Базисная поверхность

Cтраница 3

Обработку станин токарных, продольно-фрезерных, продольно-строгальных, расточных и других станков средних размеров обычно начинают с основания - базисной поверхности. В этой первой операции заготовку станины устанавливают по черным ( необработанным) поверхностям направляющих, которые в данном случае являются технологическими установочными базами. Это позволяет в следующей операции снимать с направляющих слой металла небольшой толщины, обеспечивая сохранение наиболее плотного, однородного и износоустойчивого слоя металла на направляющих, подвергающихся наиболее интенсивному изнашиванию при эксплуатации станка. Установку заготовки станины в первой операции по разметке производят с помощью клиньев или домкратов в вертикальном направлении. В горизонтальном направлении обычно применяют винтовые упоры. [31]

Под номинальным размером для установления припусков на механическую обработку следует понимать наибольшее расстояние между противоположными обрабатываемыми поверхностями или расстояние от базисной поверхности или оси ( указанной в чертеже отливки или детали) до обрабатываемой поверхности. [32]

При этом было замечено, что рельеф типа булыжная мостовая возникает обычно на с-грани бездислокационных кристаллов, в то время как базисная поверхность кристаллов с дислокациями покрывается акцессориями с точечными вершинами. Тот факт, что скорость роста поверхности базиса бездислокационных кристаллов по порядку величины равна скорости роста этой поверхности для кристаллов, содержащих дислокации, свидетельствует об ином, недислокационном механизме нарастания пинакоида. Можно присоединиться к мнению К - Джексона [27], который полагает, что на пинакоидальной поверхности кварца имеет место нормальное отложение вещества ( с образованием характерного для неустойчивого фронта роста ячеистого рельефа), типичное для шероховатых граней. Подтверждение упомянутой точки зрения найдено при анализе морфологических деталей поверхности пинакоида бездислокационных кристаллов кварца. Очевидно, именно так должны проявляться неустойчивости, возникающие на протяжении всего времени роста кристалла. [33]

Поведение доменных структур при намагничивании и пере-магничивании кристаллической пластины с плоскостью поверхности 110 и с осью, лежащей в плоскости пластины и наклоненной к ее боковому ребру, вдоль которого приложено внешнее магнитное поле под углом а 55. Я, - внутреннее магнитное поле. х-кривая намагничивания, - петля гистерезиса ( данные Замковой В, А. и др.. [34]

В качестве примера на рис. 5 ( г) представлена ДС в виде сот с ЦМД в центре каждой ячейки, наблюдаемая на базисной поверхности пластины МпАЮс толщиной 50 мкм после охлаждения образца от Т Тс до комнатной темп-ры в поле 1 кЭ, параллельном ОЛН. [35]

Направляющая и упорная поверхности также могли быть сделаны в виде трех опор, но вследствие того, что угол между соприкасающимися с ними поверхностями и базисной поверхностью может быть не равен 90, одна из опор направляющей поверхности будет лишней. Упорная поверхность из-за наличия погрешности формы детали может быть заменена одной опорой. [36]

Направляющая и упорная поверхности также могли бы быть сделаны в виде трех опор, но вследствие того, что угол между соприкасающимися с ними поверхностями и базисной поверхностью может быть не равен 90, одна из опор направляющей поверхности будет лишней. Упорная поверхность из-за наличия погрешности формы детали может быть заменена одной опорой. [37]

Экономия времени на переналадках станков может быть достигнута в том случае, если в загрузку будут включены детали с наименьшим различием в отношении числа и взаиморазмещения обрабатываемых и базисных поверхностей, а также в отношении выполняемых и базисных размеров, что резко сокращает время переналадок станков. [38]

Полагая, что все эти положения равновероятны, имеем основание выразить вероятность р к первой фазы перехода детали в первое определенное устойчивое положение телесным углом, образуемым бесконечным количеством лучей, выходящих из центра тяжести детали и пересекающих все точки периметра ее к-й базисной поверхности. [39]

Должен знать: конструктивные особенности ремонтируемых особо сложных и точных приборов и способы их регулировки и юстировки; устройство точных измерительных инструментов; причины возникновения дефектов в работе приборов и автоматов, меры предупреждения и устранения их; кинематическую схему самопишущих приборов всех типов; правила ремонта, проверки и юстировки особо сложных приборов и автоматов и правила выбора базисных поверхностей, гарантирующих получение требуемой точности. [40]

При активации TiCl3 алюминийалкилами потенциально активные центры могут образоваться на различных участках поверхности кристалла [627]: 1) в местах с наиболее доступными ионами титана ( вдоль границ слоев кристалла, границ кристаллических зерен или вдоль линий дислокаций); 2) в местах нарушений кристаллической решетки ( в местах адсорбции ионов титана на поверхности, в точках поверхности с недостатком ионов хлора, в местах выхода на поверхность винтовых дислокаций); 3) на любом участке базисной поверхности. [41]

Базисную поверхность S представим в виде суммы S Si Si, где S ] соответствует участку отслоения, а 5з - участку без отслоения. [42]

Базисными поверхностями у прямолинейных черновых, заготовок могут быть только одна пласть или одна пласть и кромка. При наличии базисной пласти сначала обрабатывают одну кромку, а затем другую пласть и кромку. После этого обрезают заготовку на точную длину. [43]

Агрегация яаиелярных частиц каоаина. хЮ 000. [44]

Аморфизация исследуемых объектов при электронном облучении характерна и для органических цепных полимеров13, но не характерна для кристаллов алмаза или графита. На базисной поверхности ламели после облучения видны ямки различной формы. [45]

Страницы: 1 2 3 4