Подбор - транзистор
Cтраница 1
Подбор транзисторов, диодов и ламп экономически оправдан только для РЭА индивидуального производства и для специальной измерительной аппаратуры, когда другими средствами получить заданные параметры нельзя. Применять такой подбор для бортовой и другой специальной аппаратуры ни технически, ни экономически нецелесообразно. [1]
 |
Основная логическая схема РЕТЛ.| Основная логическая схема ДТЛ. [2] |
ТЛНС требуется подбор транзисторов с одинаковым входным сопротивлением, что является существенным ограничением для использования в гибридных микросхемах. Применяются схемы ТЛНС в сериях 102 и 103 полупроводниковых ИМС. [3]
Это требование определяет подбор транзисторов и ламп для каскадов предварительного усиления и выбор режима их работы. Если источник сигнала дает достаточную для подачи на вход мощного усилителя мощность сигнала, предварительный усилитель не нужен. [4]
Двухтактная схема усложняется необходимостью подбора транзисторов, идентичных по параметрам. [5]
Выполнения этого условия добиваются подбором соответствующих транзисторов. [6]
 |
Предусилитель с невысоким входным сопротивлением. [7] |
Мом, но при этом подбор транзисторов будет затруднен. В процессе настройки усилителя особое внимание должно быть обращено на качество транзисторов. [8]
Не менее важное значение имеет подбор транзисторов или интегральных схем для реализации ключей. По существу, от этого зависит диапазон изменения ИУП. Действительно, низший предел ИУП определяется токами утечки и тепловыми токами последовательного ключа. Верхний предел проводимости при заданной допустимой погрешности ограничивается остаточным сопротивлением замкнутого ключа, которое хотя и мало, но вполне определенно и составляет для обычных биполярных схем несколько ом. Надо иметь в виду, что замкнутому ключу соответствует остаточное напряжение ( см. § 4 - 7), которое, например, в схеме потенциометра может быть воспринято как ложный сигнал. Кроме того, при замыкании и размыкании транзисторных ключей образуются токи переходных процессов, которые вносят дополнительную переменную составляющую на частоте переключения. [9]
 |
Основные логические схемы типа РТЛ. а с резистивной связью. б резистивно-транзисторная логика.| Основная логическая схема типа РЕТЛ. [10] |
При построении микросхем на основе ТЛНС требуется подбор транзисторов с одинаковым входным сопротивлением, что является существенным ограничением для гибридного исполнения. Используются схемы ТЛНС в 102 и 103 - й сериях полупроводниковых интегральных микросхем. [11]
 |
Схема двухполупериод-ного преобразователя с двумя ключевыми ячейками. [12] |
Нестабильность во времени преобразователей наблюдается даже при безукоризненном подборе транзисторов, так как изменения их параметров в результате старения происходят по-разному. Особенно ярко дрейф транзисторов проявляется при работе преобразователя в условиях циклического изменения температуры. Согласно этим данным, вибропреобразователи не имеют дрейфа. Модулятор на вакуумных триодах характеризуется дрейфом 25 мкв / мин. Модуляторы на вакуумных и полупроводниковых диодах имеют дрейф 1 мкв / мин. Транзисторные модуляторы имеют дрейф меньше 1 мкв / мин. Дрейф преобразователя на фотосопротивлениях составляет. Наиболее стабильным по уровню входной мощности является модулятор на фотосопротивлениях; имея входное сопротивление 200 - 300 ком, он дает дрейф порядка 10 - 17 вт / мин. Транзисторный преобразователь с низкоомной нагрузкой характеризуется средней нестабильностью показаний порядка 10 - 15 вт / мин в течение 8 часов работы. [13]
При использовании комплементарных транзисторов в мостовой схеме упрощается подбор одинаковых транзисторов для плеч моста, так как при уравновешивании моста транзисторы одного типа проводимости оказываются в противоположных плечах. [14]
Страницы: 1 2 3 4