Поведение - кристалл
Cтраница 4
Важно отметить, что сделанные здесь выводы резко отличаются от полученных выше. Это связано с существенно другим выбором физической и аналитической модели поведения фрагментированного кристалла. Заметим еще, что идеология 115, 16 ] дана в интерпретации [3] при несовпадающем с [15, 16] конечным результатом. Естественно, что окончательный выбор модели может быть обоснован только прямым изучением реальных процессов деформации кристалла. Однако это не ставит под сомнение основной гезис о необходимости рассмотрения задачи массопереноса с учетом всего многообразия явлений, происходящих в реальной структурной обстановке. [46]
 |
Кривые растворимости для четырех полиморфных модификаций НМХ. Кривые получены качественно, хотя положение точек пересечения основано на измеренных температурах перехода. [47] |
Чтобы простым способом определить, какая из двух модификаций стабильна при данной температуре, нужно изучить их относительную растворимость в растворителе. Это можно наиболее надежно и быстро сделать, наблюдая под микроскопом за поведением кристаллов обеих модификаций, находящихся вместе в капле насыщенного раствора. Это явление называют фазовым превращением через раствор; оно происходит тем быстрее, чем выше растворимости и чем больше разность растворимостей данных модификаций. Температуру перехода определяют в этом случае как такую температуру, при которой растворимости одинаковы, а скорость превращения в любом направлении равна нулю. Выше температуры перехода первая модификация растет за счет второй, а ниже этой температуры, наоборот, вторая модификация растет за счет первой. Путем приближения к температуре перехода с обеих сторон ее можно определить обычно с точностью до нескольких десятых градуса. Если равновесие устанавливается быстро, то температуру перехода часто определяют, используя микроскоп с нагревательным столиком. [48]
Цвикки выдвинул два возражения против гипотезы, по которой снижение механической молекулярной прочности, вычисленной согласно теории атомной решетки, до действительно наблюдаемых низких технических значений1) обусловлено именно мельчайшими трещинами. На основании этого предположения следовало бы ожидать, что поведение реальных кристаллов должно приближаться к поведению кристаллов идеальных по мере устранения случайных дефектов во время роста кристаллов. Наблюдения, однако, показывают, что справедливо обратное. Второе возражение заключается в том, что если бы понижение сопротивления вызывалось беспорядочно распределенными микроскопическими трещинами, то характеристики свойств, наблюдаемые в действительных испытаниях, распределялись бы по законам теории вероятностей, тогда как на самом деле они варьируют в сравнительно узких пределах. [49]
Можно произвести классификацию кристаллов по другому принципу, а именно: в зависимости от физической природы сил, действующих между частицами кристалла. Классификация кристаллов, основанная на типах сил связи, позволяет сделать некоторые обобщения относительно свойств и поведения кристаллов, чего нельзя сделать, рассматривая только геометрию решеток. [50]
Из предположения, что нулевое приближение теории, удовлетворительно описывающей реальные макроскопические свойства объектов, можно формулировать в терминах средних. Из этого вытекает, в частности, целесообразность формулировки локальных инвариантов в средних величинах, одинаковых для всех объемов V0 данной среды как по качественному характеру законов поведения кристалла в V0 в системе отсчета /, т, п, так и по значениям соответствующих физических постоянных задачи. [51]
Водят к отклонениям от идеальной кубической симметрии. Сюда могут относиться разнообразные эффекты, начиная от смещений и искажений, обусловленных влиянием растворителя ( если предполагать, что растворитель и растворенные молекулы обладают в растворе квазикристаллической структурой), и до искажений, обусловленных взаимодействием спинов электронов с нормальными колебаниями кристаллической решетки, или до искажений, вызывающих ферромагнитное поведение кристаллов. Несоседние взаимодействия в решетке также могут вызвать отклонения от простого поля, обусловленного ближайшими соседями, и Ван Флек показал, что этот эффект может быть существенным даже для спектров. [52]
Фундаментальные представления физики твердого тела основаны на теории трансляционной симметрии кристаллов. Наблюдаемые отклонения от трансляционной симметрии классифицируются как дефекты кристалла, возмущающие его основное состояние. Поэтому закономерности поведения кристаллов в различных полях внешних воздействий традиционно описывают на основе поведения различного рода дефектов как возмущений основного состояния кристалла. [53]
Таким образом, по конечному результату процесс термической обработки близок к электролизу на воздухе, но, в отличие от последнего, вынос щелочных ионов-компенсаторов при этом не наблюдается. Различия в поведении кристаллов, которые очищены от щелочных ионов, и кристаллов, в которых эти ионы, несмотря на ту или иную обработку, сохранены, особенно наглядно видны по результатам реакторного облучения. Если образцы, подвергшиеся термохимической обработке или электролизу в вакууме, после реакторного облучения дозой 1 1018 нейтрон / см2 восстанавливают способность обесцвечивания при нагревании или окрашиваются при у-облучении, то образцы после электролиза на воздухе эти свойства не восстанавливают. Этот факт лишний раз свидетельствует о важной роли щелочных ионов как компенсаторов исходных дырочных центров, так и электрон-захватывающих дефектов, образующихся при облучении. [54]
На рис. 54 представлена зависимость разности потенциалов, возникающей в кристалле NaCI, от разности температур на концах кристалла при средних температурах образца, равных 670, 600 и 540 С. Как видно из рисунка, результаты измерений при различных средних температурах практически совпадают. Разница в поведении кристаллов на воздухе и в атмосфере азота также не наблюдается. [55]
Таким образом, по конечному результату процесс термической обработки близок к электролизу на воздухе, но, в отличие от последнего, вынос щелочных ионов-компенсаторов при этом не наблюдается. Различия в поведении кристаллов, которые очищены от щелочных ионов, и кристаллов, в которых эти ионы, несмотря на ту или иную обработку, сохранены, особенно наглядно видны по результатам реакторного облучения. Если образцы, подвергшиеся термохимической обработке или электролизу в вакууме, после реакторного облучения дозой 1 Ю18 нейтрон / см2 восстанавливают способность обесцвечивания при нагревании или окрашиваются при у облучении, то образцы после электролиза на воздухе эти свойства не восстанавливают. Этот факт лишний раз свидетельствует о важной роли щелочных ионов как компенсаторов исходных дырочных центров, так и электрон-захватывающих дефектов, образующихся при облучении. [56]
Страницы: 1 2 3 4