Поведение - плотность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Молоко вдвойне смешней, если после огурцов. Законы Мерфи (еще...)

Поведение - плотность

Cтраница 1


Поведение плотности Р ( 6) поясняется рис. 25, а, где широты и долготы составляют декартову систему координат.  [1]

Поведение плотности ( полигона) распределения в районе его модального значения обусловливает геометрическую форму соответствующей кривой в окрестности точки ее максимума, ее островершинность.  [2]

3 Зависимость стационарной аксонной проводимости в детерминистическом случае от V ( схематично. Пространство состояний случайного процесса ( gt, V ограничено двумя штриховыми линиями. Стрелками показано направление эволюции gf. Очевидно, что вся плотность вероятности пои / - v оо будет сосредоточена внутри носителя U, обозначенного жирной линией на. [3]

Поведение плотности вероятности ps ( g) вблизи границ носителя может изменять свой характер с расходящегося на нерасходящийся.  [4]

Поведение плотности колебаний (2.43) и функции распределения частот (2.44) в предельно низкочастотной области явно отличается от (2.31) и (2.30) для трехмерного кристалла.  [5]

Таким поведением плотности состояний обусловлены осцилляции магнитной восприимчивости ( эффект де Гааза-ван Аль-фена), электрического сопротивления ( эффект Шубникова - де Гааза) и других физических свойств ( см. гл.  [6]

В иных случаях поведение плотности р ( и) приходится находить численно. В [335] приведены графики для крайнего асимметричного случая, в [336] к ним добавлены примечания относительно очень близких к 2 значений D, а в [341] - графики для симметричного случая.  [7]

Что же касается поведения плотности дислокаций в точке х а0, то его можно обсудить на основании (3.60), формально считая правую часть этого уравнения заданной функцией координат и времени. В принципе возможны два случая.  [8]

Приведенные экспериментальные результаты поведения плотности раствора 47 9 % гексана в октане свидетельствуют о том, что те растворы, компоненты которых имеют подобное молекулярное строение, ведут себя в окрестности точки исчезновения мениска так же, как и чистые вещества. С приближением температуры к Тт в растворе наблюдаются значительные градиенты плотности, существование которых можно объяснить влиянием гравитационного поля и большой сжимаемостью вещества. Известно, что в то время как по классическим представлениям в критической точке чистого вещества изотермическая сжимаемость бесконечна, в случае раствора она остается конечной. Наши данные по распределению плотности раствора в камере позволяют оценить изменение изотермической сжимаемости с высотой при температурах, близких к критической.  [9]

Можно дать полуколичественное описание поведения плотности тока j в начальной стадии развития канала для случая, когда ток / нарастает с приблизительно равномерной скоростью.  [10]

По данным интенсивности рассеяния рассчитано поведение плотности эфира по высоте в зависимости от температуры.  [11]

Обоснованием правильности принятых предположений о поведении плотности вероятности и ее производной при больших значениях vl может служить полученное решение. Если оно удовлетворяет принятым допущениям, можно считать эти допущения справедливыми.  [12]

Система уравнений (10.2), (10.3) описывает поведение плотности нейтронов во времени и поэтому может быть признана наиболее важной в задаче кинетического нейтронного исследования. Хорошо видно из этой системы, что число ( концентрация) ядер-предшественников Ci ( t), г 1 7тг, образует обратную связь относительно плотности нейтронов.  [13]

14 Типичная экспериментальная кривая зависимости линейной восприимчивости х от магнитного поля Н-1 при 4 2 К Для монокристалла цинка.| Построение поверхности Ферми металлов при помощи различных методов. [14]

В квантующем магнитном поле изменяется не только поведение плотности состояний, но и характер взаимодействия носителей заряда с кристаллической решеткой. Это, приводит к качественно новым кинетическим свойствам проводящих кристаллов.  [15]



Страницы:      1    2