Займан

Cтраница 2

Схема, поясняющая основные положения теории [ ( ом. уравнение 1 электросопротивления жидких сплавов Займана. [16]

Как видно из выражения (6.9), в теории Займана поведение р определяется поведением S ( Q) и V ( Q. [17]

Для этой цели в [47] предложена модель, основанная на приближении Займана. [18]

Положение ртути, как и всех металлов с более высокой валентностью, теорией Займана и никакой другой теорией удовлетворительно не решается. [19]

Рассеяние фононов дефектами решетки рассматривалось многими учеными ( например, Клеменсом [123], Займаном [263], Каррузерсом [41], сделавшим ряд существенных работ); главные выводы приводятся в этой главе. [20]

Этот метод, в начале использованный для вычисления электрической проводимости, Лейбфрид и Шлеман [146] и Займан [261, 263] впервые применили для расчетов решеточной теплопроводности. [21]

Хотя может показаться, что процедура обрезания, введенная Клеменсом [121], несущественно отличается от метода Шерда и Займана, численные результаты для многих случаев довольно разные. Если преобладают N-процессы, то равновесное распределение фононов нарушается в широкой области q и первый член в числителе выражения (6.5) становится большим. В пределе, когда распределение фононов главным образом определяется N-процессами ( этот случай обсуждается в следующем разделе), тепловое сопротивление, обусловленное точечными дефектами, в 55 раз больше, чем даваемое формулой Клеменса, которая не учитывает влияния N-процессов на распределение фононов при q kvT / fiv. [22]

Этот качественный результат для рассеяния полем напряжений дислокации был получен Набарро [176], а дальнейшее рассмотрение рассеяния проводили, например, Клеменс [123, 124], Займан [263], Каррузерс [41], Бросс, Зеегер и Хаберкорн [39] и Охаши [181], причем всеми были получены аналогичные - выражения для сечения рассеяния. Например, у Клеменса в выражении для 1 / тнапр вместо постоянной 1 / 2я 1 6 - 1 0 - 1 стоит величина 6 - 10 - 2 при рассеянии на винтовых дислокациях, перпендикулярных градиенту-температуры, и добавочный сомножитель 0 55 для случая дислокаций, расположенных случайно. [23]

Может показаться, что по сравнению с другими неупорядоченными системами теоретическое описание аморфных полупроводников из первых принципов - одно нз самых трудных занятий. Займан в своей книге Модели беспорядка [1], беспорядок - это не только хаос; этот термин предполагает наличие испорченного порядка. Не будет преувеличением, что это высказывание наиболее применительно к аморфным полупроводникам. [24]

Может показаться, что по сравнению с другими неупорядоченными системами теоретическое описание аморфных полупроводников из первых принципов - одно нз самых трудных занятий. Займан в своей книге Модели беспорядка [ 1), беспорядок - это не только хаос; этот термин предполагает наличие испорченного порядка. Не будет преувеличением, что это высказывание наиболее применительно к аморфным полупроводникам. [25]

Выражения для скорости электрон-фононного рассеяния получены в предположении, что средняя длина свободного пробега электронов сравнима с длиной волны фонона или больше ее. Как указывал Займан [264], отсюда следует, что электрон должен испытать воздействие всех фаз решеточной волны, поскольку только тогда будут выполнены условия применимости адиабатического приближения. [26]

Возможны различные подходы к учету этих коллективных явлений. Например, Займан предполагает, что движение электронов под действием электрического поля определяется их дифракцией на ионной квазирешетке. [27]

Это уравнение было введено также Мэннери [116] для специального случая жидкого металла. Бэйм указывает, что формула Займана включает все многофононные процессы. [28]

Вг - константа, относящаяся к процессу рассеяния фононами электронов в зоне проводимости. Такая форма матричных элементов была получена Займаном [826] при, формальном рассмотрении электрон-фононного взаимодействия. [29]

Увеличение беспорядка требует разработки нового подхода для описания его последствий. Такой подход предложен в теории жидких металлов Займана. [30]

Страницы: 1 2 3 4