Повышение - пробивное напряжение
Cтраница 1
 |
Зависимость пробивного напряжения воздуха между электродами острие - плоскость от местоположения барьера. [1] |
Повышение пробивных напряжений в промежутках с резко неоднородными полями может быть достигнуто применением барьеров. Пр в промежутке с барьером объясняется влиянием преобразования электрического поля заряженным барьером. При импульсах барьерный эффект обнаруживается только при положительной полярности острия. [2]
 |
Зависимость давления насыщенных паров элегаза от температуры.| Теплоемкость элегаза, кДж / ( кг. С, при температурах и давлениях газа. [3] |
Повышение пробивного напряжения искровой обработкой, по-видимому, связано с разрушением выступов искрой, а также сгоранием микрочастиц или их удалением из областей с повышенной напряженностью. [4]
Повышение пробивного напряжения p - n - перехода вблизи поверхности кристалла по сравнению с пробивным напряжением р-я-перехода в объеме кристалла удается достичь путем снятия фаски по краям кристалла и уменьшением градиента концентрации примеси в месте выхода p - n - перехода на поверхность кристалла. [6]
Для повышения пробивного напряжения используют кремний с высоким удельным сопротивлением, что значительно увеличивает динамическое сопротивление высоковольтных ограничителей. Для снижения влияния удельного сопротивления базы на напряжение пробоя используют трехслойные р-п - п диодные структуры. [7]
Для повышения пробивного напряжения сплавных переходов, диффузионный экран которых стравлен неточно до слоя собственной проводимости, целесообразно использовать диффузанты, обладающие большой глубиной диффузии и малой растворимостью в германии. Острота этих требований возрастает по мере увеличения удельного сопротивления германия, на котором выполнены сплавные переходы. [8]
С целью повышения пробивного напряжения применяется расширенный базовый контакт. В структуре транзистора ( рис. 2.10) высокоэмная область коллектора у р - п перехода под действием обратного напряжения t / кв обедняется. Отрицательное напряжение на базовом контакте компенсирует действие положительного заряда поверхностных состояний, и у р - п перехода создается расширенная область объемного заряда. [9]
Повышение степени сжатия приводит к повышению пробивного напряжения свечи, что требует повышения вторичного напряжения, развиваемого системой зажигания. [11]
Теперь, в связи с повышением потребного пробивного напряжения, для новых авто мобилей ( табл. 13) эта норма возможно будет повышена. [12]
Другим столь же характерным свойством теплового пробоя является повышение пробивного напряжения с увеличением теплопроводности электродов и самого диэлектрика. [13]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора ИМС со скры. [14] |
В частности, для увеличения коэффициента инжекции эмиттера и повышения пробивного напряжения перехода эмиттер - база уровень легирования базовой области необходимо понижать. [15]
Страницы: 1 2 3 4