Облучаемая поверхность

Cтраница 2

Рассмотрим случай обдувки облучаемой поверхности влажного материала холодным воздухом. [16]

В случае черной облучаемой поверхности оно равно средней плотности энергии в падающей волне, в случае зеркально отражающей поверхности оно должно быть в два раза больше, поскольку отраженная волна уносит тот же по абсолютной величине импульс, но противоположного знака. Эту ситуацию мы рассмотрим подробнее, не ограничиваясь случаем нормального падения. [17]

Для лучшего поглощения облучаемой поверхностью излучаемые лампой лучи необходимо направить перпендикулярно к этой поверхности. С этой целью применяют отражатели - рефлекторы, обычно параболического сечения, в фокусе которого помещается нить ламп. [18]

Измерения нестационарных температур на облучаемой поверхности при иипульсном нагреве, наряду с непосредственным использованием их результатов, позволяют получать временные функции безразмерных температур, зависящие от характеристик облучения и лучистого нагрева, а также служат основой для вычисления значений плотности теплового потока на облучаемой поверхности и могут применяться для определения значений количества облучения и облученности. [19]

Импульс ускоряющего напряжения и ионного тока. [20]

Координата х отсчитывается от облучаемой поверхности вглубь вещества. [21]

Энергетическая освещенность на всей облучаемой поверхности равномерная. [22]

Я оказываются в плоскости облучаемой поверхности. [23]

Для каждой экспозиции размер облучаемой поверхности надо выбирать так, чтобы толщина материала по концам облучаемого участка, замеренная в направлении пучка лучей, не превышала номинальную толщину в этой точке более чем на 10 % для класса А, 6 % - для класса В и 10 % - для класса С. Увеличение расстояния от источника до пленки позволяет применять пленки более значительных размеров. [24]

Следует определить максимальную температуру облучаемой поверхности и ее температуру через т 15 мин. [25]

Плотность теплового потока на облучаемой поверхности может являться функцией координаты Z или совсем не зависеть от координат. [26]

Путем Модификации условий на облучаемой поверхности мишени можно значительно повысить амплитуду волны сжатия. [27]

Поместим в поле излучения облучаемую поверхность Fk. [28]

Это особенно заметно при наблюдении облучаемой поверхности при 300 К, когда компоненты излучения легко различимы визуально. Вид спектрального распределения излучения указывает на сильное поглощение коротковолнового излучения. Исследование спектров кристаллов CdP2 при регистрации излучения под углом 90 к возбуждаемой поверхности показало, что длинноволновое излучение очень слабо поглощается кристаллом и, вероятно, обусловлено присутствием примеси. [29]

Амплитуда давления ( Мбар во фронте ударной волны в различные моменты времени для различных плотностей тока протонного. [30]

Страницы: 1 2 3 4