустимых прямых токов точечных диодов не превышают 10 - 20 ма. Превышение допустимого тока приводит к переформовке и выходу контакта из строя. [29]
Типичные концентрации донорных иримесей составляют 2 - Г-5-1019 сж-3. Для изготовления омического контакта обычно применяется олово. Величина максимального тока зависит от концентрации примесей и площади перехода. В туннельных диодах с очень большими площадями переходов ( 10 - 2 - МО-3 см2) пиковый ток может достигать 5 а. В диодах же с малыми площадями переходов ( 10 - 5 см2) пик тока может быть порядка 100 мка. Типичным значением напряжения, соответствующего максимуму тока, является 40 - 50 мв. При изменении концентрации донор-ых примесей в исходном германии это напряжение, как правило, не меняется. При увеличении концентрации акцепторов в рекристаллизованном слое напряжение максимума тока сдвигается в сторону более высоких значений. Например, изменение содержания галлия в индии от 0 5 до 1 5 % вызывает рост напряжения, соответствующего максимуму тока, с 40 до 82 мз. [30]
Страницы: 1 2