Энергетический зазор

Cтраница 2

Зонная структура в сверхпроводящем состоянии. Сверхпроводящее состояние и состояние с нормальной проводимостью разделены энергетическим зазором. [16]

Малая величина энергетического зазора сверхпроводимости является основной причиной низкого потребления энергии элементов на переходах Джозефсона, которые будут рассмотрены ниже. [17]

В случае изоляторов энергетический зазор бывает очень велик, иногда достигая 15 эв. [18]

Для изолированных атомов энергетические зазоры достаточно велики. Так, разность энергетических состояний валентных электронов соответствует излучению или поглощению колебаний с частотой, лежащей в диапазоне видимого света. Энергетические зазоры между уровнями электронов внутренних оболочек еще больше; переходы этих электронов сопровождаются рентгеновским излучением. [19]

Будем условно считать энергетический зазор между зонами Г6 и Г8 в HgTe отрицательным, как это показано на фиг. [20]

F располагается в энергетическом зазоре между уровнями Ландау, наблюдаются минимумы как на кривой ст хх так и на кривой рхх [ 9], Подобные минимумы отчетливо видны на рис. 1 и могут быть идентифицированы. Также видны минимумы, связанные со снятием спинового и долинного ( двукратного) вырождения. [22]

Ширцна запрещенной зоны характеризует энергетический зазор между нижайшей точкой зоны проводимости и наивысшей точкой валентной зоны. [23]

Зависимость эффективной концентрации электронов М, определенной согласно формуле эфф 2тге2Л эфф / хпп, от концентрации Ns при 4бедн О - Различные кривые соответствуют разным значениям параметра 5, стоящего в знаменателе формулы для потенциала изображения. / - 8 0. 2 - 6 а / 4. 3 - 8 а / 2. 4 - 6 о. Для 5 о ( отсутствие сил изображения / Уэфф Ns. [24]

Это не влияет на энергетический зазор между подзонами, связанными с двумя рассмотренными долинами, по предположению занятыми электронами. Однако относительные энергии подзон, связанных с различными группами долин, могут измениться. [25]

Эти кривые показывают, что энергетический зазор, соответствующий прямому переходу из вершины валентной зоны в минимум зоны проводимости при k ( 0 0 0), уменьшается с ростом концентрации примеси. [26]

При не слишком сильном взаимодействии энергетический зазор между первым и вторым уровнями Ландау должен сохраняться. Если необходимо удержать уровень Ферми в этом зазоре, то в неупорядоченной области можно включить дополнительный постоянный потенциал. При этом из условий сохранения энергии и числа частиц следует, что, когда лоток Ф увеличивается на один квант, через неупорядоченную область переносится отличное от нуля целое число электронов, как и в рассмотренном в разд. [27]

Время рекомбинации - с и время. [28]

Ширина запрещенной зоны Es представляет собой энергетический зазор между абсолютным максимумом валентной зоны и абсолютным минимумом зоны проводимости. [29]

Предполагаемая зависимость EI от частоты фотонов для прямых запрещенных межзонных переходов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5