Облучаемая поверхность

Cтраница 3

Глубина кратера, образующегося на облучаемой поверхности, не достигает указанных в табл. 4.3 значений. Скорость движения границы раздела фаз в процессе взаимодействия пучка с алюминием не превышает 8 - Ю5 см / с, имея наибольшие значения в первые 20 не после начала взаимодействия и затем уменьшаясь. Таким образом, фронт ударной волны значительно опережает фронт плавления и испарения, движущийся в том же направлении. [31]

Профиль линии на рентгенограмме. г, г. [32]

Таким образом, увеличение размеров облучаемой поверхности плоского шлифа при большой расходимости первичного пучка ( больших Р) приводит к размытию линии. [33]

Терморадиациоиные сушилки. [34]

Если плотность лучистого потока по облучаемой поверхности материала Fa м2 составляет Е Вт / м2, а коэффициент поглощения лучистой тепловой энергии равен А, то за время di материал поглотит количество тепла, равное AEFfdf. Это количество тепла расходуется иа нагревание материала, испарение влаги и компенсацию потерь. [35]

К - катод, ФК - фокусирующая катушка, ОК - от-клиншощая катуишл, ТТ - электронный лучок, М - мишень, Об - объектив, О - кредаоаемый объект.| Эквива-ви - лентная схема вид-икона, СИ - сигнальная пластина. [36]

Пучок относительно медленных электронов заряжает облучаемую поверхность до потенциала катода, СП имеет более положит, потенциал. После ухода пучка емкость разряжается теп в большей степени, чем выше освещенность соответствующего элемента. [37]

Всякая частица в среде или выступ облучаемой поверхности становится источником образования микропотоков в непосредственной близости от них. С удалением от места образования они быстро гаснут, а в непосредственной близости создают своеобразные условия. Облучаемая поверхность, как правило, покрывается не исчезающими длительное время пузырьками. Эти пузырьки, как и жесткие сферы, являются источниками микропотоков. В настоящее время поведение этих пузырьков изучено достаточно полно. [38]

Наиболее опасен в отношении повышения температуры облучаемой поверхности период, когда испарение прекращается. [39]

Отношение числа фотоэлектронов, вышедших из облучаемой поверхности, к числу поглощенных за то же время фотонов называется квантовым выходом ( квантовой чувствительностью) фотоэффекта. Соответствующее отношение суммарных энергий фотоэлектронов и фотонов называется энергетическим выходом фотоэффекта. [40]

Оценка относительных погрешностей определения избыточных температур облучаемой поверхности калориметра, вызванных теплоотдачей и другими суакторами, производится, согласно методике, изложенной выше ( см. § 5.7), применительно к модели подуогранйчекного тела. [41]

SN - квантовые выходы и площади облучаемых поверхностей N квантовых счетчиков, которые необязательно должны быть различными. Очевидно, что измерения с помощью квантовых счетчиков соответствуют антинормально упорядоченным корреляционным функциям, так же, как измерения с помощью фотоэлектрических детекторов соответствуют нормально упорядоченным функциям. Значимость последних, по сравнению с первыми, является наглядным отражением факта большего использования фотодетекторов. [42]

Зависимость времени и температуры высыхающего покрытия от толщины металла в условиях терморадиационной сушки. [43]

Эффективность теплового воздействия инфракрасных лучей на облучаемую поверхность зависит от следующих основных условий: а) мощности источников облучения, б) равномерности распределения лучей по поверхности, в) расстояния между поверхностью и источником облучения, г) характера облучаемой поверхности. [44]

Погрешности определения значений плотности теплового потока из облучаемой поверхности, зависящие от наличия контактного слоя, оцениваются косвенно путем сравнения избыточных температур, фактически измеренных & ( о 1) и теоретически рассчитанных для поверхности полуограниченного тела о ез контактного слоя ( o t) в идентичных условиях облучения. [45]

Страницы: 1 2 3 4