Cтраница 2
Плоскостные р-и-пергходы для полупроводниковых диодов получают методами сплавления, диффузии и эпитаксии. На рис. 3.1, а-показаны основные элементы полупроводникового германиевого диода, изготовленного методом сплавления. Для изготовления такого диода на пластинку германия я-типа накладывается таблетка индия. В процессе последующей термической обработки таблетка расплавляется и растворяет прилегающую к ней поверхность пластинки германия. [16]