Поведение - кристалл
Cтраница 3
Кроме этих опытов, было проведено исследование превращения декагидрата трикальцийарсената в пентагидрат тетракальцийарсената в присутствии раствора Са ( ОН) 2 при 50 путем визуального наблюдения под микроскопом за поведением кристаллов. Для этого были изготовлены кюветы из плексигласа и стекла емкостью от 0.2 до 1 см. В кювету помещалось несколько кристалликов трикальцийарсената, заливалось несколько капель раствора, и затем кювета закрывалась обычным покровным стеклом, которое приклеивалось пихтовым или канадским бальзамом. Кювета помещалась на нагревательный столик, расположенный непосредственно под объективом микроскопа. [31]
 |
Кривые нагрузка - удлинение для калия при Г77 К и различных. [32] |
В то время как в монокристаллах, подвергнутых упрочнению путем облучения ( течение в которых по предположению контролируется упругим взаимодействием дислокаций), действительно наблюдалось увеличение напряжения течения, сравнимое с увеличением модуля сдвига, поведение неупрочненных кристаллов было беспорядочным. Прямые измерения подвижности дислокаций в кристаллах КС1 под давлением методом ямок травления [165] не обнаружили заметного влияния давления на скорость дислокаций, что находится в явном противоречии с данными [80] о значительном влиянии давления на напряжение течения. В целом проведенные до сих пор эксперименты не позволяют сделать однозначного вывода. [33]
Мы увидим в дальнейшем, что все те явления, которые, казалось, находятся в полном противоречии с основными предпосылками электрической теории кристаллов, при более глубоком изучении оказались ей отнюдь не противоречащими Мы можем утверждать, это эта теория в своих основных чертах как качественно, так и количественно на самом деле передает поведение кристаллов. [34]
 |
Движение дислокации под действием касательного напряжения ( т. [35] |
Термообработка может, изменить или повредить материалы двумя способами: изменить уже существующие дефекты либо ввести новые дефекты. Поведение кристаллов и дефектов в них зависит от режима обработки. [36]
Термообработка может изменить или повредить материалы двумя способами: изменить уже существующие дефекты либо ввести новые дефекты. Поведение кристаллов и дефектов в них зависит от режима обработки. [37]
Линейное диэлектрическое поведение кристалла, таким образом, изотропно, но анизотропия может возникнуть за счет членов более высокого порядка только при температуре, близкой к Тк, где D может достигать больших величин. Электрооптическое поведение перовскитового кристалла следует описывать точно такими же выражениями, за тем исключением, что теперь одно из смещений D должно относиться к оптической волне, а все другие - к низким частотам. [38]
Такая структура и поведение твердого тела не свойственны кристаллам и свидетельствуют о возникновении в них в экстремальных условиях критических - состояний, подобных аморфно-кристаллической плазме. Именно такое поведение кристалла предсказывает теория атом-вакансионных состояний, которые возникают в искаженной решетке при очень больших: сдвиговых смещениях атомов из узлов решетки. [39]
Панина и его сотрудников [20-23] поведение твердых деформируемых тел в условиях высокоэнергетических воздействий связано с возникновением сильновозбужденных состояний в кристаллах, при которых меняется число степеней свободы, определяющих их поведение. В этих условиях поведение кристалла становится нелинейным, возможен гидродинамический характер пластического течения и появляются метастабильные структуры и фазы. [40]
Наличие аиалогии в поведении кристаллов при скольжении и двойниковании подтверждается большим числом экспериментальных фактов и в определенной мере теорией дислокаций. Поэтому можно было ожидать, что обнаруженное при опытах по двойникованию кальцита программное упрочнение должно наблюдаться также при других видах пластической деформации любых кристаллических материалов. [41]
Итак, рассмотрим дисперсную частицу ( кристалл) объемом v, помещенную в пересыщенный раствор. Вследствие этого задача о поведении кристаллов в аппарате является многомерной. Чтобы упростить анализ, примем, что основной характеристикой кристалла является его объем. При этом отвлечемся от морфологических особенностей кристалла, что дает возможность рассматривать его как шар, объем которого равен объему кристалла. [42]
В абсолютном большинстве случаев монокристаллы ПП не имеют в отличие от ПЭ доменной структуры. Этим прежде всего обусловлена специфика поведения кристаллов ПП при деформации. Наиболее важной особенностью механизма деформации ПП, отмеченной для ПЭ как частный случай некоторых морфологических форм кристаллов, является образование микротрещин. При растяжении монокристаллов ПП микротрещины вне зависимости от направления растяжения всегда совпадают по направлению с осью b или образуют с ней очень небольшой угол. [43]
Определение температуры насыщения может производиться как прямыми, так и косвенными способами. К первым относятся способы, связанные с непосредственным поведением кристалла в растворе: 1) по наблюдению за конвекционными потоками около кристалла, 2) по наблюдению за ростом - растворением кристаллов. Ко вторым относятся способы, связанные с измерением тех или иных свойств раствора, заметным образом зависящих от его концентрации и температуры. [44]
Особенности необратимого плавления деформированных кристаллов понятны в меньшей степени, чем особенности необоатимого плавления недеформированных кристаллов, выращенных из раствора и расплава. Во многом поведение деформированных кристаллов при плавлении подобно поведению кристаллов, выращенных из расплава, однако дополнительное влияние проходных молекул, которые находятся в напряженном состоянии, осложняют интерпретацию наблюдаемых явлений. [45]
Страницы: 1 2 3 4