Поглощение - электрон
Cтраница 1
Поглощение электронов также приводит к возбуждению внешних электронов и ионизации, но в этом случае сильные электрические поля атомов обусловливают более низкую проникающую способность потока электронов по сравнению с рентгеновскими и f - лучами. Непрерывное возбуждение и ионизация выбитыми из атомов и молекул электронами, обладающими достаточной энергией, вызывают электронные ливни в облучаемой среде. [1]
 |
Зависимость критического [ IMAGE ] Скорость радиационных пов. [2] |
Поглощение электронов при их взаимодействии с твердым телом сопровождается тепловыми эффектами, что влечет за собой изменение структуры, агрегатного состояния, десорбцию. Это необходимо учитывать при всех электронно-оптических исследованиях. [3]
Поглощение электронов и ионов плазмы не является единственным механизмом зарядки пылевых частиц. В частности, электроны могут эмитироваться с поверхности пылевой частицы благодаря процессам термоэлектронной, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии. Эмиссия электронов увеличивает заряд частицы, и, при определенных условиях он может оказаться положительным, в отличие от ситуации, рассмотренной выше. Более того, благодаря эмиссионным процессам, оказывается принципиально возможным существование двухкомпонентной системы пылевых частиц и эмитированных ими электронов. [4]
Поглощение электронов в основном сходно с поглощением тяжелых частиц. Быстрые электроны тоже передают свою энергию постепенно, посредством многих последовательных столкновений. [5]
Поглощение электронов конверсии не подчиняется экспоненциальному закону. Определение энергии электронов конверсии проводится с помощью магнитного спектрографа. [6]
Максимум поглощения электронов, сольватированных в жидких спиртах, изменяется от метанола к изо-пропанолу от 6300 до 8200 А. [7]
 |
Схема технологического процесса изготовления гибридных интегральных микросхем ( заштрихованы основные операции технологического процесса. [8] |
Явление поглощения электронов сканирующего пучка в тонкой пленке применимо для контроля малых вариаций толщины пленки. Степень поглощения луча в пленке увеличивается с ростом ее толщины и падает при повышении энергии первичных электронов. Часть электронов пучка, проходящих сквозь пленку, полностью теряет свою энергию в подложке. [9]
В результате поглощения электронов проявленные пленки будут иметь, такой вид, как если бы они были выдержаны в течение различного времени. Кроме того, когда необходим широкий диапазон, могут быть использованы пленки различной чувствительности. Во всех таких случаях рекомендуется рассортировать образцы таким образом, чтобы часть из них создавала оптическую плотность в желаемом диапазоне в обеих пленках такой пары. [10]
 |
Схема устройства электронного микроскопа. пии могут быть значительно расширены а-схема оптического ми-несколькими путями. кроскопа. б - схема элек. [11] |
Изображение возникает вследствие поглощения электронов объектом, находящимся на пути их следования. [12]
Для галогенов степень поглощения электронов возрастает с легкостью диссоциации галогена в ряду I Вг С1 F. Среди углеводородов исключением являются ароматические соединения ( такие, как циклооктатрен, антрацен), которые являются сильно захватывающими электроны веществами. [13]
 |
Зависимость высоты пика. [14] |
Для галогенов степень поглощения электронов возрастает с легкостью диссоциации галогена в ряду / Вг Cl F. Например, хлорбензол слабо захватывает электроны, бензилиодид - сильно. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5