Энергетический зазор
Cтраница 4
Разность энергий, соответствующих двум соседним энергетическим уровням, называемая иногда энергетическим зазором, может быть разной по величине. Различны поэтому и частоты излучаемых или поглощаемых электромагнитных колебаний при переходе с одного энергетического уровня на другой. Так, например, из рис. 7 - 2 видно, что по мере удаления от основного энергетического состояния энергетические зазоры сокращаются. [46]
 |
Эффективные массы электронов в Hg / CdTe. [47] |
Хорошее согласие с данными электрических измерений получается при условии, если энергетический зазор Ге - Г8 в Hgfe принять равным - 0 30 эВ при 4 2 К и линейно изменяющимся до - 0 16 эВ при 300 К ( на фиг. Однако на базе измерения эффекта Холла и магнитосопротив-ления Харман, Хониг и Трент [301] рассчитали, что наименьшее значение перекрытия равно 0 0028 эВ при 4 2 К. [48]
Если частота и0 фиксирована, можно изменением индукции поля В менять энергетический зазор между зеемановскими уровнями. [49]
 |
Схематическая картина зонной структуры цинковой обманки. а решетка цинковой обманки без учета спина. б решетка цинковой обманки с учетом спина. [50] |
Эта качественная модель может стать количественной, если экспериментально определить величину энергетических зазоров между экстремальными точками различных подзон и вид зависимости Е ( k) вблизи них. [51]
Рассмотрим кристалл, в котором валентная зона отделена от зоны проводимости энергетическим зазором, и выясним, какова природа первого возбужденного состояния в таком кристалле. Если отвлечься от возможности образования экситонов, то первому возбужденному состоянию кристалла соответствует один электрон на самом дне зоны проводимости и одна положительная дырка у потолка валентной зоны. Иначе говоря, первый возбужденный уровень энергии кристалла описывает состояние с одним электроном и одной дыркой, кинетические энергии которых равны нулю. Однако, ясно, что такое состояние перестает быть устойчивым, коль скоро мы учтем взаимодействие между электроном и дыркой, которое приводит эти частицы во взаимно-связанное состояние и одновременно несколько уменьшает энергию кристалла. Но связанные электрон и дырка, которые перемещаются по кристаллу как одно целое, по определению, представляют собой экситон. Отсюда следует, что, если кристалл содержит один экситон и энергия экситона наименьшая из возможных, то кристалл находится в наинизшем энергетическом состоянии, не считая основного. Wlx), причем первый возбужденный уровень энергии отделен зазором ЛЕ1 - Wlx от основного уровня кристалла. [52]
Итак, энергия, необходимая для фотоперехода, оказывается большей, чем энергетический зазор между начальным и конечным состояниями, а следовательно, и больше термической энергии ионизации. Для гомеополярных веществ оба значения диэлектрической постоянной практически совпадают и, следовательно, значения термической и оптической энергии ионизации близки друг другу. [53]
Ядерные энергетические уровни расположены неравномерно, и между последовательными уровнями могут существовать довольно большие энергетические зазоры. Так как состояние с квантовым числом / могут занимать 2 ( 2 / 1) нуклонов, то можно определить заселенность каждого уровня. Однако для объяснения больших магических чисел нужно исследовать взаимодействие между спином и орбитальным движением каждого нуклона. Они являются числами нуклонов, необходимыми для заполнения уровней, разделенных рядом последовательных энергетических зазоров. В результате ядра, имеющие эти числа нуклонов, должны быть устойчивыми, так как любая попытка разрушить их должна быть связана с преодолением энергетического зазора между наивысшим занятым уровнем и наинизшим свободным уровнем. [54]
Поскольку этот уровень отделен от основного состояния 4 / 8 / 2 энергетическим зазором Д / Гл 1500 - 2000 CM-J, скорость его распада целиком определяется скоростью МБР, Использование данных, приведенных на рис. 1.8, дает для силикатных стекол время жизни уровня 4 / 11 / 2 т ( 2 - 5) х X 10-в с, а для фосфатных - ( 1 - 0 3) - 10 - 8 с. [56]
Эффективность передачи возбуждения из низколежащего возбужденного состояния Сг3 2Е на Т % определяется энергетическим зазором между этими состояниями, который сильно зависит от вида кристаллического поля. [57]
Отсюда следует, что, зная число частиц на нижнем уровне ( в случае большого энергетического зазора A. С - полной концентрации активаторных ионов), нетрудно определить поперечное сечение перехода по измерению коэффициента поглощения. Из изложенного вытекает важное следствие. [58]
Энергия, требуемая для возбуждения электрона с донорного уровня в зону проводимости, существенно меньше полного энергетического зазора оптическая ширина запрещенной зоны) собственного материала и обычно составляет лишь малую era часть. Вследствие этого примесные фотопроводники имеют большое значение в качестве приемников очень длинноволнового инфракрасного излучения. [59]
Согласно этой модели основная валентная зона при О К отделена от дна зоны проводимости энергетическим Зазором, равным 0 19 эВ, а вторая валентная зона - энергетическим зазором 0 36 эВ, который мало изменяется при изменении температуры. С увеличением температуры максимум основной валентной зоны удаляется от дна зоны проводимости. Энергетический зазор между двумя валентными зонами составляет 0 17, 0 14 и 0 04 эВ при 0, 150 и 300 К соответственно. Выше 400 К основная валентная зона находится дальше от дна зоны проводимости, чем вторая валентная зона. При температурах, больших 400 К, оптические переходы в основном происходят между второй валентной зоной и зоной проводимости. Экстраполированное значение оптической ширины запрещенной зоны составляет 0 36 эВ и не зависит от температуры. Причиной расхождения в значениях термической и оптической ширины запрещенной зоны мозкет быть то, что при термическом возбуждении переходы осуществляются между основиой валентной зоной и зоной проводимости. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5