Поглощение - электрон
Cтраница 2
Для галогенов степень поглощения электронов возрастает с легкостью диссоциации галогена в ряду / Вг Cl F. Например, хлорбензол слабо захватывает электроны, бензилиодид - сильно. [16]
Для галогенов степень поглощения электронов возрастает с легкостью диссоциации галогена в ряду I Вг С1 F. Среди углеводородов исключением являются ароматические соединения ( такие, как циклооктатрен, антрацен), которые являются сильно захватывающими электроны веществами. [17]
Поскольку процесс рождения и поглощения электронов происходит при энергии, превышающей собственную энергию электрона более чем в два раза ( так как электрон всегда рождается вместе с позитроном), вторичное квантование нерелятивистского волнового уравнения Шредингера имеет чисто методическое значение. [18]
Единичный скачок напряжения от поглощения очередного электрона анодом суммируется с остаточным напряжением на аноде. [19]
Для галогенсодержащих соединений степень поглощения электронов возрастает с легкостью диссоциации галогена в ряду IBrClF. Например, хлорбензол слабо захватывает электроны, а бензилхлорид - сильно. [20]
Вскоре после обнаружения полосы поглощения электрона было показано, что при условии использования низкой дозы радиации на импульс и удаления радикалов ОН из раствора можно наблюдать уменьшение полосы поглощения электрона по закону первого порядка. Хотя и несомненно, что электрон является частицей, живущей много дольше, чем считали первоначально, пока еще неизвестно, что является продуктом реакции, приводящей к исчезновению электрона по первому порядку, и достигнут ли такой предел очистки, при котором можно с уверенностью исключить возможность реакции электрона с неизвестным растворенным веществом по псевдомономолекулярному закону. [21]
Если в электронном микроскопе используется поглощение электронов для изучения внешней формы и размеров коллоидных частиц и макромолекул, то методы рентгенографии и электронографии при исследовании внутренней структуры коллоидных частиц и полимерных материалов основаны на диффракции рентгеновых лучей, или, соответственно, электронов. При регулярном расположении атомов, например в кристалле, интерференция рассеянных волн приводит к определенной системе диффракционных пятен. [22]
Для толстых слоев вещества рассчитывают поглощение электронов в слое вещества. Находят долю непоглощенных электронов и затем вносят поправки. [23]
 |
Рентгенограммы различных веществ. [24] |
Если в электронном микроскопе используется поглощение электронов для изучения внешней формы и размеров коллоидных частиц и макромолекул, то методы рентгенографии и электронографии при исследовании внутренней структуры коллоидных частиц и полимерных материалов основаны на дифракции рентгеновых лучей, или, соответственно, электронов. При регулярном расположении атомов, например в кристалле, интерференция рассеянных волн приводит к определенной системе дифракционных пятен. [25]
 |
Влияние добавки ewo / 7-и-бутанола в раствор Cd2 ( 1 - 10 4 М в 1 М. [26] |
Из радиационной химии известно, что поглощение сольватирован-ных электронов в смесях осуществляется преимущественно молекулами более полярного вещества. [27]
Тем не менее, тщательные измерения поглощения электронов известной энергии и однородности в различных фольгах могут быть использованы для определения практического экстраполированного или максимального пробега электронов. [28]
Адсорбция кислорода или другого окислителя сопровождается поглощением электронов из металла и образованием незаполненных электронами d - уровней в металле, что переводит его в пассивное состояние. Адсорбция водорода или другого восстановителя сопровождается отдачей металлу электронов и заполнением электронами d - уровней, что переводит его в активное состояние. [29]
Мак-Ленпан, Мак-Деод и Вильгельм [135] измеряли поглощение электронов с энергией порядка нескольких миллионов электрон-вольт тонкими пленками свинца. Переход в сверхпроводящее состояние никак не сказывался на величине поглощения. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5