Двухфотонное поглощение

Cтраница 1

Двухфотонное поглощение, возможное только при больших мощностях излучения, является нелинейным процессом. [1]

Двухфотонное поглощение происходит не только в случае, когда в одном акте поглощения участвуют два фотона с одинаковыми энергиями. [2]

Поэтому двухфотонное поглощение при электрическом дипольном взаимодействии может возникать только между состояниями одинаковой четности. Если Ж - электрическое квадруполыюе или магнитное дипольное взаимодействие, то двухфотонное поглощение возникает также между состояниями одинаковой четности, однако для переходов на оптических частотах вероятности перехода приблизительно на двенадцать порядков меньше, чем для электрического дипольного взаимодействия. Между состояниями, имеющими различную четность, наиболее интенсивное двухфотонное поглощение возникает вследствие комбинации электрического дипольного и электрического квадрупольного или магнитного дипольного переходов. Это значит, что % s q может быть электрическим дипольным переходом между состояниями q и 1), имеющими различную четность, а Ж - 1С1 - электрическим квадрупольным переходом между состояниями I /) и q, имеющими одинаковую четность. В этом случае состояния /) и 11) имеют противоположную четность. При переходах на оптических частотах двухфотонное поглощение в переходах между состояниями, имеющими противоположную четность, приблизительно на шесть порядков слабее, чем двухфотонное поглощение в переходах между состояниями с одинаковой четностью, поскольку в последнем случае включаются электрические квадрупольные переходы. [3]

Поэтому двухфотонное поглощение при электрическом дипольном взаимодействии может возникать только между состояниями одинаковой четности. Если Ж - электрическое квадрупольное или магнитное дипольное взаимодействие, то двухфотонное поглощение возникает также между состояниями одинаковой четности, однако для переходов на оптических частотах вероятности перехода приблизительно на двенадцать порядков меньше, чем для электрического дипольного взаимодействия. Между состояниями, имеющими различную четность, наиболее интенсивное двухфотонное поглощение возникает вследствие комбинации электрического дипольного и электрического квадрупольного или магнитного дипольного переходов. В этом случае состояния /) и 11) имеют противоположную четность. При переходах на оптических частотах двухфотонное поглощение в переходах между состояниями, имеющими противоположную четность, приблизительно на шесть порядков слабее, чем двухфотонное поглощение в переходах между состояниями с одинаковой четностью, поскольку в последнем случае включаются электрические квадрупольные переходы. [4]

Коэффициент двухфотонного поглощения прямо пропорционален интенсивности возбуждающего света. [5]

Примеры процессов многофотонного поглощения. а - двухфотонное поглощение. б - вырожденное по частоте трехфо-тонное поглощение. в - трехфотонное поглощение при наличии промежуточного двухфотонного резонанса.| Спектры одно-фотонного ( кривая J и двухфотошюго ( в поглощений в ZnO. Согласно правила отбора, в однофотон-ном спектре возникают только s - экситон-ные линии, в двухфо-тонной - только р-экситошше линии. [6]

Для двухфотонного поглощения это достигается в случае встречных световых потоков с одинаковой частотой И используется в нелинейной спектроскопии сверхвысокого разрешения атомов и молекул. [7]

Спектроскопия двухфотонного поглощения. Кванты излучения с частотами tot и ш ( поглощаются одновременно. [8]

Спектроскопия двухфотонного поглощения позволяет изучать разл. [9]

Для двухфотонного поглощения было найдено, что вероятность перехода пропорциональна интенсивности. [10]

При двухфотонном поглощении два фотона поглощаются одновременно. [11]

При помощи двухфотонного поглощения, подобно тому как это делается в случае однофотонного поглощения, могут проводиться эксперименты па насыщению и по измерению продольного времени релаксации соответствующего перехода. Т-1, а для этого, вообще говоря, необходимы очень большие интенсивности, которые во многих материалах уже могут приводить к их разрушению. По этим причинам трудно, например, применить двух - или многофотонное поглощение для накачки ультрафиолетовых лазеров с достаточной эффективностью. [12]

Зависимость энергии ультракороткого импульса света Е, прошедшего через кристалл CdS0 6Seo 4, от энергии падающего излучения. [13]

В случае двухфотонного поглощения коэффициент поглощения вначале должен расти пропорционально S ( см. (16.12)), а затем вследствие самоиндуцированной прозрачности уменьшаться. [14]

Если в двухфотонном поглощении участвуют только два уровня, что действительно имеет место, только когда единственный отличный от нуля член в (5.32) соответствует значениям q - 1 или q j, то при электрическом дипольном взаимодействии необходимо, чтобы состояния 1) или /) имели смешанную четность. Это означает, что состояние 1) должно иметь смешанную четность, поскольку электрический дипольный оператор имеет отрицательную четность. В изолированном атоме собственные состояния имеют определенную четность, так что двухфотонное поглощение не может возникать при электрическом дипольном взаимодействии, в котором участвуют только два уровня. Однако в кристалле симметрия гамильтониана относительно инверсии может исчезнуть при наличии локального поля, и тогда состояния могут иметь смешанную четность. То же самое имеет место, когда к среде приложено постоянное поле. [15]

Страницы: 1 2 3 4