Повышение - концентрация - атом
Cтраница 1
Повышение концентрации атомов на уровнях Is ограничивает и верхний предел давления Ne при заданном диаметре разрядной трубки. [1]
В современных представлениях о механизме межкристаллитной коррозии решающее значение придается возрастанию локальных диффузионных сопротивлений в решетке твердого раствора замещения АВ при повышении концентрации атомов А или В. Предполагается, что свободная энергия на границах зерен может понижаться при внедрении дислокаций уже в процессе затвердевания металла из сплава. При движении от границ зерен к прилегающим зонам соседних зерен эти дислокации оставляют за собой на поверхности границ зерен ступеньки скольжения, с которых атомы металла могут легко переходить в раствор при коррозии. Поэтому межкристаллитная коррозия рассматривается как процесс, при котором растворяются покрытые ступеньками скольжения области границ зерен. [2]
Следует также учитывать энергетическую сторону образования выделений. С повышением концентрации атомов внедрения на дислокациях энергия связи с внедренными атомами может значительно уменьшаться, становясь такой же, как в карбиде или нитриде. Если учесть, что образование выделений происходит на поздних стадиях старения ( высокая температура или продолжительная выдержка), то благодаря достаточно высокой диффузионной подвижности атомов внедрения и ослаблению энергии связи их с дислокациями возможен переход атомов от дислокаций к частицам карбидов. Даже возникшее выделение, обладая весьма малыми размерами, вряд ли будет устойчиво в соседстве с крупными карбидными частицами. По-видимому, старение средне - и высокоуглеродистых сталей ограничивается стадией сегрегации, разрушающихся при повышении температуры или продолжительности старения. [3]
 |
Зависимость отношения ширины линии к ее сдвигу Av4 / 6v4 от параметра р для линий Аг II при расширении, вызванном свободными электронами и ионами Аг. [4] |
Данная точка зрения была подвергнута критике в работах Вейскопфа и А. Этими авторами было показано, что в случае не очень больших давлений расширение линий при повышении концентрации атомов данного сорта вызвано в основном ударами при сильном сближении. [5]
Дальнейшее снижение давления неона ( ниже 100 мм рт. ст.) ведет к уменьшению температуры разрядного канала и прекращению роста суммарной мощности излучения. Для увеличения мощности излучения при низких давлениях требуется соответствующее повышение концентрации паров меди. Но повышение концентрации атомов меди в условиях снижения давления неона может происходить лишь до тех пор, пока скорость диффузионного ухода паров меди не превысит скорости их поступления в активный объем из генераторов меди. По-видимому, давлению неона - 100 мм рт. ст. соответствует равенство обеих скоростей. [7]
 |
Функции Ферми - Дирака / п (. и / (. примесных полупроводников n - типа ( а и р-типа ( б. [8] |
Ферми Р будет смещен от середины запрещенной зоны & в сторону дна зоны проводимости. В полупроводнике р-типа, наоборот, уровень F располагается ниже уровня Si, и с повышением концентрации атомов акцепторов NA в нем уровень Ферми будет располагаться все ближе к потолку валентной зоны. Заштрихованные площади пропорциональны концентрациям носителей заряда в зонах. [9]
На рис. 3 схематически изображены некоторые варианты хода кривых. Сплошные линии соответствуют равновесию пара, жидкости и твердого тела, пунктир - исследуемому равновесию. Вторая - нижняя - критическая точка могла бы появиться, в частности, как следствие перекрытия электронных оболочек атомов, проявляющегося с повышением концентрации атомов вдоль кривой фазового равновесия при снижении температуры ( см. стр. [10]
Вдоль оси разряда распределение атомов также изменяется; при введении пробы в канал анода около анода и на значительном протяжении к катоду концентрация атомов остается неизменной, и только на / Б длины промежутка непосредственно около катода наблюдается повышение этой концентрации в несколько раз. Обнаруживается, таким образом, прикатодный слой, обогащенный атомами пробы. При введении пробы в катод в прикатодном слое также наблюдается повышение концентрации элементов пробы, однако оно вполне естественно, гак как испарение производится из катода. Повышение концентрации атомов около катода оправдывает уже давно применяемый способ анализа в прикатодном слое. [11]
Анализ СР натурных конструкций ОНГКМ и образцов с учетом существующих представлений о механизме СР и свойствах границ зерен позволил заключить, что очагами зарождения микротрещин при контакте сталей с сероводородсодержащей средой, наряду с границами раздела матрица - неметаллическое включение, служат островки границ с плохим сопряжением кристаллических решеток смежных кристаллитов. Эти островки ( каналы вакансий) являются микрополостями-микро-кон-центраторами, в области которых под действиями остаточных напряжений или внешних нагрузок ( особенно при наличии концентраторов напряжений) возникает трехосное напряженное состояние. Водород находится в металле в виде ионов, которые, попадая в микрополости через границы зерен и из кристаллической решетки, захватывают из электронного облака металла электроны и превращаются в атомы, уменьшая прочность этих участков границ. По мере повышения концентрации атомов водород молизуется. Увеличение давления молизованного водорода в микрорасслоениях до критических значений, наряду с усугубляющим действием водорода, находящегося вблизи этих микрорасслоений - в областях трехосного напряженного состояния, приводит к активизации дислокационных процессов, микродеформациям и разрушению островков границ с хорошим сопряжением решеток смежных зерен. В дальнейшем описанные процессы повторяются, вызывая рост и объединение микротрещин. Наличие при СР вторичных трещин - водородных расслоений, расположенных перпендикулярно к магистральной трещине, т.е. параллельно действующим напряжениям, подтверждает то, что контролирующими процессами СР, как и ВР, являются: сорбция металлом ионов водорода и молизация водорода в микронесплошностях, находящихся на границах зерен и на границах раздела матрица - неметаллическое включение. Результаты лабораторных испытаний образцов 280x20x10 мм сталей и сварных соединений в среде NACE [134] со слежением за ростом трещин с помощью УЗД Краут-крамер показали, что в течение инкубационного периода наблюдается возникновение и рост нескольких микротрещин. Они растут с различной скоростью и могут обгонять в различные моменты друг друга. [12]
 |
Зависимость и, от температурь. для собственного полупроводника-кремния. [13] |
Функция Ферми-Дирака (3.2), (3.3) справедлива не только для собственных, но и для примесных полупроводников. В полупроводниках п-типа большое количество электронов переходит в зону прово - димости с уровней доноров, при этом дырки в валентной зоне не появляются. Это, очевидно, возможно в том случае, если уровень Ферми WF будет смещен от середины запрещенной зоны Wt в сторону дна зоны проводимости. В полупроводнике р-типа, наоборот, уровень WF располагается ниже уровня Wit и с повышением концентрации атомов акцепторов NA в нем уровень Ферми будет располагаться все ближе к потолку валентной зоны. [14]
Страницы: 1