Повышение - потенциальный барьер
Cтраница 1
Повышение потенциального барьера при обратном напряжении сопровождается увеличением объемных зарядов и как следствие-расширением обедненного слоя. При этом вероятность перехода через контакт основных носителей становится пренебрежимо малой и устанавливающийся в цепи небольшой обратный ток обусловлен неосновными носителями, для которых потенциальный барьер не является препятствием. [2]
Эффект повышения потенциального барьера наблюдается не только за счет внутримолекулярного взаимодействия ( между заместителями в соседних звеньях цепи), но и за счет межмолекулярного взаимодействия. [3]
Это связывается с уменьшением свободно-то объема резин, что сопровождается увеличением межмолекулярного взаимодействия, повышением потенциального барьера и энергии активации перегруппировки как физических связей, так и химических связей сетки вулканизата. [5]
Замена атомов водорода в полиэтилене полярными атомами или группами атомов приводит к увеличению внутри - и межмолекулярного взаимодействия, повышению потенциального барьера свободного вращения, увеличению жесткости цепи и вследствие этого к повышению температуры стеклования. Так, температура стеклования полиэтилена примерно 40 С, поливинилхлорида 95 С, полиакрилонитрила 80 С, поливинилового спирта 85 С. [6]
Замена атомов водорода в полиэтилене на полярные атомы или группы атомов приводит к увеличению внутри - и межмолекулярного взаимодействия, повышению потенциального барьера свободного вращения, увеличению жесткости цепи и вследствие этого к повышению температуры стеклования. Так, температура стеклования полиэтилена примерно - 40 С, поливинилхлорида 95 С, полиакрилонитрила 80 С, поливинилового спирта 85 С. [7]
Рост энергии активации в ряду Н20 - NH3 - СН4, по-видимому, нужно приписать увеличению экранирования центрального атома и связанному с этим повышению потенциального барьера. [8]
 |
Поперечные сечения индуцированных альфа-частицами реакций в 60Ni. [9] |
В общем случае следует ожидать, что уменьшение энергии падающей частицы будет благоприятствовать испусканию незаряженной частицы. Это, по-видимому, связано с повышением потенциального барьера для излучаемой частицы при увеличении ее заряда. В общем случае, если падающая частица обладает более низкой энергией, происходит испускание нейтрона или протона. Из рис. 11 - 14 видно, что поперечное сечение реакции зависит не только от ядра-мишени и типа реакции, но также и от энергии бомбардирующей частицы. [10]
На линейных участках характеристики внутреннее сопротивление примерно постоянно. При переходе на нижний участок Я, возрастает из-за повышения потенциального барьера и в точке запирания приближается к бесконечности. [11]
 |
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. [12] |
Обратный ток при увеличении обратного напряжения сначала быстро возрастает. Это вызвано тем, что уже при небольшом обратном напряжении за счет повышения потенциального барьера в переходе резко снижается диффузионный ток, который направлен навстречу току проводимости. [13]
Вследствие стерической несовместимости этильных групп силоксановые цепи олигодиэтилсилоксанов раздвигаются дальше, чем в олигодиметилсилоксанах, что приводит к понижению температур стеклования и застывания олигомеров. Зависимость вязкости их от температуры существенно больше, чем для олигодиметилсилоксанов, что связано с некоторым повышением потенциального барьера вращения С2Н5 - групп вокруг атома Si. Энергия активации поляризационных явлений в олигодиэтилсилоксанах ниже, чем в олигодиметилсилоксанах, что указывает на меныпуй полярность молекул. Этим объясняется повышенная растворимость олигодиэтилсилоксанов в углеводородах и других органических средах, в которых олигодиметилсилоксаны нерастворимы. [14]
При переходе от одного, даже неполного, слоя хемо-сорбированных атомов окислителя к относительно очень толстым сплошным пленкам природа пассивации не меняется. Причиной ее во всех случаях остается упрочнение химической связи поверхностных катионов твердой фазы, что и ведет к повышению потенциального барьера их электрохимического перехода в раствор. [15]
Страницы: 1 2