Поверхность - диэлектрик
Cтраница 2
На поверхностях диэлектрика образуются электрические заряды. Эти заряды носят название поляризационных, а их возникновение называется процессом поляризации диэлектрика. [16]
Заряды у поверхности диэлектрика, появившиеся в результате поляризации, называются связанными, так как электроны, будучи связаны внутриатомными силами, не могут свободно перемещаться в объеме диэлектрика под действием электрического поля, а только смещаются. Такие заряды существенно отличаются от так называемых свободных зарядов наэлектризованных проводников и диэлектриков, получающихся в результате удаления из данного тела части электронов или сообщения ему излишних электронов. [17]
 |
Зависимость пробивного напряжения.| Характерные расположения диэлектрика в электрическом, поле. а - равномерное поле. б и в - неравномерные поля. 1 - электроды. 2 - -. твердый диэлектрик. [18] |
Разряд вдоль поверхности диэлектрика, расположенного в газовой среде, является типичным разрядом в газе, находящемся в электрическом поле, искаженном диэлектрикрм. Искажение - усиление поля в отдельных местах происходит вследствие разницы в диэлектрических проннцаемостях диэлектрика и газа, а также повышенной проводимости диэлектрика, вызванной наличием влаги на поверхности ди-диэлектрнка и в нем самом. [19]
Для этого поверхность диэлектрика сначала сенсибилизируют обработкой ее раствором солей олова, а затем активируют раствором соли каталитически активного металла платиновой группы. В последнее время применяют одностадийный совмещенный способ активации в смешанных растворах хлоридов палладия и олова. [20]
 |
Углы смачивания поверхностей твердых тел. [21] |
Однако с поверхности диэлектрика влага наиболее легко удаляется. Для предохранения поверхности изоляционных деталей из полярных твердых диэлектриков от действия влажности их покрывают несмачивающимися водой лаками. [22]
При а1 поверхность диэлектрика не меняет своего потенциала, так как сколько электронов попадает на поверхность, столько же ее и покидает. В какой точке состояние процессов устойчиво и в какой - неустойчиво. При вторичной электронной эмиссии ( см. вопрос 4.41) распределение вторичных электронов по энергиям F ( W2) может быть достаточно удовлетворительно представлено как совокупность двух групп ( / и 2), что показано на рисунке. [23]
Для этого поверхность диэлектрика сначала сенсибилизируют обработкой ее раствором солей олова, а затем активируют раствором соли каталитически активного металла платиновой группы. В последнее время применяют одностадийный совмещенный спо-воб активации в смешанных растворах хлоридов палладия и олова. [24]
Если на поверхности диэлектрика в какой-либо точке Р записать заряд и больше на этой трубке никаких операций ( записи или считывания) не производить, то запись может храниться больше часа. Стенание заряда из-за гальванической утечки ничтожно; постоянная времени разряда элементарного конденсатора, изображенного на рис. 9.15 - порядка нескольких сотен минут. Однако при частых обращениях к трубке происходит другое, значительно более неприятное явление. При операциях, производимых на соседних участках, часть вторичных электронов попадает на рассматриваемый участок Р диэлектрика и искажает запись. При большом числе обращений к соседним участкам запись на рассматриваемом участке Р может быть вовсе стерта. Это явление засева данного участка электронами с соседних участков может иметь результатом стирание показания на данном участке за время в худшем случае порядка 0 2 сек. Чтобы не допустить стирания, необходимо поэтому часто производить регенерацию, восстановление записи во всех ячейках, например спустя каждые 0 05 сек. Так как блок памяти работает очень быстро, то за время одной операции часть времени не используется, пока работает арифметический или другие блоки. Эти холостые участки рабочею такта заполняются операцией регенерации. Луч обходит одну ячейку за другой, строчку за строчкой, например так, как это делается в телевизионных трубках. В каждой ячейке производится считывание и за ним запись, что в целом составляет операцию регенерации. Этим способом обеспечивается хранение показаний в течение любого времени. [25]
Только на поверхности диэлектрика остаются нескомпенсированные так называемые поляризационные заряды, разноименные с зарядами на ближайших пластинах конденсатора. Электрическое поле поляризационных зарядов направлено навстречу полю, вызвавшему поляризацию, и ослабляет его. Поэтому электрическое поле всякого заряда уменьшается, если этот заряд поместить в диэлектрик. Чем сильнее поляризуется диэлектрик, тем в большее число раз ослабляется в нем поле электрического заряда, тем больше диэлектрическая проницаемость ( см.) данного диэлектрика. [26]
Только на поверхности диэлектрика остаются нескомпенсированные так называемые поляризационные заряды, разноименные с зарядами на ближайших пластинах конденсатора. Электрическое поле поляризационных зарядов направлено навстречу полю, вызвавшему поляризацию, и ослабляет его. Поэтому электрическое поле нсякого заряда уменьшается, если этот заряд поместить в диэлектрик. Чем сильнее поляризуется диэлектрик, тем в большее число раз ослабляется в нем поле электрического заряда, тем больше диэлектрическая проницаемость ( см.) данного диэлектрика. [27]
Присутствие на поверхности гидрофильных диэлектриков следов влаги способствует перераспределению зарядов в виде ионов. [28]
Первичная обработка поверхности диэлектрика включает ряд последовательных операций: механическую обработку, обезжиривание, очистку, травление-окисление и некоторые другие, необходимость которых определяется конкретной технической-задачей. [29]
 |
Сечение центрального проводника. [30] |
Страницы: 1 2 3 4