Поверхность - кристаллизация
Cтраница 2
Поверхность кристаллизации сечения состоит из трех полей чистых компонентов. [16]
 |
Расположение исследованных сплавов в тройной системе. [17] |
Поверхность кристаллизации системы состоит из пяти полей первичной кристаллизации следующих компонентов: К. [18]
Поверхность кристаллизации взаимной системы ( рис. 210) состоит из полей простых солей. [19]
Поверхность кристаллизации взаимной системы ( рис. 295) состоит из двух полей твердых растворов KCl-RbCl и K SO - RbjSCU, разделенных линией вторичных выделений, не имеющей минимума. [20]
Диаграмма поверхности кристаллизации состоит из трех полей - г - комплексного соединения D1 ( ( KC1) 2 и ( LiB02) 2, сливающихся в тройной точке 525 С. [21]
Диаграмма поверхности кристаллизации этого сечения состоит из полей: ( LiCl) 2 ( а - и ( 3-участки), Li2S04 ( а - и 3-участки), ( КВ02) 2, соединения D2 и продуктов обмена K2S04 и ( LiB02) 2; часть площади последнего покрыта расслоением. [22]
Диаграмма поверхности кристаллизации состоит из трех полей - комплексного соединения Вх, ( KG1) 2 и ( 1ЛВ02) 2, сливающихся в тройной точке 525 С. [23]
Диаграмма поверхности кристаллизации этого сечения состоит из полей: ( LiCl) 2 ( а - и Р - участки), Li2S04 ( а - и ( 3 - участки), ( КВ02) 2, соединения D2 и продуктов обмена K2S04 и ( LiB02) 2; часть площади последнего покрыта расслоением. [24]
Диаграмма поверхности кристаллизации системы ( рис. VII.11, в) состоит из трех полей - ( КС1) 2, ( LiB02) 2 и поля двойного соединения, сливающихся в тройной эвтектической точке 510 С, имеющей состав: 2 % ( LiB02) 2, 84 % Dx и 14 % ( К. Наибольшую площадь занимает поле стабильного компонента ( LiB02) 2, значительная часть которого покрыта расслоением. Поле соединения Dx занимает незначительную площадь. [25]
Выделим на поверхности кристаллизации площадку dS, достаточно малую для того, чтобы считать все ее точки равноудаленными в отношении диффузионного подвода вещества из раствора. [26]
Большая часть поверхности кристаллизации покрыта расслоением. [27]
Взаимная система образует одну поверхность кристаллизации с минимумом, смещенным к боковой стороне. Вблизи стороны CsCl-Csl при 501 С наблюдается распад непрерывных твердых растворов на два тройных ограниченных твердых раствора. [28]
По результатам эксперимента построена поверхность кристаллизации компонентов и разграничены поля кристаллизации двух соединений, определены состав и температура тройных нонвариантных точек. [29]
Этот график показывает углубление поверхности кристаллизации внутрь тела с течением времени. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5