Кристаллическая поверхность

Cтраница 1

Кристаллическая поверхность обладает высокой адсорбционной способностью, особенно при поглощении полярных молекул. Адсорбционная способность ее значительно больше, чем обычных аморфных поглотителей. Эта высокая адсорбционная способность проявляется и при малых парциальных давлениях водяных паров в газе и высоких температурах. [1]

Схема структуры поверхно-сти полированного металла. [2]

Кристаллическая поверхность твердого тела неоднородна. На ней всегда имеются микроскопические участки, занятые химически активными группами атомов; и так называемые поверхностные активные центры, служащие центрами адсорбции. Одной из причин их появления может служить выход разных кристаллических плоскостей на поверхность. Роль такого центра может играть также поверхностный атом основной кристаллической решетки со свободной связью. Появление активных центров может быть связано с неустранимыми дефектами поверхности, например с местом выхода на поверхность дислокаций, где кристаллическая решетка сильно возмущена и где в результате этого возникают очень активные поверхностные атомы. Причиной неоднородности поверхности могут стать способ и характер предварительной ее обработки, приводящей к образованию на монокристаллах ступеней, уступов, широких террас и других подобных дефектов, а также микроскопические примеси постороннего вещества, загрязняющего поверхность. [3]

Реакции кристаллических поверхностей с газообразными компонентами могут быть весьма разнообразными в соответствии с особенностями конкретной системы. Из всего многообразия возможных реакций возьмем несколько примеров, которые позволяют рассмотреть связи между скоростью реакции и реальной структурой. При реакции поверхности кристалла с газообразным компонентом, как и при растворении кристалла, поверхность подвергается воздействию неравномерно. Реакция начинается преимущественно на местах поверхности с более высоким уровнем энергии. [4]

Процесс кристаллической поверхности, адсорбции характеризуется коэффициентом термической аккомодации ат. [5]

Рост неповрежденной кристаллической поверхности будет ограничен макромолекулярной решеткой с гранью а. Призмы льда с площадью поверхности а2 будут развиваться из точек Л и Л1, причем они могут объединиться в один кристалл, который растет дальше до момента встречи с новыми макромолекуляр-ными цепями. [6]

На кристаллических поверхностях имеются возвышения и впадины высотой в десятки и сотни нм. Так, при трении стекла по стали локальная температура поднимается до 1200 С ( по данным ИК-спектроскопии излучаемого при трении света); происходит горячая сварка, пропахивание материала, появление волнистости. Контакт осуществляется в отдельных точках, откуда пленка выдавливается ( рис. VII.16, а), в окружающих зонах пленка сжимается, ориентация нарушается ( рис. VII.16, б), и значение ц, может несколько возрастать с увеличением нагрузки. [7]

Итак, кристаллическая поверхность металла-катализатора состоит из совокупности атомов, обладающих одной свободной валентностью, и совокупности двухвалентных атомов. [8]

Однако рост кристаллической поверхности при обязательном возникновении центра кристаллизации за счет диффузии вещества из граничного слоя не оправдался на практике: реальные кристаллы растут во много раз быстрее, чем это может быть разрешено классическим представлением о росте кристалла. [9]

Изменение состояния кристаллических поверхностей может быть также изучено методом дифракции медленных электронов. Зурман и Хайдук [27] нашли, что дифракционные максимумы, полученные от граней пирита и галенита, исчезают при длительной бомбардировке этих граней медленными электронами, а затем спустя некоторое время вновь появляются. Метод дифракции весьма чувствителен к очень малым изменениям строения кристаллических поверхностей, однако его практическое использование встречает большие трудности, и какие-либо другие применения этого метода до сих пор неизвестны. [10]

Отдельные участки кристаллической поверхности, К этому случаю катализа также применима теория Баландина с учетом энергетических поправок на влияние энергетической неоднородности поверхности катализатора, а также ( частично) теория пересыщения Рогинского. [11]

Наличие же развитой кристаллической поверхности в аппарате уменьшает вероятность образования инкрустаций; продолжительность работы кристаллизатора между промывками может составлять от одного месяца и более. Увеличение концентрации кристаллов в суспензии целесообразно лишь до определенного предела ( 20 - 30 масс. %), после чего возрастает механическое истирание кристаллов, для уменьшения которого скорость движения суспензии в трубе 5 не должна превышать 1 0 - 1 5 м / сек. [12]

Вакуум-кристаллизатор с мешалкой и классифицирующей выгрузкой кристаллов. [13]

Каталитическая активность кристаллической поверхности данного вещества зависит от состояния этой поверхности, присутствия на ней активных мест. Это позволяет считать, что наличие на поверхности роста активных мест может обеспечивать локальный сдвиг равновесия в ту или иную сторону. Такой же локальный сдвиг равновесия реакции может происходить при изменениях концентрации реагентов в слое газовой фазы, примыкающем к поверхности роста. [15]

Страницы: 1 2 3 4