Повышение - температура - кристалл
Cтраница 2
Опыт показывает, что при повышении температуры кристалла диффузия ускоряется. Дело в том, что по мере роста температуры мооцекулы начинают более интенсивно колебаться, средние расстояния, между ними возрастают, и при удачном перемещении двух соседних атомов или молекул в противоположных направлениях третий атом может как бы протолкнуться между ними, заняв новое место в решетке. Этим объясняется и принципиальная возможность диффузии в идеальном кристалле, хотя ее вероятность мала. [16]
Опыт показывает, что при повышении температуры кристалла диффузия ускоряется. Дело в том, что по мере роста температуры молекулы начинают более интенсивно колебаться, средние расстояния между ними возрастают, и при удачном перемещении двух соседних атомов или молекул в противоположных направлениях третий атом может как бы протолкнуться между ними, заняв новое место в решетке. Этим объясняется и принципиальная возможность диффузии в идеальном кристалле, хотя ее вероятность мала. [17]
Опыт показывает, что при повышении температуры кристалла диффузия ускоряется. [18]
Из таблицы следует, что 0л уменьшается при повышении температуры кристалла. Такая зависимость характерна для металлов. Наоборот, 033 увеличивается при тех же условиях, что характерно уже для полупроводников. [19]
Тепловым называется пробой р-п перехода, обусловленный ростом количества носителей заряда при повышении температуры кристалла. С увеличением обратного напряжения и тока возрастает тепловая мощность, выделяющаяся в р-п переходе, / i / 05P / o6p и его температура. Под действием теплоты усиливаются колебания атомов кристалла и ослабевает связь валентных электронов с ними. Если электрическая мощность Р превысит максимально допустимую мощность ( РРтах), процесс термогенерации лавинообразно разрастается, р-п переход разрушается и в кристалле происходит необратимая перестройка структуры. [20]
Однако в условиях опытов Сокилл а химические изменения азидов могли быть вызваны как повышением температуры кристаллов, так и первичным действием электронного пучка. В растровом микроскопе изображение получается подобно тому, как в телевизионной камере: электронный пучок, сфокусированный в пятно, диаметром около 200 А, быстро перемещается по объекту. Если последний имеет неоднородную структуру, то для разных участков будет различным количество возникающих вторичных электронов, которые используются для образования изображения при работе на отражение. Преимуществом растровой микроскопии является пониженная средняя интенсивность электронного облучения, что позволяет исключить возможность заметного нагревания препарата, недостатком - пока что низкое разрешение, которое в основном определяется диаметром пятна. [21]
Сансайер с сотрудниками), то надо полагать, что эти переходы происходят и в этом случае, так как повышение температуры кристалла фактически приводит к уменьшению ширины его запретной зоны. [22]
При использовании кристаллов типа НБС, имеющих высокую диэлектрическую проницаемость е при комнатной температуре, первостепенное значение приобретает верхняя гралица рабочей частоты модуляции, так как при высокой частоте происходит нагревание электродов, ведущее к повышению температуры кристалла и, следовательно, к изменению величины двупреломления. [23]
 |
Молекулы в жидкости. Силы, действующие иа молекулы в поверхностном слое и в объеме. [24] |
В температурной последовательности жидкое состояние занимает промежуточное положение между твердым и газообразным. Повышение температуры кристалла и увеличение кинетической энергии частиц в узлах решетки приводит к тому, что некоторые частицы переходят в междоузлия, а остальные начинают обмениваться местами. Таким образом, хотя более или менее правильное окружение каждой частицы сохраняется, кристалл теряет свою форму. Появляется новое состояние вещества, в котором ближний порядок вокруг каждой частицы еще сохраняется, но дальний уже существенно нарушен. Как правило, при одной и той же температуре мольный объем жидкости на 5 - 10 % больше, чем кристалла, что говорит об увеличении свободного объема в жидкости по сравнению с кристаллом. Жидкость не имеет собственной формы и под действием силы тяжести принимает форму того сосуда, в который она налита. [25]
Кристаллы кварца чувствительны к изменениям температуры. При напылении нагреватели излучают значительное количество тепла, что приводит к повышению температуры кристалла. Нестабильность температуры кристалла кварца является основной причиной паразитного ухода частоты и запаздывания в определении толщины. Для исключения погрешности от нестабильности температуры датчиков их следует защищать от нагрева. [26]
При анализе изменений поверхности следует учитывать термодинамические и химические факторы. Можно с уверенностью сказать, что преобразование поверхностей в условиях катализа нельзя объяснять только повышением температуры кристалла за счет освобождающейся теплоты реакции, так как явления каталитической коррозии наблюдаются как при эндотермических, так и при экзотермических реакциях. Из того факта, что интегральных повышений температуры на поверхностях кристаллов не обнаружено, нельзя делать вывод, что они действительно отсутствуют. [27]
С другой стороны, при низких температурах изменяется характер поведения фононной подсистемы кристалла. Во-первых, процессы установления равновесного распределения фононов замедляются настолько, что при сверхкоротких оптических воздействиях фононы являются существенно неравновесными, а процесс термализации поглощенной световой энергии нельзя описать просто через повышение температуры кристалла. [28]
Основываясь на зонной схеме и картине валентных связей в кремнии и германии, можно сделать целый ряд выводов о свойствах этих полупроводников. Например, исходя из чисто качественных соображений, мы приходим к выводу, что свойства полупроводниковых приборов должны существенно зависеть от температуры. Повышение температуры кристалла сопровождается разрывом некоторой части валентных связей и увеличением числа свободных носителей тока. Появление дополнительных носителей тока в обычных полупроводниках приводит к увеличению его проводимости. Многие из параметров, хаоактеризующих свойства полупроводниковых приборов, в значительной мере зависят от величины проводимости и поэтому существенно меняются при изменении температуры. Если мы нагреем полупроводник до такой температуры, при которой все наиболее слабые ( благодаря наличию атомов примеси) валентные связи будут уже разорваны, то дальнейшее нагревание приведет к меньшему росту числа свободных носителей тока, ибо основные валентные связи гораздо прочнее. [29]
При Г - - 0 К второй член уравнения превращается в бесконечно большую отрицательную величину. Таким образом, при всех температурах, отличных от нуля, кристалл характеризуется определенным отношением n / N. При всех температурах, кроме 0 К, в кристалле есть дефекты, но они не образуются самопроизвольно Окружающая кристалл среда, отдавая часть своей энергии на повышение температуры кристалла, приводит к образованию дефектов. [30]
Страницы: 1 2 3