Двухфотонное поглощение

Cтраница 3

Отсюда следует вывод, что с двухфотонным поглощением можно наблюдать эффекты, аналогичные эффектам при однофотонном поглощении, а частности самоиндуцированную прозрачность и фотонное эхо. Но при этом следует иметь в виду, что такие наблюдения возможны только - в веществах, обладающих очень высокими значениями поперечного сечения для двухфотон-ного взаимодействия, обеспечивающими выполнение условия сИ2) / 21 / т; оно необходимо для достижения сильных кратковременных возбуждений, происходящих без разрушения самого материала. С точки зрения получения нелинейных восприимчивостей наиболее благоприятны полупроводники. [31]

Два из них - спектроскопия насыщения и двухфотонное поглощение - уже были рассмотрены. Третьим методом является когерентная антнстоксова спектроскопия комбинационного рассеяния ( CARS) - метод смешения четырех волн, который привлек широкое внимание и уже нашел некоторое аналитическое применение. Таким образом, этот метод обладает геометрическими преимуществами лазерной абсорбционной спектроскопии из-за отсутствия потерь, подчиняющихся закону обратной пропорциональности квадрату расстояния, как в падающем, так и в испускаемом образцом свете. [32]

Процесс комбинационного рассеяния в принципе аналогичен процессу двухфотонного поглощения, за исключением того, что в первом частота перехода в / в среде равна разности частот двух электромагнитных волн. Одна из входных волн обычно представляет собой мощный лазерный луч с частотой сор, тогда как вторая волна называется сигналом и представляет собой рассеянное излучение с частотой cos. Таким образом, условие комбинационного рассеяния имеет вид сор - со8 ( ог. [33]

В соответствии с теорией на опыте проявляется анизотропия двухфотонного поглощения. Эта зависимость обнаружена не только в кристаллах с низкой симметрией решетки. В кристалле CdS при возбуждении его линейно поляризованным излучением рубинового лазера коэффициент двухфотонного поглощения минимален, если электрический вектор световой волны направлен вдоль оптической оси. Отношение между параметрами pj / Pi близко к 1 5, где рл и 6ц соответствуют ориентациям e LC и е С. [34]

Двухфотонное поглощение. [35]

При соответствующей частоте со лазерного излучения может наблюдаться процесс двухфотонного поглощения. [36]

Нелинейная зависимость Ага от мощности импульса лазера свидетельствует о двухфотонном поглощении, при котором выброс электронов в зону проводимости осуществляется из валентной зоны. [37]

Вклад в х ( ы, Е) дает не только двухфотонное поглощение, но и ( двухфотонное) вынужденное комбинационное рассеяние. Это же относится и к множителю [ 1-ехр ( - ft ( со со) / яГ) ], который становится отрицательным при со со. [38]

При гиперкомбинационном рассеянии два кванта падающего излучения лазера приводят к двухфотонному поглощению, и линии КР появляются при частотах h ( 2vo vnm); вынужденное и инверсное КР связаны с наличием вынужденных поглощения и излучения. [39]

Более точный анализ решения (4.50) подтверждает наличие узкого пика в двухфотонном поглощении на фоне доплеровски уширенного пьедестала. [40]

В этом случае потери определяются мнимой частью кубичной восприимчивости и соответствуют двухфотонному поглощению или рассеянию. [41]

Спектр комбинационного рассеяния монокристаллов CdP2 приведен на рис. III.12. В [88] изучалось двухфотонное поглощение CdP. [42]

Числа заполнения световых квантов уменьшаются на единицу, здесь имеет место процесс двухфотонного поглощения. [43]

Экспериментальное изучение частотной зависимости коэффициента поглощения позволяет определить тип оптических переходов при двухфотонном поглощении. В зависимости от зонной структуры кристалла и условий эксперимента может либо преобладать один тип переходов, либо наблюдаться их суперпозиция. [44]

Оптическое возбуждение генерации, так же как и люминесценции, связано с однофотонным или двухфотонным поглощением внешнего излучения в активной среде. При однофотон-ном возбуждении энергия квантов внешнего излучения Йсов должна быть больше ширины запрещенной зоны. Двухфотонное возбуждение позволяет создать инверсную населенность на большей глубине от поверхности образца, так как коэффициент двухфотонного поглощения обычно невелик. Поэтому возбуждающий свет можно направлять как перпендикулярно, так и параллельно оси резонатора. [45]

Страницы: 1 2 3 4