Cтраница 1
Поведение плотности Р ( 6) поясняется рис. 25, а, где широты и долготы составляют декартову систему координат. [1]
Поведение плотности ( полигона) распределения в районе его модального значения обусловливает геометрическую форму соответствующей кривой в окрестности точки ее максимума, ее островершинность. [2]
Поведение плотности вероятности ps ( g) вблизи границ носителя может изменять свой характер с расходящегося на нерасходящийся. [4]
Поведение плотности колебаний (2.43) и функции распределения частот (2.44) в предельно низкочастотной области явно отличается от (2.31) и (2.30) для трехмерного кристалла. [5]
Таким поведением плотности состояний обусловлены осцилляции магнитной восприимчивости ( эффект де Гааза-ван Аль-фена), электрического сопротивления ( эффект Шубникова - де Гааза) и других физических свойств ( см. гл. [6]
В иных случаях поведение плотности р ( и) приходится находить численно. В [335] приведены графики для крайнего асимметричного случая, в [336] к ним добавлены примечания относительно очень близких к 2 значений D, а в [341] - графики для симметричного случая. [7]
Что же касается поведения плотности дислокаций в точке х а0, то его можно обсудить на основании (3.60), формально считая правую часть этого уравнения заданной функцией координат и времени. В принципе возможны два случая. [8]
Приведенные экспериментальные результаты поведения плотности раствора 47 9 % гексана в октане свидетельствуют о том, что те растворы, компоненты которых имеют подобное молекулярное строение, ведут себя в окрестности точки исчезновения мениска так же, как и чистые вещества. С приближением температуры к Тт в растворе наблюдаются значительные градиенты плотности, существование которых можно объяснить влиянием гравитационного поля и большой сжимаемостью вещества. Известно, что в то время как по классическим представлениям в критической точке чистого вещества изотермическая сжимаемость бесконечна, в случае раствора она остается конечной. Наши данные по распределению плотности раствора в камере позволяют оценить изменение изотермической сжимаемости с высотой при температурах, близких к критической. [9]
Можно дать полуколичественное описание поведения плотности тока j в начальной стадии развития канала для случая, когда ток / нарастает с приблизительно равномерной скоростью. [10]
По данным интенсивности рассеяния рассчитано поведение плотности эфира по высоте в зависимости от температуры. [11]
Обоснованием правильности принятых предположений о поведении плотности вероятности и ее производной при больших значениях vl может служить полученное решение. Если оно удовлетворяет принятым допущениям, можно считать эти допущения справедливыми. [12]
Система уравнений (10.2), (10.3) описывает поведение плотности нейтронов во времени и поэтому может быть признана наиболее важной в задаче кинетического нейтронного исследования. Хорошо видно из этой системы, что число ( концентрация) ядер-предшественников Ci ( t), г 1 7тг, образует обратную связь относительно плотности нейтронов. [13]
В квантующем магнитном поле изменяется не только поведение плотности состояний, но и характер взаимодействия носителей заряда с кристаллической решеткой. Это, приводит к качественно новым кинетическим свойствам проводящих кристаллов. [15]