Повышение - температура - кристалл
Cтраница 1
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток. При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [1]
Повышение температуры кристалла приводит к увеличению амплитуды колебаний составляющих его частиц, к увеличению расстояния между узлами ( расширение тела при нагревании) и, следовательно, к ослаблению сил сцепления. От этого случаи оставления частицами своего узла становятся все более частыми, и при некоторой температуре, называемой точкой плавления, исчезает упорядоченность в размещении центров колебаний, решетка разрушается и кристалл плавится. [2]
Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток, При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным. [3]
 |
Валентная структура атома германия ( а, возникновение свободного электрона и дырки в кристалле ( б и отражение этого процесса в энергетической диаграмме ( в. [4] |
С повышением температуры кристалла до значения, при котором энергия фонона оказывается достаточной для нарушения связи валентного электрона с атомами решетки, электрон освобождается от связей и становится свободным, имея возможность перемещаться между узлами решетки. [5]
 |
Атом кремния и че - тронов. Остальные десять электро-тыре его валентные связи нов вместе С ядром составляют. [6] |
При повышении температуры кристалла тепловые колебания решетки приводят к разрыву некоторых валентных связей. [7]
При повышении температуры кристалла его объем увеличивается. Пропорционально этому происходит увеличение как длины кристалла, так и постоянной его решетки. [8]
 |
Возникновение элек - Влен тем, что всякий разрыв валентной. [9] |
При повышении температуры кристалла тепловые колебания решетки приводят к разрыву некоторых валентных связей. [10]
При повышении температуры кристалла термодинамически равновесные концентрации точечных дефектов ( вакансий и меж-узельных атомов) возрастают. Образование дефектов по Шотт-ки показывает, что в кристалле имеются некоторые источники вакансий. Наоборот, при понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Природа этих источников и стоков выяснена сравнительно недавно. Благодаря наличию подобных внутренних источников время установления термического равновесия в системе кристалл - точечные дефекты сравнительно слабо зависит от геометрических размеров кристалла. Однако при быстром охлаждении, например при закалке жидким азотом, точечные дефекты не всегда успевают уйти в стоки и как бы замораживаются в кристаллической решетке. [11]
При повышении температуры кристалла возрастают равновесные концентрации вакансий и межузельных атомов, а при понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Роль таких стоков могут играть другие дефекты решетки, в частности дислокации. [12]
При повышении температуры кристалла число разорванных валентных связей увеличивается и, следовательно, возрастает число пар электрон - дырка и уменьшается удельное сопротивление полупроводника. [13]
По мере повышения температуры кристалла, сопровождающегося увеличением амплитуды колебаний структурных элементов решетки и возрастанием флуктуации, все большее число связей разрывается. Освобождающиеся в результате этого электроны становятся электронами проводимости. [14]
По мере повышения температуры кристалла возрастают флюктуации кинетической энергии поверхностных атомов и некоторые из них достигают значения, при котором любой поверхностный атом может оставить свой узел и переместиться в другую позицию на поверхности. Время от времени перед некоторым атомом второго слоя узлов решетки обнаруживается пустой узел в первом слое. В результате следующей, достаточно большой флюктуации атом из второго слоя может перескочить в первый, оставляя вакантным узел во втором. Дефект, который так образовался, будет свободно блуждать по кристаллу, и его соседи могут тогда перескакивать в пустой узел. Отметим, что те места, где на поверхность выходят дислокации или границы зерен, энергетически предпочтительнее для указанной последовательности событий. [15]
Страницы: 1 2 3