Cтраница 2
Интересно, что граница, разбивающая молекулу на наилучшие лоджии, имитирует и выделяет эти основные особенности рассматриваемых систем. Часть границы, отделяющая лучшую лоджию остова, отражает изгиб исходного параболоида поверхности нулевого потока - картина, типичная для систем с переносом заряда А - Н или А - В. Диффузная несвязывающая плотность в ( А) простирается к связывающей области и приводит к обращению кривизны внешних рукавов поверхности нулевого потока. В отсутствие несвязывающей электронной плотности в ( А) поверхность сохраняет форму параболоида, как в случае LiH или LiH. Положение этой части поверхности нулевого потока в свою очередь почти соответствует радиальным рукавам наилучшей валентной лоджии, граница которой, по-видимому, определяет внешний предел поверхности нулевого потока. Отметим, что в случае распределений электронной плотности в основных состояниях ВеН и ВН радиальные ветви поверхности, определяющие границы между несвязывающей и связывающей лоджиями, следуют желобам в зарядовом распределении и тем же самым желобам следует вектор Vp ( r) во внешних областях зарядового распределения. [16]
Таким образом, остовная лоджия почти целиком находится в этих фрагментах и не пересекается с поверхностью нулевого потока. [17]
В тех случаях, когда поверхности нулевого потока выделяют фрагменты, которые соответствуют электронным парам остова или валентной связи, метод вириального разбиения приводит к наилучшему разграничению систем, как это имеет место, например, для молекул LiH и LiH. В таких случаях метод вириального разбиения приводит к атомным фрагментам, для которых нельзя построить поверхность нулевого потока, изолирующую внутренний остов атома. Для полноты изложения мы приведем эти наилучшие лоджии для ВеН и ВН, однако сравнение вири-альной теории и теории лоджий можно будет провести лишь после того, как будет рассмотрено разбиение плотности валентных электронов. [18]
Интересно, что граница, разбивающая молекулу на наилучшие лоджии, имитирует и выделяет эти основные особенности рассматриваемых систем. Часть границы, отделяющая лучшую лоджию остова, отражает изгиб исходного параболоида поверхности нулевого потока - картина, типичная для систем с переносом заряда А - Н или А - В. Диффузная несвязывающая плотность в ( А) простирается к связывающей области и приводит к обращению кривизны внешних рукавов поверхности нулевого потока. В отсутствие несвязывающей электронной плотности в ( А) поверхность сохраняет форму параболоида, как в случае LiH или LiH. Положение этой части поверхности нулевого потока в свою очередь почти соответствует радиальным рукавам наилучшей валентной лоджии, граница которой, по-видимому, определяет внешний предел поверхности нулевого потока. Отметим, что в случае распределений электронной плотности в основных состояниях ВеН и ВН радиальные ветви поверхности, определяющие границы между несвязывающей и связывающей лоджиями, следуют желобам в зарядовом распределении и тем же самым желобам следует вектор Vp ( r) во внешних областях зарядового распределения. [19]
Сопоставлены свойства фрагментов молекулярных систем, описываемых методом разбиения на лоджии и методом вириального разбиения. В случае молекул LiH ( X2S) и LiHfX1), для которых локализация зарядовой плотности четко определяется глубоким минимумом между фрагментами, вириальные фрагменты являются наилучшими лоджиями. Распределение электронной плотности молекул ВеН, ВН и ВеН2 в основном состоянии характеризуется менее ярко выраженным минимумом р ( г) на поверхности нулевого потока, а вириальные фрагменты являются хорошим приближением к наилучшим лоджиям. Вириальные фрагменты в ВеН ( Х 2) и ВеН ( А2Пг) - плохое приближение к наилучшим лоджиям, поскольку ярко выраженный минимум р ( г) на поверхности нулевого потока отсутствует. Валентная плотность в молекуле ВеН ( А2Пг) фактически не разделяется на лоджии, и смешанная информационная функция минимизируется только для лоджий, содержащих три валентных электрона. [20]
В случае LiH и LiH, где локализация электронной плотности определяется наличием глубокого минимума между фрагментами, вириальные фрагменты являются также наилучшими лоджиями. Распределение электронной плотности в основных состояниях молекул ВеН, ВН и ВеН2 характеризуется менее ярко выраженным минимумом р ( г), и вириальные фрагменты являются весьма близкой аппроксимацией наилучших лоджий. Вириальные фрагменты для таких систем являются плохим приближением к наилучшим лоджиям. Однако ни в одном из случаев границы поверхности нулевого потока вириальных фрагментов не скрещиваются и не пересекаются с границами наилучших лоджий. Таким образом, поверхности нулевого потока всегда определяют возможное предельное положение для границ наилучших лоджий. [21]
