Поверхность - тип
Cтраница 1
Поверхность типа ( а) рассматривается далее совместно с рассеченными и волнистыми пластинчато-ребристыми поверхностями. [1]
Диабатшеская поверхность типа без связи или локального возбуждения является отталкивательной. Увеличение энергии такой диабатической поверхности с понижением межмолекулярного расстояния описывается соответствующей стерической функцией. [2]
Поверхность типа I при фиксированном у параметризуется парой точек х в ортогональной плоскости. Рассмотрим х как комплексную переменную в этой плоскости. Фиксируя аргумент комплексной переменной, мы получаем геодезическую, проходящую через начало координат. Ясно, что, двигаясь вдоль этой геодезической, мы переходим от пары точек х ( при 0) к паре ix ( при - ) Этим объясняется рассеяние на 90 при прямом соударении. [3]
Для поверхности типа КЗ над конечным полем верна гипотеза Римана. [4]
На поверхности типа КЗ не существует отличных от 0 регулярных векторных полей. [5]
 |
Структурограмма метода покоординатного спуска. [6] |
Поскольку поверхности типа оврага встречаются в инженерной практике, то при использовании метода покоординатного спуска следует убедиться, что решаемая задача не имеет этого недостатка. [7]
На поверхности X типа КЗ не существует регулярных векторных полей, кроме нулевого. [8]
Сложность поверхности типа КЗ измеряется рангом р ее группы Sx - Известно, что всегда 1 р 20, и поверхности с р 20 называются сингулярными. [9]
Автоморфизм поверхности X типа КЗ, который тривиально действует на группе Я2 ( Л, Z), является единичным. [10]
Если на поверхности X типа КЗ имеется ненулевое регулярное векторное поле, то X является эллиптической или квазиэллиптической поверхностью. [11]
Если на поверхности X типа КЗ существует квазиэллиптический пучок, то на ней существует и эллиптический пучок. [12]
Если на поверхности X типа КЗ существует ненулевое регулярное векторное поле D, то X элементарна. [13]
Группа автоморфизмов поверхности X типа КЗ совпадает с группой тех автоморфизмов эвклидовой решетки Нх, которые сохраняют множество эффективных циклов и умножают на комплексное число линейную форму тг на Нх, определяющую периоды. [14]
Концентрация центров поверхности любого i-того типа постоянна в течение химического процесса. Поскольку количество адсорбционных центров на единице поверхности зависит от свойств и структуры поверхности, это допущение эквивалентно предположению о том, что энергетические свойства поверхности не изменяются с течением реакции. [15]
Страницы: 1 2 3 4