Повышение - радиационная стойкость
Cтраница 2
Учитывая, что ароматические амины в принципе должны являться также и эффекгивными антирадами, и имея в виду, что в механизме цепных окислительных процессов, инициируемых действием повышенных температур и действием ионизирующего излучения, по-видимому, имеется много общего, нами была проверена возможность повышения радиационной стойкости капронового волокна путем стабилизации его ДНФДА. На рис. 3 приведены сравнительные данные, характеризующие изменение прочности стабилизированного и нестабилизированного ( серийного) капронового волокна под действием излучения. [16]
В последние несколько лет наблюдается тенденция улучшения характеристик серийно выпускаемых кремниевых солнечных элементов, главным образом за счет уменьшения потерь носителей заряда, рожденных коротковолновой частью солнечного спектра в переднем слое и-типа проводимости, увеличения напряжения холостого хода Voc ( путем варьирования уровней легирования) и повышения радиационной стойкости. [18]
Экран ( рис. 20, в) представляет собой балочную металлическую рамку, перекрывающую обедненную область на поверхности диода. Методы повышения радиационной стойкости были разработаны для диодов с большими рабочими токами. В электронно-лучевых накопителях с небольшими рабочими токами радиационные эффекты сказываются не так сильно, и методы радиационной защиты упрощаются. [19]
Радиационное старение резин на основе димстилсилоксано-вого каучука сопровождается увеличением прочности при растяжении, твердости и уменьшении относительного удлинения при разрыве. Замена метальных групп фенильными ( полиметилфенилсилоксан и полндифенилсилоксан) приводит к снижению скорости радиационного сшивания и, следовательно, к повышению радиационной стойкости резин. [20]
Устройство кремниевого преобразователя поясняет рис. 7.7, где n - Si - и p - Si-области кристалла с разным типом проводимости: / - фронтальный металлический электрод на освещаемой поверхности; 2 - тыльный металлический электрод, полностью покрывающий поверхность кристалла с неосвещаемой стороны. Чтобы не затенять освещаемую поверхность, ширина фронтального электрода не превышает 1 мм. На фронтальную поверхность кристалла наносится просветляющее покрытие из монооксида кремния или оксида титана. Для повышения радиационной стойкости преобразователя ( см. § 15.1) кремний легируют литием. [21]
Как известно, в основе поражающего действия излучений на вещества живой и неживой природы лежат первичные изменения, которые происходят в молекулах - ионизация и возбуждение. Образовавшиеся возбужденные частицы ( ионизированные и нейтральные) за короткие времена ( порядка 10 - 13 - 10 - 8 с) распадаются с образованием осколочных ионов, атомов, радикалов или вступают в химические реакции с молекулами и между собой. Поэтому проблема повышения радиационной стойкости непосредственно связана с изучением состояния, природы и свойств этих частиц. [22]
Воздействие непрерывного ИИ на оптопары приводит к уменьшению коэффициента передачи и ухудшению импульсных характеристик. Снижение коэффициента передачи обусловлено не только падением усиления фотоприемника, но и изменением характеристик светоизлучающих диодов и оптического канала связи. В результате интенсивность света, испускаемого светодиодом, падает. Повышение радиационной стойкости светодиодов может быть достигнуто выбором материала с минимальным временем жизни носителей. Радиационная стойкость GaAs светодиода может быть повышена замещением части атомов галлия алюминием. [23]
Характер разрушения клеевых соединений преимущественно коге-зионный. Для этого клея независимо от вида склеиваемых металлов ( сплавы АМц и Д16, сталь 20 и др.) при дозах 0 1 - 100 кДж / кг наблюдается возрастание т, причем положение максимума определяется мощностью поглощенной дозы излучения. Дальнейшее облучение с мощностью более 0 05 Вт / кг приводит к незначительному уменьшению т при весьма высоких дозах излучения. Начало таких изменений также определяется мощностью поглощенной дозы. Чем выше мощность дозы излучения в интервале от 0 015 до 10 Вт / кг, тем позже происходит уменьшение т до значений ниже исходного. Таким образом, уве-личение мощности облучения обеспечивает повышение радиационной стойкости клея ВК-9 до доз 10 МДж / кг и более. [24]
Повышенный интерес к радиационной стойкости веществ обусловлен развитием атомной энергетики, применением атомной энергии в химической технологии, а также исследованиями космического пространства, где вещества подвергаются воздействию различных видов радиации. В условиях длительного пребывания в космосе такие воздействия могут привести к заметным изменениям физико-химических свойств материалов, из которых сделаны элементы космических аппаратов. Все более актуальными становятся вопросы действия радиации на биологически активные вещества. Как известно, различные формы жизни существуют и развиваются в условиях радиационного фона. Поэтому раскрыть механизмы естественной защиты и использовать их для разработки путей повышения радиационной стойкости веществ, в том числе биологически активных - задача весьма важная. Естественно, что она должна решаться на молекулярном уровне. [25]
Страницы: 1 2