Cтраница 1
Поверхности уровня потенциала и ( М) называются эквипотенциальными поверхностями. В рассмотренных примерах эквипотенциальными поверхностями являются сферы с центром в начале координат. [1]
Поверхности пучка при п 3. [2] |
Все поверхности уровня потенциала во внешней области являются эллипсоидами, конфокальными друг другу. [3]
Поверхности уровня потенциала ( пунктирные линии и линии напряженности ( сплошные линии точечного заряда.| Поверхности уровня потенциала бесконечной заряженной плоскости. [4] |
Расположение поверхностей уровня потенциала часто бывает возможно определить из соображений симметрии, не пользуясь аналитическим выражением потенциала, на том основании, что работа перемещения заряда по поверхности уровня равна нулю. [5]
Поверхности уровня потенциала ( пунктирные линии и линии напряженности ( сплошные линии точечного заряда.| Поверхности уровня потенциала бесконечной заряженной плоскости. [6] |
Отсюда заключаем, что поверхности уровня потенциала будут и в этом случае сферами, концентрическими с заряженной сферой. [7]
Выражение устойчивости (7.37) означает выпуклость поверхностей уровня потенциала яр const - свойство, играющее в поведении конструкций фундаментальную роль. На рис. 7.7, а в качестве иллюстрации показаны линии уровня - ф const на плоскости ( двумерном пространстве) г, удовлетворяющие условию устойчивости (7.37), а на рис. 7.7 6 -не удовлетворяющие. [8]
Очевидно, что работа перемещения заряда по поверхности уровня потенциала равна нулю. [9]
Равным значениям потенциала скоростей в различных точках пространства соответствуют поверхности уровня потенциала или изопотен-циальные поверхности. [10]
Равным значениям потенциала скоростей в различных точках пространства соответствуют поверхности уровня потенциала или изопотенциальные поверхности. [11]
Нормаль п к двум близким уровням потенциала. [12] |
Возьмем произвольное электростатическое поле и проведем в нем две близкие поверхности уровня потенциала. [13]
Во всех рассмотренных нами частных случаях вектор напряженности перпендикулярен к поверхности уровня потенциала. [15]