Cтраница 1
Многофотонное поглощение может проявляться весьма разнообразно. [1]
Многофотонное поглощение ( в частности, двухфотон-ное поглощение) открывает в спектроскопии новые горизонты, что привело в последние годы к более широким ее применениям. [2]
Проводится анализ многофотонного поглощения и генерации гармоники. Для такого типа процессов высокого порядка вычислены вероятности переходов. [3]
Здесь в результате многофотонного поглощения интенсивный свет может поглощаться гораздо сильнее, чем слабый. Возможно также одновременное поглощение трех фотонов и более. [4]
Вероятность перехода при многофотонном поглощении вычисляется на основании методов теории возмущений, применяемых к уравнениям движения для оператора плотности. Предположим, что к гамильтониану добавляется член Ж, характеризующий взаимодействие или возмущение, и что он значительно меньше, чем У6й - невозмущенный гамильтониан. [5]
Вероятность перехода при многофотонном поглощении вычисляется на основании методов теории возмущений, применяемых к уравнениям движения для оператора плотности. Предположим, что к гамильтониану добавляется член Зе, характеризующий взаимодействие или возмущение, и что он значительно меньше, чем Шо - невозмущенный гамильтониан. [6]
Генерацию носителей при многофотонном поглощении света в принципе также можно объяснить, оставаясь на той точке зрения, что в антрацене и подобных ему полиаценах ей предшествует автоионизация промежуточного возбужденного молекулярного состояния. Образование экситонов в объеме органических кристалов при многофотонном поглощении мы уже рассматривали в разд. Объемную многофотонную генерацию носителей впервые наблюдал Строум [94], использовавший комбинации импульсов света длительностью 40 не с энергией 2 07 эВ ( 597 нм), 2 16 эВ ( 571 нм) и 2 35 эВ ( 525 нм) для образования в кристаллах антрацена состояний с энергией, равной энергии двух квантов. Свет с такой энергией квантов имел низкий коэффициент поглощения, поэтому равномерно поглощался в объеме кристалла, и не мог порождать синглетные экситоны с энергией 3 15 эВ в однофотонном процессе. [7]
Вычисляя вероятности перехода при многофотонном поглощении, мы будем предполагать, что упомянутые выше условия имеют место. [8]
Вычисляя вероятности перехода при многофотонном поглощении, мы будем предполагать, что упомянутые выше условия имеют место. [9]
В чем состоят основные отличия закономерностей многофотонного поглощения и многофотонного фотоэффекта от законов соответствующих одно-фотонных явлений. [10]
Теперь мы рассмотрим изменение свойств поля излучения под влиянием многофотонного поглощения. [11]
В заключение будут рассмотрены некоторые специальные аспекты многофотонной ионизации и многофотонного поглощения в твердых телах. [12]
При подходящих условиях, относящихся к заселению уровней, может возникать многофотонное поглощение между двумя зонами, из которых одна одновременно участвует в другом процессе поглощения. Примером может служить наблюдаемый в Те процесс однофотон-ного поглощения между зонами Нц и Я5 ( две валентные подзоны), происходящий одновременно с процессом трехфотонного поглощения между зонами Я5 и Я6 ( зона проводимости) при облучении светом С13026 - лазера [3.13-14]; измеренная функция нелинейной прозрачности для обоих процессов показана на фиг. Ее интерпретация позволяет получить данные об эффективном сечении поглощения и об эффективных временах релаксации для между - и внутризонных переходов. [13]
ИК-УФ излучения возможна изотопически-селективная фотодиссоциация молекул в основном электронном состоянии при многофотонном поглощении большого числа ( 20 - т - 100) ИК фотонов. [15]