Поверхность - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
 |
Конструкции теплоотводов для корпуса ТО-5. [16] |
Упругая конструкция в сочетании с точным изготовлением обеспечивает требуемый тепловой контакт между теплоотводом и корпусом полупроводникового прибора. Контактный контур теплоотвода составляет примерно 75 % от площади поверхности полупроводникового прибора. [17]
 |
Виды поверхностных слоев в полупроводниках п - и р-типов.| Энергетическая диаграмма ( о и распределение зарядов ( б н поверхностном слое полупроводника при наличии поверхностных состояний. [18] |
Быстрые состояния в основном определяют генерацию и рекомбинацию носителей заряда на поверхности, изменяя поверхностную проводимость и оказывая сильное влияние на параметры полупроводниковых приборов. Медленные состояния на поверхности окисной пленки используются для защиты и стабилизации поверхности полупроводниковых приборов, поскольку заряд на этих уровнях экранирует прибор и, закрепляя уровень Ферми, обеспечивает стабильную величину поверхностного потенциала полупроводника. [19]
В книге изложены основные принципы изготовления наиболее распространенных типов полупроводниковых приборов различного устройства и назначения: точечно-контактных, сплавных, плоскостных, диффузионных. Описаны методы изготовления электронно-дырочных переходов, методы изготовления и осуществления контактов с германием и кремнием; герметизация и защита поверхности полупроводниковых приборов. [20]
Поэтому для быстроты нанесения пленки и предотвращения нежелательных химических реакций распыление следует проводить в аргоне. В частности, катодное распыление позволяет получать оксидные пленки легко окисляющихся металлов, таких, как олово, сурьма, висмут и другие, которые вступают в реакцию с поступающим в установку кислородом и осаждаются на подложку в виде окисей. Для создания на поверхности полупроводниковых приборов одновременно нескольких контактных площадок, чередующихся по виду напыляемого материала ( например, золота и алюминия), можно производить напыление из двух раздельных источников, каждый из которых содержит какой-либо один из указанных материалов. Напыление осуществляется через металлическую маску с двумя окнами в каждом элементе, расположенную на некотором расстоянии от поверхности пластины. Расстояние между площадками определяется угловым смещением источников, соотношением расстояний маски от источника и от пластины и расстоянием между окнами на маске. [21]
С другой стороны, если первоначально канал отсутствует, то на поверхности могут накапливаться различные типы подвижных ионов, которые обусловливают создание слоя объемного заряда сразу после приложения обратного смещения. Если этот слой становится достаточно толстым, то он ускоряет образование канала и увеличивает проводимость германия вблизи поверхности. Эти сложности, связанные еще с проблемой определения оптимальной степей окисления поверхности, ясно показывают, почему понимание электрических явлений на поверхности полупроводниковых приборов в настоящее время, по-видимому, представляет собой наиболее важную проблему, решение которой необходимо для производства надежных и стабильных приборов. [22]
Быстрое развитие микроэлектроники приводит к необходимости разработки новых и совершенствования существующих технологических процессов производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. При подготовке специалистов в области полупроводниковой технологии главное внимание прежде всего следует уделять анализу основных, наиболее существенных классов технологических процессов, которые являются общими в производстве различных типов полупроводниковых приборов и микросхем. К таким процессам относятся механическая, механо-химическая, физическая, химическая, электрохимическая и фотохимическая обработка поверхности полупроводников, формирование электронно-дырочных структур ( эпитаксия, диффузия, ионная имплантация), методы создания омических контактов к приборам, защита поверхности полупроводниковых приборов и стабилизация ее свойств. Именно такой принцип и положен в основу построения настоящего пособия. [23]
На исследуемую поверхность наносится суспензия порошка люминофора в этиловом спирте. После высыхания остается тонкий и однородный слой порошка. В случае необходимости слой легко удаляется мягкой кистью. Для количественных и длительных исследований в качестве связующего вещества используется лак МБК. С его помощью создаются более тонкие и прочные слои люминофора. Кроме того, лак уменьшает воздействие внешней среды на поверхность полупроводникового прибора. [25]
Страницы: 1 2