Поверхность - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Поверхность полупроводникового прибора, прилегающая к радиатору, а также прилегающие друг к другу горизонтальные части радиатора по рис. 38 - 16 6 покрывать слоем вязкого невысыхающего минерального масла ( рекомендуется веретенное масло), которое заполняет возможные воздушные зазоры между металлическими частями, улучшая передачу тепла от транзистора к радиатору и в окружающую атмосферу. [1]
Стеклообразная пленка на поверхности полупроводниковых приборов может быть получена при реакции четыреххлористого кремния и озона в условиях электрического разряда или в условиях ультрафиолетового освещения поверхности кремниевого образца. [2]
 |
Влияние воды и кислорода на основные параметры транзисторных структур. [3] |
Рассмотрим методы стабилизации и защиты поверхности полупроводниковых приборов, уделяя большее внимание защите оксидными и нитридными пленками кремниевых приборов, а также структурные особенности и основные свойства защитных покрытий. [4]
 |
Схема измерения коэффициента шума транзисторов. [5] |
Низкочастотные составляющие шума чувствительны к состоянию поверхности полупроводникового прибора. [6]
Установлено, таким образом, что гидрофобные соединения кремния защищают поверхность полупроводниковых приборов не только от влаги, но и от действия кислорода. Было замечено также снижение скорости поверхностной рекомбинации в результате обработки полупроводника силанами приведенным выше способом. [7]
Одной из важнейших задач химической обработки является удаление загрязнений с поверхности полупроводниковых приборов, так как, находясь вблизи электронно-дырочного перехода, эти загрязнения оказывают большое влияние на электрические характеристики приборов и их стабильность по времени. [8]
Разработано большое число технологических приемов, преследующих цель снизить интенсивность электрического поля на поверхности полупроводникового прибора. Эти приемы создают граничные условия, которые снижают интенсивность поля и в местах искривления перехода, и там, где переход выходит на поверхность. [9]
Описывается способ получения бутилметакрилата особой чистоты, являющегося основным компонентом компаунда МБК, применяющегося для защиты поверхностей полупроводниковых приборов. [10]
 |
Зависимость напряжения Uкбт термоустойчивости ( л. макс транзисторов при / э 0. [11] |
В реальных транзисторах в ряде случаев при нормальных температурах будут отклонения от экспоненциального закона / ко ( А) связанные с явлениями на поверхности полупроводникового прибора. [12]
Анодирование полупроводников играет важную роль в производстве приборов и применяется для очерчивания границ структуры и областей расположения р - n - переходов, пассивации поверхности полупроводниковых приборов и создания оксидных пленок для приборов со структурой металл - оксид - полупроводник. Анодирование Ge [156] и Si [157, 158] проводят для получения оксидов этих веществ. [13]
Практически получение окисных пленок на поверхности кремния с целью уменьшения отражения инфракрасного излучения ограничивается областью с А - СЗ-4 мкм, вследствие трудности получения равномерных пленок толщиной 1 мкм. Разработке метода пассивирования поверхности полупроводниковых приборов из кремния и германия уделяется в настоящее время большое внимание. Появление большого числа публикаций за сравнительно короткий промежуток времени свидетельствует о проведении разносторонних систематических исследований. В них говорится о значительных трудностях выполнения задач, направленных на стабилизацию свойств полупроводниковых приборов. [14]
Составы травителей, способы защиты металлических деталей при травлении, а также необходимые операции контроля рассмотрены в гл. Там же описаны методы предохранения поверхности полупроводниковых приборов от воздействия внешней среды. [15]
Страницы: 1 2