Поглощение - линия
Cтраница 1
Поглощение линии магния увеличивается с уменьшением размеров капель аэрозоля [392]; этого можно добиться распылением раствора подогретым воздухом. Подогрев камеры распыления до 80 С повышает поглощение линии магния в - 10 раз. [1]
 |
Зависимость атомно - ДО 0 01 МКгМ.Л. [2] |
Поглощение линий Cd 229 ммк сильно зависело от режима лампы. [3]
 |
Регмстрограмма записи атомного поглощения. [4] |
Мное поглощение линии Zn 213 8 иг не влияет. [5]
 |
Дополнительное возбуждение линии Ль за счет избирательного поглощения интенсивности линий Ла.| Зависимость интенсивности / от содержания мешающих элементов ( при разных соотношениях между а и. [6] |
Край поглощения линии третьего элемента ( РЬ на рис. 84, а) находится с длинноволновой стороны от анализируемых линий. Интенсивность линии ниобия будет ослаблена свинцом несколько больше, чем у молибдена. [7]
 |
Калибровочный график для определения хрома в сталях.| Пример ели. [8] |
Реабсорбцией называют поглощение линии элемента его же атомами в самом источнике света. Коэффициент поглощения ( поглощательная способность) источника света увеличивается с повышением концентрации в нем поглощающих атомов. Поэтому с увеличением содержания элемента в пробе замедляется рост интенсивности линии и она теряет свою концентрационную чувствительность. Наименьшей концентрационной чувствительностью в спектре каждого элемента отличаются резонансные линии, и их применение ограничивается определением самых малых концентраций. Как правило, линии с более высокими потенциалами возбуждения отличаются и более высокой концентрационной чувствительностью. [9]
Установлено, что поглощение линии Zn 213 8 нм зависит от режима лампы; оно максимально при токе высокочастотного генератора 180 ма ( оптимальный режим), начинает резко падать при его увеличении и практически полностью отсутствует при токе большем 220 ма. [10]
Последнее явление обусловливается увеличением1 поглощения линий D. При этом обе линии Dt и D2 сливаются. [11]
Даже после точного определения контура коэффициента поглощения линии ( или поглощения) для определения температуры необходимо выделить гауссовский и лоренцевский вклады в этот контур. Результирующая лоренцевская полуширина равна линейной сумме полуширин всех лоренцевских процессов ушире-ния. Когда несколько сверхтонких компонент уширяют контур линии, то требуется применение метода подгонки кривой. Вагенаар, Пикфорд и де Галан [30] определили гауссовский и лоренцевский вклады для линии поглощения Си с длиной волны 325 нм в воздушно-ацетиленовом пламени с помощью относительно простого графического метода подгонки параметров, описывающих экспериментальные контуры поглощения, к параметрам теоретических контуров, вычисленных при условии, что сверхтонкая структура линии известна. [12]
 |
Общий вид камеры с печыо.| Образцы записи поглощения резонансной линии кадмия при давлениях. а 1 атм, б Э а. [13] |
На рис. 2о14 приведены образцы записей поглощения линии кадмия К 2288 А при этих двух давлениях. [14]
Особенно детально исследовались реакции, вызываемые поглощением линии 2537 5 А, и дальнейшее изложение будет касаться именно ее. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5