Поверхность - кристаллизация
Cтраница 4
Во-вторых, область, занятая жидкой фазой, считалась ограниченной с одной стороны поверхностью кристаллизации х у ( t), а в другую сторону эта область простиралась до бесконечности. [46]
Этот процесс определяется так называемым кристаллизационным напором, а также скоростью подвода веществ к поверхности кристаллизации. [48]
 |
Проекция диаграммы состояния системы с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии на плоскость концентрационного треугольника ( 85. [49] |
Определение структуры сплава, образующейся в результате кристаллизации, следует производить исходя из рассмотрения поверхностей кристаллизации, которые пересекает фигуративная точка сплава при его охлаждении. [50]
При двух степенях свободы ( температура и концентрация одного из компонентов или концентрации двух компонентов) в системе появляются поверхности кристаллизации, при перемещении по которым кристаллизуется одно вещество. [51]
В [6] показано, что при выращивании монокристаллов с вращением в асимметричном тепловом ноле скорость роста в каждой точке поверхности кристаллизации изменяется по синусоидальному закону. При этом возможны случаи, когда рост в отдельных частях поверхности кристаллизации прекращается или даже наступает оплавление уже закристаллизовавшегося материала. [53]
Процесс зародышеобразования, как известно, зависит от температуры роста, скорости поступления атомов ( молекул), обеспечивающих рост кристалла, от степени дефектности поверхности кристаллизации и присутствия примесных атомов на ней. При снижении температуры повышается вероятность зародышеобразования: сокращается критический размер-зародышей. В том же направлении влияет и увеличение количества примесных атомов на поверхности кристаллизации, а также повышение ее дефектности. При уменьшении скорости поступления атомов на поверхность понижается вероятность зародышеобразования и увеличивается критический размер зародышей. К такому же выводу пришел Кикучи [7], изучавший влияние величины потока атомов на процесс зародышеобразования. [54]
 |
Изотермическая диаграмма растворимости двух одноионных солей В и С в воде при условии кристаллизации их в безводной форме. [55] |
На плоскостях получаем проекции политермических кривых CsCiO0 и ЬзЬоО0 растворимости солей С и В ( точки GI и Ь0 - крио-гидратные) и проекции политермической эвтонической кривой ЬЬ-Последняя разграничивает на диаграмме поверхности кристаллизации каждого из компонентов. [56]
 |
Структура поверхности пленок кремния толщиной 25 - 800 мк, выросших при закрытом иодидном процессе на плоскостях ( 111 и ( ЮО подложки ( X 200. а ( Н1. б ( 100. [57] |
Причины неодинаковой эпитаксиальной температуры в разных работах понятны, ибо при оптимальных условиях роста монокристальные слои образуются при тем более низкой температуре, чем чище подложка и используемые химические вещества и чем совершеннее поверхность кристаллизации. [58]
 |
Кривая плавления ( 1 и кривая кристаллизации ( 2 антипирина, содержащего 0 1 мол. % ацетанилида. [59] |
Влияние увеличения содержания примесей на границе кристаллизации и целого ряда других факторов при сравнении кристаллизации высокочистых образцов и образцов меньшей степени чистоты по большей мере компенсируется, так что различие в их поведении при кристаллизации определяется различием в поверхности кристаллизации. Доказательством этого является исчезновение аномалий, когда кристаллизация высокочистого вещества производится после добавления к нему мелких частичек стекла [ ИЗ, 151 ], играющих роль центров кристаллизации и увеличивающих тем самым скорость кристаллизации. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5