Базисная поверхность

Cтраница 4

Для учета разницы давлений в фазах вводится псевдокапиллярное давление. Выбирается некоторая базисная поверхность, к которой приводятся давления: обычно это - кровля, подошва или середина пласта. Псевдокапиллярное давление определяется для каждого значения средней насыщенности как разность давлений в соответствующих фазах на базисной поверхности. [47]

Направляющая и упорная поверхности также могли бы быть сделаны в виде трех опор, но вследствие того, что угол между соприкасающимися с ними поверхностями и Фиг. Схема установки приз - базисной поверхностью может быть магической детали. [48]

При этом создаются, кроме того, чистовые базисные поверхности на торцах, необходимые для точного расположения гнезд, отверстий по длине деталей при дальнейшей механической обработке. [49]

Следует отметить, что роль реакций на идеальных участках базисной плоскости, очевидно, и при высоких температурах не очень велика, так как одяювремеино увеличивается и число дефектов структуры также по экспоненте, на которых реакция идет вдоль плоскости решетки аналогично с краевыми атомами. Таким же образом идет реагирование на участках базисной поверхности после отрыва первого атома. [50]

При вращении кривошипа 1 кулиса 2 сообщает ползуну 8 и звену 3 возвратно-поступательное движение. Звено 3 при помощи пружины 5 прижимает изделие к базисной поверхности. [51]

Представим некоторую конструктивно-анизотропную оболочку в виде многоконтактной задачи собственно оболочки с базисной поверхностью S и подкрепляющих ее элементов ( например, узких и широких ребер, подкрепляющих слоев и др.), занимающих подобласти S иа этой поверхности. Контакт S с S осуществляется по точкам, по линиям или поверхностям. Обозначим через и, г, N матрицы-столбцы перемещений, деформаций и усилий-моментов. [52]

Ранее было показано, что использование бездислокационных затравочных пластин и специальных технологических приемов выращивания обеспечивает получение крупных практически бездислокационных пирамид с. При этом было замечено, что рельеф типа булыжная мостовая возникает обычно на с-грани бездислокационных кристаллов, в то время как базисная поверхность кристаллов с дислокациями покрывается акцессориями с точечными вершинами. Тот факт, что скорость роста поверхности базиса бездислокационных кристаллов по порядку величины равна скорости роста этой поверхности для кристаллов, содержащих дислокации, свидетельствует об ином, недислокационном механизме нарастания пинакоида. Можно присоединиться к мнению К - Джексона [27], который полагает, что на пинакоидальной поверхности кварца имеет место нормальное отложение вещества ( с образованием характерного для неустойчивого фронта роста ячеистого рельефа), типичное для шероховатых граней. Подтверждение упомянутой точки зрения найдено при анализе морфологических деталей поверхности пинакоида бездислокационных кристаллов кварца. Очевидно, именно так должны проявляться неустойчивости, возникающие на протяжении всего времени роста кристалла. [53]

Таким образом, при большом N ошибка, вносимая допущением аддитивности, может быть значительной. Вероятно, не меньшая погрешность возникает, когда пытаются вычислять по аддитивной схеме вандерваальсово взаимодействие атомов и молекул с такими поверхностями, как, например, базисная поверхность графита. Можно ожидать, что специфика сопряженных я-облаков атомов углерода обусловливает для потенциала взаимодействия значительное отклонение от аддитивности. Разумеется, формулы типа ( 2), которыми пользуются при аддитивных расчетах теплот адсорбции, сами по себе имеют те же слабые стороны, что и при расчетах взаимодействия атомов. [54]

А, должна благоприятствовать реакциям с водородом, особенно под давлением. Благодаря такой рыхлой связи графит действительно может давать соединения с HF, H2SO4, HNO3, НС1О4 и др. Установлено, что водород, находящийся между базисными поверхностями, резко изменяет свойства угля. Рентгенограммы показали, что водород гидрирует рыхлые связи между плоскостями, превращая уголь в большие плоские молекулы поликонденсированных ароматических и гидроароматических углеводородов, которые затем деструктивно гидрируются, превращаясь в значительно более простые насыщенные соединения. [55]

Страницы: 1 2 3 4