Парамагнитное поглощение

Cтраница 1

Эквивалентная схема волноводного тракта с резонатором. [1]

Парамагнитное поглощение вызывает дополнительные потери в резонаторе, что равносильно увеличению эквивалентного сопротивления потерь г на величину А г. В результате изменится величина амплитуды отраженной волны. [2]

Электронным парамагнитным поглощением обладают вещества, имеющие неспаренные электроны. К ним относятся: 1) ионы с частично заполненной внутренней электронной оболочкой, например ионы переходных элементов ( 3d -, 4d -, 5d -, 4 / -, 5 / -); 2) органические и неорганические свободные радикалы, среди них многие неорганические радикалы, образующиеся при облучении ( РОз -, AsO 3, NOs -, 5Оз -), а также ряд неорганических молекул ( С12О, С1О2, С1О3, NO и др.) с нечетным числом электронов; 3) атомы с нечетным числом электронов ( галогены, водород); 4) центры окраски, которые представляют собой электроны или дырки, захваченные в различных местах кристаллической решетки; 5) металлы и полупроводники вследствие наличия в них свободных электронов. [3]

Таким образом, парамагнитное поглощение и дисперсия приводят к изменению эквивалентного сопротивления потерь резонатора на величину А г и эквивалентной индуктивности на величину AL. Задачей техники ЭПР является создание радиоспектроскопов, позволяющих регистрировать возможно меньшие изменения параметров резонатора, обусловленные парамагнитным поглощением и дисперсией. [4]

В сильных комплексах электронное парамагнитное поглощение выражено значительно сильнее; концентрация спинов в них иногда достигает величины, равной количеству донорно-акцепторных пар в единице объема. [5]

Исследуется дырочная полоса парамагнитного поглощения у-облучеиных двух-компонентпых щелочносиликатных стекол с привлечением метода моделирования формы спектра на основе предполагаемого спин-гамильтониана. Показано, что спектры центров а и Р не могут быть удовлетворительно описаны в предположении простого спин-гамильтониана и не зависимой от направления ширины индивидуальных линий. Теоретически оценивается возможный характер неоднородного строения центров. [6]

Компаундированные битумы обладают большим парамагнитным поглощением в связи с присутствием переокисленного тяжелого компонента и интенсивным образованием свободных радикалов. Применение метода ЭПР позволяет контролировать количества вводимого пластификатора. [7]

Пиролиз кополимера дивинилбензола этилвинилбензо.| За - / мыкание цепей. [8]

На рис. 92 представлено изменение парамагнитного поглощения субокиси полидивинилбензола и показано, что концентрация неспаренных электронов быстро возрастает примерно до 600 С, а затем уменьшается. [9]

Какие классы веществ, обладающих парамагнитным поглощением, наиболее перспективны для использования в аналитической химии. [10]

Результаты измерений магнитной восприимчивости ионов, а также измерения парамагнитного поглощения позволяют получить ясную картину в случае тория, не содержащего f - электронов, и для элементов, начиная с америция, содержащих шесть и более / - электронов. Для промежуточных элементов картина является более сложной и результаты во многих случаях могут быть интерпретированы участием как / -, так и rf - электро-нов. [11]

При высоких температурах комбинационное рассеяние может привести к уширению линии парамагнитного поглощения. [12]

Свободные радикалы [262] имеют неспаренные спины электронов, поэтому в них существует парамагнитное поглощение. Небольшая крупинка этого вещества, помещенная рядом с исследуемым матер нал ом / дает резкую, легко распознаваемую опорную линию. [13]

На примере полиметилметакрилата и других полимеров Паулс [1483] показал, что корреляцией механического, диэлектрического и парамагнитного поглощения можно выявить некоторые различия, позволяющие глубже проникнуть в свойства твердых тел. [14]

Из выражения ( 9) следует, что частота, при которой происходит электронное парамагнитное поглощение, зависит не только от Н, но и от угла между Н и осями кристаллического поля. Для очень малых искажений, когда ц становится очень большим, tg 2со - - 2 ] / 2, a g и g почти равны нулю. [15]

Страницы: 1 2 3 4