Повышение - пробивное напряжение
Cтраница 3
Из зависимостей Е ( г), приведенных на рис. 16.33 Р, а и б, видно, что в случае 2 поле в конденсаторе меньше изменяется, что приводит к повышению пробивного напряжения. [31]
Для твердых диэлектриков существенное значение имеет поверхностный пробой. Для повышения пробивного напряжения платы покрывают лаком, исключают острые углы при трассировке печатных проводников, проводят сушку плат перед нанесением лака, следят за содержанием пыли и влаги в газовой среде технологических помещений. В твердом диэлектрике может произойти электрический или тепловой пробой. [33]
В целях повышения пробивного напряжения Unp кривизна коллекторного р - п перехода уменьшается методом охранного кольца. Суть метода сводится к тому, что по периферии коллекторного перехода создается дополнительная диффузионная область р-типа ( рис. 2.9) с большей глубиной, чем расчетная глубина коллекторного перехода. Эта углубленная область имеет больший радиус кривизны и называется охранным кольцом. Ширину последнего выбирают минимальной с точки зрения технологии ( 5 - 10 мкм), чтобы не увеличивать значительно емкость коллекторного перехода. Применение охранного кольца позволяет повысить t / np от 50 - 70 В, что характерно для планарных транзисторов, до 100 - 200 В. [34]
Масло с таким пробивным напряжением ( 30 кВ) может быть залито в ряд трансформаторов без специальной подготовки. При необходимости повышения пробивного напряжения условия его осушки облегчаются по сравнению с условиями осушки товарных масел, выпускаемых в настоящее время. [35]
Увеличение влажности вызывает повышение пробивных напряжений, что, по-видимому, объясняется оседанием свободных электронов на молекулах воды, в результате: чего затрудняется развитие разряда. На рис. 2 - 8 даны кривые, выражающие зависимость поправочного коэффициента k от абсолютной влажности воздуха. Для приведения к дормальным условиям пробивное напряжение, измеренное при данной влажности, умножается на поправочный коэффициент. Для пробивных напряжений, меньших 141 кВ ( амплитудное значение), поправки уменьшаются пропорционально напряжению. [36]
На кремниевой пластине 1 л - типа ( рис. 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким ( несколько микрометров) слоем 2 n - типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 / 7 -типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора. [37]
 |
Схема обмотки жилы бумажной лентой. [38] |
Поверхность намотки при положительном перекрытии менее гладкая. Обычно обмотка с положительным перекрытием производится при наложении внутреннего слоя для повышения пробивного напряжения и наружных слоев для уменьшения повреждения при скрутке жил кабеля и снижения возможности загрязнения зазоров между витками наружных слоев бумаги. [39]
Переход р - i-я - электронно-дырочный переход особой конструкции, в котором между областями с электронным и дырочным типами проводимости имеется слой полупроводника с собственной проводимостью. Это приводит к ослаблению напряженности электрического поля а вместе с тем и повышению пробивного напряжения и уменьшению барьерной емкости, что бывает полезно для некоторых типов полупроводниковых приборов. Такого типа электронно-дырочный переход используется, например, в р - i-л-диодах, которые находят применение в качестве резисторов с регулируемым активным сопротивлением и с малой проходной емкостью. [40]
При температуре 90 С влияние кислотности и осадка в масле на электрическую прочность незначительно. В ходе испытаний толстых листов гетинакса не происходит заметного газовыделения, и тенденция к повышению пробивного напряжения при повторных испытаниях не наблюдается. [41]
Чтобы обеспечить низкое значение уровня ij следует отказаться от применения сильно легированного материала, что приведет одновременно к повышению пробивного напряжения на коллекторе. [42]
Можно предполагать, что это связано с затруднением ионной проводимости в электродном промежутке и эмиссии с катода. При значительном снижении вязкости усиливается интенсивность движения ионов и это приводит к быстрой нейтрализации высокого градиента на катоде, что обусловливает повышение пробивного напряжения жидкости. [44]
Стремление повысить экономичность двигателя приводит к использованию обедненных горючих смесей, для надежного воспламенения которых требуется большая длина искрового промежутка свечи. Увеличение этого промежутка с 0 6 - 0 7 до 0 8 - 0 9 и даже до 1 0 мм также вызывает повышение пробивного напряжения. [45]
Страницы: 1 2 3 4