Сопоставлены свойства фрагментов молекулярных систем, описываемых методом разбиения на лоджии и методом вириального разбиения. В случае молекул LiH ( X2S) и LiHfX1), для которых локализация зарядовой плотности четко определяется глубоким минимумом между фрагментами, вириальные фрагменты являются наилучшими лоджиями. Распределение электронной плотности молекул ВеН, ВН и ВеН2 в основном состоянии характеризуется менее ярко выраженным минимумом р ( г) на поверхности нулевого потока, а вириальные фрагменты являются хорошим приближением к наилучшим лоджиям. Вириальные фрагменты в ВеН ( Х 2) и ВеН ( А2Пг) - плохое приближение к наилучшим лоджиям, поскольку ярко выраженный минимум р ( г) на поверхности нулевого потока отсутствует. Валентная плотность в молекуле ВеН ( А2Пг) фактически не разделяется на лоджии, и смешанная информационная функция минимизируется только для лоджий, содержащих три валентных электрона. [22]
В случае LiH и LiH, где локализация электронной плотности определяется наличием глубокого минимума между фрагментами, вириальные фрагменты являются также наилучшими лоджиями. Распределение электронной плотности в основных состояниях молекул ВеН, ВН и ВеН2 характеризуется менее ярко выраженным минимумом р ( г), и вириальные фрагменты являются весьма близкой аппроксимацией наилучших лоджий. Вириальные фрагменты для таких систем являются плохим приближением к наилучшим лоджиям. Однако ни в одном из случаев границы поверхности нулевого потока вириальных фрагментов не скрещиваются и не пересекаются с границами наилучших лоджий. Таким образом, поверхности нулевого потока всегда определяют возможное предельное положение для границ наилучших лоджий. [23]
Интересно, что граница, разбивающая молекулу на наилучшие лоджии, имитирует и выделяет эти основные особенности рассматриваемых систем. Часть границы, отделяющая лучшую лоджию остова, отражает изгиб исходного параболоида поверхности нулевого потока - картина, типичная для систем с переносом заряда А - Н или А - В. Диффузная несвязывающая плотность в ( А) простирается к связывающей области и приводит к обращению кривизны внешних рукавов поверхности нулевого потока. В отсутствие несвязывающей электронной плотности в ( А) поверхность сохраняет форму параболоида, как в случае LiH или LiH. Положение этой части поверхности нулевого потока в свою очередь почти соответствует радиальным рукавам наилучшей валентной лоджии, граница которой, по-видимому, определяет внешний предел поверхности нулевого потока. Отметим, что в случае распределений электронной плотности в основных состояниях ВеН и ВН радиальные ветви поверхности, определяющие границы между несвязывающей и связывающей лоджиями, следуют желобам в зарядовом распределении и тем же самым желобам следует вектор Vp ( r) во внешних областях зарядового распределения. [24]
Значения рт для LiH и LiH минимальны для рассмотренного ряда систем. В таких молекулах, как N2, величина рт достигает 0 722 а. В той степени, в которой р ( г) приближается к нулю на разделяющей поверхности, свойства фрагментов приближаются к таковым для идеально локализованной ( изолированной) системы. Флуктуации N и всех свойств в этом случае были бы равны нулю, и, как будет показано ниже. Фрагменты ( Li) и ( Н) этих систем являются хорошей иллюстрацией физического смысла выбора поверхности нулевого потока для определения границ фрагмента. [25]
Интересно, что граница, разбивающая молекулу на наилучшие лоджии, имитирует и выделяет эти основные особенности рассматриваемых систем. Часть границы, отделяющая лучшую лоджию остова, отражает изгиб исходного параболоида поверхности нулевого потока - картина, типичная для систем с переносом заряда А - Н или А - В. Диффузная несвязывающая плотность в ( А) простирается к связывающей области и приводит к обращению кривизны внешних рукавов поверхности нулевого потока. В отсутствие несвязывающей электронной плотности в ( А) поверхность сохраняет форму параболоида, как в случае LiH или LiH. Положение этой части поверхности нулевого потока в свою очередь почти соответствует радиальным рукавам наилучшей валентной лоджии, граница которой, по-видимому, определяет внешний предел поверхности нулевого потока. Отметим, что в случае распределений электронной плотности в основных состояниях ВеН и ВН радиальные ветви поверхности, определяющие границы между несвязывающей и связывающей лоджиями, следуют желобам в зарядовом распределении и тем же самым желобам следует вектор Vp ( r) во внешних областях зарядового распределения. [26]