Подбор - транзистор
Cтраница 2
Основным недостатком схем с дополнительной симметрией является трудность подбора транзисторов с идентичными характеристиками. Достоинством этих схем является простота возбуждающего каскада и равномерная нагружен-ность его в оба полу периода. Предоконечный усилитель может быть выполнен в виде обычного каскада на сопротивлениях. [16]
 |
Схема дифференциального каскада с общим эмиттером. [17] |
Принимая во внимание недостаточное постоянство значений температурных коэффициентов тока / као и величины а, нельзя гарантировать подбор транзисторов, идентичных по этим параметрам; обычно влияние температурного изменения / кво снижают выбором образцов с малым значением / Кбо при рабочей температуре. [18]
 |
Каскад с нейтрализацией внутренней обратной. [19] |
Как показывают эксперименты, балансные схемы обеспечивают значительное ослабление дрейфа нуля даже в том случае, если подбор транзисторов производится не очень тщательно. [20]
Достоинство схемы ( рис, 45) заключается в том, что для ее оконечного каскада не требуется подбор транзисторов по идентичности параметров, так как оба транзистора включены по схеме с ОК. Связь предоконечного каскада с оконечным непосредственная ( без переходных конденсаторов), что улучшает частотную характеристику усилителя в области нижних частот. [21]
Однако при этом нерешенной проблемой остается сравнительно большое напряжение разбаланса, особенно в интегральных схемах, где исключен подбор транзисторов. Кроме того, полевые транзисторы, как известно ( см. гл. [22]
К этому же этапу следует отнести изготовление макета исследуемой схемы, позволяющего менять исследуемые активные элементы, а также подбор транзисторов и диодов с граничными величинами исследуемых параметров. [23]
Для обеспечения заданного эксплуатационного допуска на коэффициент усиления УНЧ можно изменять только допуски на сопротивления резисторов и емкость конденсатора, поскольку допуск на напряжение питания задан, а подбор транзисторов обычно не допускается. [24]
Температурный дрейф нулевого уровня, отнесенный ко входу преобразователя, зависящий от диапазона изменения температуры окружающей среды и определяемый изменениями параметров транзисторов в этом диапазоне температур, точностью подбора транзисторов ( в случае преобразователя на нескольких транзисторах), схемой модулятора, подгонкой компенсационных элементов и напряжением модуляции, не должен превышать заданного значения. [25]
Температурная стабильность этого преобразователя может быть выше, чем у рассмотренных ранее схем. Однако подбор транзисторов для него еще более сложен, чем для модулятора с двумя транзисторами. [26]
 |
Схема для подбора пар полевых транзисторов. [27] |
При этом, как говорят специалисты, осуществляется подбор пары транзисторов по основным параметрам. Для обеспечения подбора транзисторов необходимо иметь их хотя бы в 2 - 3 раза больше, чем используется в измерительном преобразователе-усилителе. В соответствии со схемой на рис. 3.3 в пару следует выбирать полевые транзисторы, имеющие по возможности близкие значения падения напряжения на резисторе, включенном в цепь истока. [28]
В случае работы от источника с высоким внутренним сопротивлением дрейф напряжения больше зависит от величины Д б / ДГ, чем At / бэ / АГ, так что однотактный и дифференциальный каскады имеют сравнимые показатели дрейфа, если только в дифференциальном варианте не используются транзисторы, подобранные по коэффициентам Дг б / ДГ. При отсутствии подбора транзисторов одного типа коэффициенты могут отличаться вдвое. [29]
 |
Ламповые усилители среднего значения. [30] |
Страницы: 1 2 3 4