Повышение - потенциальный барьер
Cтраница 2
 |
Энергетическая схема р-п перехода с внешним смещением. [16] |
В случае приложения к контактируемым полупроводникам прямого напряжения объемные заряды, толщина и сопротивление пограничного ( обедненного) слоя уменьшаются и ток через контакт быстро возрастает. При достижении прямым напряжением величины, равной контактной разности потенциалов, потенциальный барьер практически не препятствует протеканию тока. При приложении напряжения обратной полярности происходит повышение потенциального барьера, увеличиваются объемные заряды и толщина обедненного слоя, резко возрастает сопротивление перехода. [17]
 |
Поперечные сечения индуцированных альфа-частицами реакций в 60Ni. [18] |
Если энергия фотона уменьшится, то можно ожидать, что ( у, / г) - реакция будет вносить еще больший вклад в поперечное сечение, а если энергия фотона увеличится, то увеличится вклад других реакций. В общем случае следует ожидать, что уменьшение энергии падающей частицы будет благоприятствовать испусканию незаряжэнной частицы. Это, по-видимому, связано с повышением потенциального барьера для излучаемой частицы при увеличении ее заряда. В общем случае, если падающая частица обладает более низкой энергией, происходит испускание нейтрона или протона. Из рис. 11 - 14 видно, что поперечное сечение реакции зависит не только от ядоа-мишэни и типа реакции, но также и от энергии бомбардирующей частицы. [19]
 |
Поперечные сечения индуцированных альфа-частицами реакций в 60Ni. [20] |
Если энергия фотона уменьшится, то можно ожидать, что ( у, п) - реакция будет вносить еще больший вклад в поперечное сечение, а если энергия фотона увеличится, то увеличится вклад других реакций. В общем случае следует ожидать, что уменьшение энергии падающей частицы будет благоприятствовать испусканию незаряженной частицы. Это, по-видимому, связано с повышением потенциального барьера для излучаемой частицы при увеличении ее заряда. В общем случае, если падающая частица обладает более низкой энергией, происходит испускание нейтрона или протона. Из рис. 11 - 14 видно, что поперечное сечение реакции зависит не только от ядоа-мишгни и типа реакции, но также и от энергии бомбардирующей частицы. [21]
Кривые, полученные для различных точек на рабочем участке образца, характеризуются наличием отчетливо выраженного максимума. Возрастание значений Р в упругой области нагружения объясняется следующими причинами. Упругие напряжения вызывают искажения кристаллической решетки, что приводит к повышению потенциальных барьеров на пути движения электронов проводимости. Следовательно, удельная электрическая проводимость а при возрастании уровня упругих напряжений уменьшается. [22]
Появление в полиэтиленовой цепи боковых групп, отличных от водорода, должно сопровождаться изменением тех энергетических условий, которые определяют изменения конфигурации цепи, и должно отразиться на ее свойствах - гибкости и плотности упаковки. Если цепь нагружена боковыми группами с явно выраженными полярными свойствами или группами, представляющими собой большие стерические препятствия, то поведение такой цепи резко меняется. Координация полярных групп по цепи, взаимодействие их между собой, сопровождаемое повышением потенциального барьера вращения, может вести к повышению жесткости полимерной цепи и влиять на плотность ее упаковки. [23]
 |
Определение внутрен. [24] |
Из этой формулы видно, что Я, уменьшается при уменьшении dgK и увеличении Qa. Если D возрастает, например, когда сетку делают более редкой, то Я, уменьшается, так как сквозь такую сетку анод сильнее действует на потенциальный барьер у катода, а значит, и на анодный ток. K в явном виде не входит в формулу. K влияние анода уменьшается. С уменьшением проницаемости Я, возрастает. Наиболее сильно на значение Я - влияет густота сетки. При уменьшении сеточного и анодного напряжений Я - - возрастает. Это объясняется повышением потенциального барьера. [25]
Они могут охватывать диапазон от обычных ре-акций, таких, как ( у, 2), до таких редко встречающихся реакций, как ( у, ЗрЗга) - реакция. Далее, если использовать другую область значений энергий фотона, то окажется, что соотноше - го ние поперечных сечений различных реакций будет изменяться. Если энергия фотона уменьшится, то можно ожидать, что ( Y. Поперечные в поперечное сечение, а если энергия фото - сечения индуцированных на увеличится, то увеличится вклад других альфа-частицами реак-реакций. В общем случае следует ожидать. Это, по-видимому, связано с повышением потенциального барьера для излучаемой частицы при увеличении ее заряда. Если падающая частица обладает более низкой энергией, происходит испускание нейтрона или протона. Из рис. 11 - 14 видно, что поперечное сечение реакции зависит не только от ядра-мишени и типа реакции, но и от энергии бомбардирующей частицы. [26]
Страницы: 1 2