Повышение - радиационная стойкость
Cтраница 1
Повышение радиационной стойкости может быть достигнуто введением в полиолефины небольших количеств производных ароматических соединений: вторичных ароматических аминов, динитробензолов, динитрофенолов, бензохинона, нафтолов. Эффекты, достигаемые при введении таких соединений, значительно ниже по сравнению с действием ингибиторов при окислении полимеров. Механизм действия этих веществ еще не выяснен. [1]
 |
Зависимость накопления электростатических зарядов на волокне от содержания влаги w. [2] |
Методы повышения радиационной стойкости волокон под действием источников энергии весьма разнообразны, некоторые из них изложены в гл. [3]
Обнаруженный эффект повышения радиационной стойкости пленочных композиций заслуживает дальнейшего детального исследования. Важно подчеркнуть, что степень дисперсности частиц второй фазы и, следовательно, вклад межфазных границ раздела - стоков для точечных дефектов - могут направленно изменяться в широких пределах при вакуумном осаждении ( см. разд. [4]
В последнее время в РНИИ КП повышению радиационной стойкости ( PC) ИС отводится большое значение. [5]
Одним из важнейших при этом остается требование повышения радиационной стойкости корпусных сталей, в первую очередь напротив активной зоны реактора. [6]
На выбор клеев при создании радиационностойких конструкций и изыскание методов повышения радиационной стойкости соединений на их основе существенное влияние оказывает характер разрушения в условиях испытаний и эксплуатации. [8]
Пиридиновое кольцо, расположенное в боковой группе, также способствует повышению радиационной стойкости полимеров. [9]
 |
Изменение прочностных свойств фтороплаета-4 под влиянием температуры. [10] |
Модификация фторопласта-4 направлена на повышение его технологичности, уменьшение ползучести, повышение радиационной стойкости. Известны сополимеры фторопласта с гексафторпропилеяом, обладающие хорошей текучестью в расплаве, что дает возможность получать на их основе детали методами пластической деформации. [11]
 |
Радиационно-химические выходы при радиолизе парафиновых и ароматических углеводородов. [12] |
Выяснение этой корреляции важно также для решения практических задач - изыскания путей повышения радиационной стойкости. Сопоставим данные по элементарным ионным процессам с данными по радиолизу для некоторых веществ. [13]
Относительное изменение крутизны полевых транзисторов, вызванное радиацией, зависит от концентрации примеси в канале, увеличение которой приводит к повышению радиационной стойкости. [14]
К важнейшим проблемам интегральной микроэлектроники еле - дует отнести также поиски принципиально новых методов теплоот-вода, прогнозирование надежности микросхем, создание оптимальных рядов интегральных микросхем, в том числе больших интегральных схем, расширение температурного интервала работы и повышение радиационной стойкости элементов микросхем, развитие научных основ электронно-ионной технологии. [15]
Страницы: 1 2