Cтраница 2
Хотя структуры типа шиш-кебаб образуются при самых разных условиях кристаллизации, они явно являются неравновесными, о чем свидетельствует уменьшение содержания наростов при повышении температуры кристаллизации, что одновременно сопровождается заметным увеличением модуля упругости получающегося материала. К) образования таких структур не происходит. [16]
Возможность такого повышения температуры кристаллизации связана с тем, что в Англии реактивные самолеты не эксплуатируются в условиях холодной зимы при низких температурах. [17]
Метод Трамбора и Порбанского выращивания монокристаллов, близкий к методу Киропулоса, заключается в испарении растворителя из раствора исходного материала. В результате повышения температуры кристаллизации раствора за счет испарения растворителя на погруженной в раствор затравке вырастает монокристалл. [18]
Зависимость удельного объема при 25 С от температуры кристаллизации для нефракционированного линейного полиэтилена ( мар-лекс-50. [19] |
При относительно низких температурах кристаллизации удельные объемы изменялись в пределах от 1 06 до 1 04, что соответствует обычно определяемым для этого полимера величинам. Однако при повышении температуры кристаллизации наблюдается относительно резкое падение удельного объема, который, начиная примерно со 100 С, становится очень чувствительным к малейшим изменениям температуры. Более низкие удельные объемы соответствуют более высоким степеням кристалличности, которые, как известно, достигаются при проведении кристаллизации вблизи точки плавления. [20]
Исследование кинетики кристаллизации полимеров из расплава выявило сильную зависимость морфологии от температурно: временных условий кристаллизации, особенно от температуры кристаллизации. При этом с повышением температуры кристаллизации дифракционный максимум сдвигается з сторону больших значений. [22]
Кристаллы в пленке каучука, ох аждавшейся в течение двух недель при - 25. Скрещенные нико-ли. Увеличение в 75 раз. [23] |
В соответствии с природой эластичности каучука 5ам при растяжении уменьшается, следовательно температура кристаллизации должна при этом возрастать. Наблюдаемая взаимосвязь между повышением температуры кристаллизации и удлинением образца может быть выражена уравнением типа уравнения Клаузиуса-Клапейрона, если растяжение образца рассматривать как результат увеличения давления в направлении, перпендикулярном растяжению. [24]
Варьируя продолжительность контакта расплава с охлаждающим агентом в пределах 5 - 60 мин, установили, что основная масса кристаллов выпадает в первые 4 - 5 мин, и процесс кристаллизации практически завершается по истечении 15 мин. При этом наблюдается некоторое повышение температуры кристаллизации получаемого продукта с увеличением продолжительности процесса. [26]
При исследовании слоев, полученных в температурном интервале от 500 до 900 С, можно проследить ряд качественных изменений в их реальной структуре. Показано, как с повышением температуры кристаллизации уменьшается плотность дефектов и одновременно изменяется тип наиболее распространенных дефектов в слое. [27]
Изменение среднего размера кристаллов dcp. в зависимости от температуры кристаллизации в вакуум-аппарате при различных концентрациях ( NH4 2SO4 в питающем растворе. [28] |
Результаты опытов, представленные в табл. 6, показывают, что кристаллизация в области более высоких температур при прочих равных условиях способствует увеличению среднего размера кристаллов в продукте. Из таблицы видно, что при повышении температуры кристаллизации на 20 С величина rfcp. [29]
Для углеводородов кристаллизация связана с уменьшением объема. Поэтому увеличение давления вызывает, как правило, повышение температуры кристаллизации углеводородов. [30]