Поведение - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Для любого действия существует аналогичная и прямо противоположная правительственная программа. Законы Мерфи (еще...)

Поведение - электрон

Cтраница 2


Поведение электронов в почти заполненной валентной зоне и в почти пустой зоне проводимости различно. Если один донорный уровень создает один носитель тока, то один акцепторный уровень как бы приводит в движение всю систему электронов валентной зоны.  [16]

Поведение электрона соответствует некоторому колебательному процессу, поэтому невозможно представить его находящимся в данный момент в строго заданной точке пространства. Однако с наибольшей вероятностью данный электрон встречается в некоторой вполне определенной области, которая называется электронной орбиталью. Форма электронной орбитали зависит от того, в каком слое или оболочке находится данный электрон в атоме. Так, электроны, входящие в двухэлектронные слои ( так называемые s - электроны), находятся на орбитали, имеющей шаровую симметрию.  [17]

18 Схема относительного расположения уровней энергии в многоэлектронных атомах. [18]

Поведение электронов в атомах подчиняется принципу запрета, сформулированному в 1925 г. швейцарским ученым В. Паули: в атоме не может быть двух электронов, у которых были бы одинаковыми все четыре квантовых числа.  [19]

Поскольку поведение электронов в малых частицах детально обсуждалось ранее [5, 6, 8], здесь мы только напомним основные положения, необходимые для понимания недавних публикаций. Характерной особенностью малых металлических частиц является дискретность энергетических уровней вследствие небольшого числа взаимодействующих атомов. В энергетической области вблизи уровня Ферми, где осуществляются главные эффекты электронных взаимодействий, среднее расстояние между уровнями есть d i / N ( O) V. Здесь V - объем частицы и N ( O) - односпиновая энергетическая плотность состояний на уровне Ферми, отнесенная к единице объема.  [20]

Такое поведение электрона объясняется наличием широкого барьера в эффективном потенциале рассматриваемой задачи.  [21]

Обычно поведение электрона описывается волновой функцией ( [, а ее квадрат ф2 определяет вероятность нахождения электрона с данным спином в данной точке пространства. Полная волновая функция с хорошей степенью приближения может быть представлена в виде произведения двух ее составляющих: пространственной и спиновой волновых функций.  [22]

Рассмотрим поведение электронов в идеальном кристалле. Из теории проводимости Друде-Лоренца мы уже знаем, что кристалл можно представить в виде кристаллической решетки, в узлах которой находятся ионы, и электроннсго газа. Тогда задача изучения поведения носителей заряда в кристалле сводится к рассмотрению влияния периодического поля решетки кристалла на движение электронов. Известно, что электрон является квантовомеханической частицей и его поведение даже в свободном пространстве не может описываться классической физикой, рассмотрение естественно проводить на базе представлений квантовой механики. Поэтому целесообразно вспомнить некоторые основные положения квантовой механики.  [23]

Рассмотрим поведение электронов в идеальном кристалле. Из теории проводимости Друде - Лоренца мы уже знаем, что кристалл можно представить в виде кристаллической решетки, в узлах которой находятся ионы, и электронного газа. Тогда задача изучения поведения носителей заряда в кристалле сводится к рассмотрению влияния периодического поля решетки кристалла на движение электронов. Поэтому известно, что электрон является квантово-механической частицей и его поведение даже в свободном пространстве не может описываться классической физикой, рассмотрение естественно проводить на базе представлений квантовой механики. Поэтому целесообразно вспомнить некоторые основные положения квантовой механики.  [24]

Рассмотрим поведение электронов в идеальном кристалле. Из теории проводимости Друде-Лоренца мы уже знаем, что кристалл можно представить в виде кристаллической решетки, в узлах которой находятся ионы, и электроннсго газа. Тогда задача изучения поведения носителей заряда в кристалле сводится к рассмотрению влияния периодического поля решетки кристалла на движение электронов. Известно, что электрон является квантовомеханической частицей и его поведение даже в свободном пространстве не может описываться классической физикой, рассмотрение естественно проводить на базе представлений квантовой механики. Поэтому целесообразно вспомнить некоторые основные положения квантовой механики.  [25]

Рассмотрим поведение электрона в однородном магнитном поле.  [26]

Рассмотрение поведения электрона с точки зрения законов волновой механики и, в частности, с учетом принципа неопределенности Гейзенберга показывает, что в действительности орбит, как таковых, не существует, и можно говорить лишь об относительных вероятностях нахождения электрона на тех или иных расстояниях от атомного ядра.  [27]

Исследование поведения электронов при их взаимодействии с ядрами атомов показало, что законы классической механики для них неприменимы. В частности, это было показано при изучении процессов излучения и поглощения электромагнитной энергии. Планк выдвинул гипотезу, которая легла в основу квантовой механики. Согласно этой гипотезе энергия микросистем - атомов и молекул - может принимать только определенные дискретные ( прерывистые) значения. Энергия электронов в этой системе также может принимать только определенные дискретные значения. Изменение энергии электрона, следовательно, может происходить только скачкообразно. Переход из состояния с меньшей энергией в состояние с большей энергией может произойти при условии поглощения извне порции энергии, равной разности значений энергии в этих состояниях. При обратном переходе эта порция энергии должна быть отдана.  [28]

29 Диаграмма уровней энергии атома водорода. [29]

Исследование поведения электронов в атомах и системах атомов показало, что большинство закономерностей может быть описано только на основе квантовой механики.  [30]



Страницы:      1    2    3    4