Кристаллическая поверхность

Cтраница 3

Фигуры пробоя могут образовываться на произвольных кристаллических поверхностях, но лишь в отдельных случаях имеется связь между ними и направлениями пробоя в объеме кристалла. Кроме того, по-видимому, не требуется, чтобы симметрия поверхностной фигуры была такой же, как симметрия поверхности или объема кристалла; это доказывается наличием аномальных поверхностных фигур на арагоните ГЛ. [31]

Эпкональпая модель отражения атома газа от кристаллической поверхности, Вестник ЛГУ, № 19, 69 - 72, ( 1974); Индикатриса рассеяния атома газа на кристаллической поверхности в эйкональном приближении, в кн. Аэродинамика разреженных газов, вып. [32]

Поверхностная свободная. [33]

Простая модель для расчета физических свойств кристаллических поверхностей получается, если допустить, что межатомными силами в кристалле являются две объемноцентральные силы. [34]

Основываясь на взглядах Брэгга относительно природы кристаллических поверхностей, Ленгмюр [40] создал новую теорию поверхностных явлений, которая не только объяснила результаты его собственных исследований в этой области, но была успешно применена в ряде других случаев и сейчас является общепризнанной. Согласно Ленгмюру, поверхность твердого тела можно рассматривать состоящей из Ns центров, с которыми могут сталкиваться молекулы из менее плотной гомогенной фазы и на которых они могут адсорбироваться. По теории межмолекулярных сил эти места отвечают минимуму энергии и расположены через определенные интервалы на всей поверхности, отражая внутреннее строение самого твердого вещества. При достижении равновесия между молекулами, адсорбированными на поверхности и находящимися в объеме, только некоторая доля 8 центров адсорбции занята адсорбированными молекулами. [35]

Значительно сложнее оказываются фактические соотношения на кристаллической поверхности, так как действительная граница перехода в какое-либо из различных положений на ней зависит также и от типа соседнего положения. [36]

Изменение концентрации рас. [37]

Скорость снятия пересыщения зависит от величины общей кристаллической поверхности. Наличие небольшого количества кристаллической подложки действует благоприятно, так как осаждение вещества осуществляется на присутствующие кристаллы, действующие как зародыши. [38]

Итак, наличие в пересыщенном растворе готовой кристаллической поверхности является самостоятельным фактором, который способствует увеличению скорости образования зародышей в тем большей степени, чем интенсивней движение раствора относительно поверхности кристалла. Именно этим, очевидно, объясняется тот факт, что введение затравки в раствор с целью увеличения размера кристаллов, получаемых в процессе массовой кристаллизации, не всегда дает необходимый эффект и даже часто, видимо при усложненном составе солей [89], приводит к обратным результатам - образованию мелкокристаллического продукта. [39]

Адсорбция кислорода на грани (. 00 Ni. [40]

Из экспериментальных результатов по адсорбции на кристаллических поверхностях следует в первую очередь отметить работы Джермера [2-5] и Фансверса [6-10] с сотрудниками. [41]

Сложность процесса электрокристаллизации связана как с неоднород-люстью кристаллической поверхности, так и с образованием новой фазы. [42]

Принципиально возможны два механизма образования зародышей на кристаллической поверхности: непрерывный рост и спонтанная кристаллизация. [43]

Сложность процесса электрокристаллизации связана как с неоднородностью кристаллической поверхности, так и с образованием новой фазы. [44]

Следуя Сосновскому, допустим, что на любой кристаллической поверхности серебра имеется два типа активных центров: один с более низкой энергией активации EI, типичный для изолированной дислокации, и второй с более высокой энергией активации Ez, характерный для новых дислокаций, скапливающихся у границ. [45]

Страницы: 1 2 3 4